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2.
静电火花法表征塑料导爆管起爆感度探索 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了塑料导爆管轴向静电火花感度的概念、测试原理。用标准的静电感度测试仪配以一定结构的起爆针 ,建立了可用于导爆管感度测试的实验装置 ,采用升降法测出导爆管起爆所需静电能量并用它来表征导爆管的感度。用三种导爆管进行了感度测试 ,实验条件下其感度值E0 .50 分别为 0 .4 3、1.0 8、1.94J。 相似文献
3.
4.
应用经典场论和耦合模理论计算了斜向静磁场作用下,磁性薄膜波导中静磁波与导波光的相互作用.计算结果表明,与垂直静磁场情形相比,斜向静磁场时的相匹配条件有所变化,由于磁性薄膜波导中法拉第磁光效应增强等因素,导波光的Bragg衍射效率得以显著增加.这有利于应用YIG等低损耗磁性薄膜做成高衍射效率的磁光波导器件,亦有利于降低Bi∶YIG等高比法拉第旋转的磁光薄膜波导器件的体积和损耗.此外,理论指出的在斜向静磁场条件下所具有的一些磁光特性与实验结果亦符合得很好.
关键词: 相似文献
5.
采用分子量500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质P(EO)n-CuBr2薄膜,并在0.1~300MPa范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱,分别得到在不同压力下离子电导率和介电常数与测量频率的关系.进一步解谱准确地求出P(EO)n-CuBr2(n=12、16)薄膜离子电导率和介电常数的静水压效应,并结合X-光物相分析,根据离子迁移通道的物理图象和高聚物的极化机构进行了初步的讨论.添加20%的增塑剂碳酸丙烯酯,较大改进了压力下的导电性.120~300MPa的离子电导率提高一个数量级 相似文献
6.
7.
以正硅酸四甲酯(TMOS)为硅源,P123(EO20PO70EO20)为表面活性剂,在p H=6的磷酸缓冲体系中制备了囊泡状二氧化硅材料.利用乙醇萃取脱除模板剂P123,电镜观测结果表明所得二氧化硅具有大孔囊泡结构,N2吸附结果表明其具有高比表面积和大孔容.通过Boehm滴定法确定了硅羟基数量与吸水率呈正相关.用囊泡状二氧化硅材料与商业化活性炭(AC)和硅胶(SG)对水蒸气、正己烷和油气进行静态吸附.在自建的动态正己烷吸附装置上用对囊泡状二氧化硅材料和商业化AC和SG对正己烷进行动态吸附.吸附结果表明,囊泡状二氧化硅材料的静/动态吸附容量和稳定性都远高于商业化活性炭和硅胶. 相似文献
8.
一个跨音风扇级转/静干扰流动的时间精确模拟 总被引:5,自引:1,他引:4
本文采用双时间步法,较为方便地将孤立叶排定常流场求解拓广为转/静干扰非定常流场时间精确求解,而且该流场时间精确求解方法收敛速度较作者最初工作有较大提高.文章通过对一跨音风扇级非定常流场时间精确模拟,对叶轮机非定常流动建立了一定理解. 相似文献
9.
10.
本文基于一种并行高精度的静动交接面处理方法,采用了SA模型及基于SA的分离涡模拟DES方法,进行了某压气机静动干涉流动的计算.研究表明对本文算例,在微小分离处,如20%到80%叶高处,DES与SA计算出的流动损失相差很小;而在大分离处,如叶根叶顶处,DES结果与SA差别较大,并且DES可更好地描述涡结构.在叶顶处,DES计算出比SA更强的泄漏流动,导致更大的损失.在叶根处,DES计算出了明显的静叶动态尾迹涡脱落现象,这一现象导致了与SA不一样的损失机理,即脱落涡与动叶头部相撞而产生时序效应,从而使计算损失较小.同时,本文研究结果与之前对孤立静叶的研究是相互验证的. 相似文献