L D侧泵激光打标机打标效果影响因素分析

激光打标在标刻行业中扮演着越来越重要的角色. 打标效果是评价打标机性能的一个重要指标. 主要 研究了打标线速度对打标效果的影响     

基于硅基槽波导的单纤三向滤波器的研究

设计了基于硅基槽波导的微环谐振型单纤三向滤波器。基于电磁场理论得到了二维情形下的硅基槽波导的模场及有效折射率随波长的变化关系,在此基础上,利用硅基槽微环谐振腔谐振波长与微环半径的关系,优化得到了可将1490nm和1550nm两个下载波长分开的谐振环半径,并同时将1310nm波长上传,三个波长信号从不同端口输出,成功地实现了三向器滤波功能。利用传递函数法模拟了所设计的硅基槽微环谐振型三向滤波器的输出光谱,结果显示其串扰可低至-16.9dB。     

考虑信用成本的航空武器装备承制商与军方合作条件分析

航空武器装备承制商的良好信用是获得跟军方合作机会的基础,建立与维护信用需要付出一定成本,权衡信用成本与所得收益是承制商与军方合作并守信的重要条件.分析了航空武器装备承制商信用成本与收益关系以及承制商守信与失信条件,将博弈论运用到承制商与军方合作条件的研究中,通过建立航空武器装备承制商博弈守信和失信收益的模型,证明了在航空武器装备采办过程中考虑信用成本的双方合作条件能够制约承制商失信行为,为双方带来更多的收益.     

金刚石对顶砧原位电导率测量系统

 在金刚石对顶砧中进行原位高温高压电阻测量时,由于受到绝热层的限制,从而达不到理想的温度条件。采用普通的粉末绝热材料,会给电极的引入造成很大困难,而且不规则的电阻丝使电阻测量很难精确量化。利用溅射镀膜方法,在对顶砧的砧面上镀氧化铝膜作绝热层,溅射的金属钼膜作电极材料,成功地完成了高温高压条件下原位电阻的测量。利用此装置,测量了铁镁硅酸盐(Mg_0.875,Fe_0.125)₂SiO₄在高温高压环境下（31~35 GPa,1 500~3 400 K）的电导率,得到了样品的导电粒子激活能,发现其激活能随着压强的升高而增大,与低压低温（小于15 GPa,低于1 200 K）条件相比,其激活体积和激活能都明显减小。     

一维三原子分子的振动

考虑三原子分子的振动问题,利用线性代数的化标准型理论,获得该振动系统简正频率的数学表达式,并讨论了几种特殊的情况.     

六角相B-C-N化合物的高压相变研究

采用原位高压同步辐射能散X射线衍射和金刚石压砧技术,实验研究了新型超硬材料六角相B0.47C0.23N0.30的高压相变及物理特性,压力范围为1.4～30 GPa.实验结果表明,六角相B..47C0.23N0.30在14.9 GPa压力下发生了相变,形成的新相为六方纤锌矿结构.计算得到了具有六方纤锌矿结构的B0.47C...     

年龄结构乙肝传染病模型及稳定性

本文讨论一年龄结构乙肝传染病模型,得出基本再生数■的表达式,证明:当■1时,无病平衡态局部渐近稳定且全局渐近稳定;当■ 1时,存在唯一的地方病平衡态,并给出地方病平衡态的局部渐近稳定性条件,这些条件对于控制疾病的传播具有重要的理论及实际意义.     

2.0 μm 波段Sb基多量子阱材料的制备

采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0 m左右。该结果表明,通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料,可以获得良好的结构质量和光学特性。所制备的器件室温条件下输出功率22 mW,阈值电流300 mA。     

一类广义凸多目标规划问题研究

首先引入了涉及高阶强Pre-invex函数的多目标优化问题m阶严格局部极小元的定义,在此基础上讨论了多目标优化问题的优化条件,最后研究了变分不等式的解与多目标优化问题高阶严格极小元之间的关系,其变分不等式的解正是多目标优化问题的高阶严格极小元,这些研究内容推广了Guneer-Bhatia给出的相关结论.     

基于金刚石对顶砧的高压下原位阻抗谱测量

借助薄膜集成技术,阻抗谱测量方法被应用到金刚石对顶砧压机上.通过对电极构型的改进和组装方法的优化,实现了对ZnS样品高压下原位阻抗谱的测量,实验压力达到30 GPa.实验结果显示,平行板构型的电极能够获得完整的阻抗谱.ZnS在压力作用下发生的结构相变,引起了电输运性质的变化,而这个变化,能够清晰地在阻抗谱测量中反映出来.