K(6S)+H2→K(4D)+H2的碰撞能量转移

激光双光子激发K原子至6s或4D态,测鼍了K(6S,4D)与H2的碰撞转移截面.池温在413K,H2气压在4～40 Pa范围内,K(6S,4D)-K的碰撞效应可略去.在激发6S态的情况下,记录6S→4P时间分辨荧光信号,从荧光强度的对数描绘出的直线斜率得到6S态的有效寿命,而4D态的布居随H2的增加而增加,因此引起4D→4P跃迁谱线的增强.在激发4D态的情况下,采用类似方法得到4D态的有效寿命,由Stern Volmet方程,测得6S和4D态的辐射寿命分别为(97±15)ns和(300±45)ns.激发态K原子总的碰撞去佰居截面为(1.6±0.3)×10-14cm2(对6S态)和(40±6)×10-16cm2(对4D态).该总截面中包含向K原子激发态的非反应碰撞转移截面以及与H2反应生成KH的反应截面.激发6S态,测量4D→4P的时间积分荧光强度随H2气压的变化,得到6S→4D的碰撞转移截面为(1.4±0.3)×10-14cm2.由此得到结论:K(6S)态主要是通过物理猝灭到K(4D)态,虽然在K(6S)+H2的碰撞中,观察到了由于化学反应生成的KH的存在.     

Experimental study of the time-resolved reflectivity of chromium film

The transient time-resolved reflectivity of chromium film is studied by femtosecond pump-probe technique with a 70-fs laser. Experimental results show that the reflectivity change increases with the power of the pump laser. The fast decrease of the reflectivity occurs between 0-200 fs which is mainly due to the electron-electron interaction. Subsequencely, the slower recovery of the reflectivity between 200-900 fs is mainly due to the electron-phonon coupling process. The reflectivity after 900 fs rises little to a near-constant value for the thermal equilibrium of the system. The experimental results can be explained properly with numerical simulation of the two-temperature model. It is helpful for understanding of the electron ultrafast dynamics in chromium film.     

High speed and wide temperature range uncooled 1.3-μm ridge waveguide DFB lasers

A 1.3-μm wavelength vertical-mesa ridge waveguide mulitple-quantum-well （MQW） distributed feedback （DFB） laser with high directly modulated bandwidth and wide operation temperature range is reported. With the optimization of the strained-layer MQWs in the active region, the surrounding graded-index separated-confinement-heterostructure waveguide layers, together with the optimization of the detuning and coupling coefficient of the DFB grating, high directly modulation bandwidth of 16 GHz at room temperature and wide working temperature range from -40 to 85 ℃ are obtained. The mean time to failure （MTTF） is estimated to be over 2×10^6 h. The device is suitable as light source of high-bit-rate optical transmitters with small size and reduced cost.     

模糊时间序列预测模型及其应用

本文在分析了各种产品销售量预测模型的基础上,提出了采用模糊预测法的建议,剖析了模糊时间序列预测模型的基本算法,应用实例验证了模型的有效性。     

关于赠送作者样刊和发放稿酬的通知

各有关作者：从2007年第1期起,本刊赠送作者发表自己论文的当期刊物（样刊）,均按篇赠送2本样刊,用普通印刷品邮寄给作者联系人,遗失不再补赠。若遗失或作者另有需要,请在发表之日起2个月之内汇款购买（第1期70元/本;其余40元/本,免收挂号邮寄费）,逾期不再办理。由于普通印刷品邮寄的送达时间不稳定,若作者急需,请预交特快专递费（30元/件）。给作者发放的稿酬均邮寄给联系人,请各位联系人接到邮局通知后,务必及时到邮局领取。     

激光拉曼光谱实验最优实验参数的确定

讨论了激光拉曼实验中狭缝宽度、阈值大小、积分时间和负高压对拉曼光谱的影响,确定了激光拉曼光谱实验的最佳工作参量,获得了清晰的拉曼光谱.     

C59N和C19N晶体的合成

通过溶解C₆₀的CCl₄溶液在大气中的慢蒸发可以合成C₅₉N和C₁₉N晶体,这项实验结果为C_nN（n≤59）晶体研究开辟了一种简单而有效的途径. 关键词： 富勒烯晶体 飞行时间质谱 透射电子显微镜 X射线光电子能谱     

Alq3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究

利用飞行时间法(time-of-flight)测定了有机小分子发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)与CdseS量子点掺杂体系的载流子迁移率.研究了Alq3和CdSeS混合薄膜的载流子迁移率与外加电场强度和量子点浓度的变化关系.研究结果表明,CdSeS量子点的掺杂浓度的增加会引起薄膜样品位置无序的增加.除此之外,Alq3和CdSeS量子点界面之间的电荷转移作用,以及在量子点之间进行跳跃传输的电子数量都会改变样品的载流子迁移率.     

外加电场法制备LiNbO3周期畴的反转电流特性研究

采用外加电场法制备了LiNbO3单晶周期畴结构.在对不同尺寸周期畴的反转电流进行比较研究的基础上,提出了一种确定反转畴成核时间和纵向贯穿速率的方法.根据这一方法,得到在电场强度为25.1 kV/mm,脉冲宽度为50 ms的脉冲方波作用下,LiNbO3单晶反转畴的成核时间约为80 ns,纵向贯穿速率约为O.1667 m/s.     

界面生长中断对GaAs (111)衬底上 AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱中电子自旋弛豫时间(自旋寿命)的影响,发现了自旋寿命随着界面生长中断时间的增加呈现先减小后增加的趋势,此变化趋势与荧光光谱半峰全宽表征的材料质量随中断时间的变化一致,适当的界面生长中断时间能有效的增加GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs 多量子阱中电子自旋寿命。