关于数学分析课程教学的几点思考

主要阐述了数学分析教学中的几点思考,即激发兴趣,重视基础训练,数学思想方法在教学中渗透,以及采用现代教育技术     

星型BODIPY端基三聚茚衍生物的分子设计与光物理性质

采用密度泛函理论PBE0和B3LYP方法对四个新设计的不同共轭桥星型BODIPY端基三聚茚衍生物的电子结构、光谱及电荷传输性进行了计算与研究.结果表明,通过调节共轭桥链的构型,可以改变能隙及激发能的大小,大幅调整吸收光谱范围及强度.荧光发射计算预测表明,经过泛函误差校正后的噻吩乙烯桥体系(T3TEB)发射峰将会红移到红...     

弯曲BN纳米片的电子性质及其调制

BN纳米片是具有一定宽度、无限长度的一维蜂窝构型单层带状氮化硼材料,弯曲的BN纳米片因为P z轨道旋转,将表现出一定的独特的电子性质.通过第一性原理计算,利用MS(Material Studio)中的DMOL3(local density functional calculations on molecules)软件计算了Zigzag和Armchair型BN纳米片弯曲以后的能带结构.BN纳米带的带隙会随着弯曲角度的变化而改变,以Armchair型BN纳米带的变化较为明显;在弯曲的基础上再加入外电场,却是Zigzag型BN纳米带的带隙变化更显著.当电场加大到一定的值,纳米带就会从半导体变为金属,并且这一临界电场值的大小和纳米带的弯曲程度有关.电场对带隙的调制还和纳米带的尺寸有关系,电场对大尺度的纳米带的调控性更好,从半导体转变为金属所需要的电场值要更小.     

高热稳定性的SrAl2Si2O8:Eu2+荧光粉的制备与发光性能研究

采用高温固相法制备了SrAl2 Si2 O8:Eu2+(SASO:Eu2+)系列荧光粉,详细研究了荧光粉的晶体结构、激发光谱、发射光谱以及热稳定性.结果表明,在337 nm激发下,发射光谱为一个非对称的宽带单峰,峰值波长404 nm,峰的半高宽约为53 nm,Eu2+的最佳掺杂摩尔浓度为5;,根据Dexter理论,讨论了SASO:Eu2+荧光粉浓度猝灭是由于Eu2+电偶极-电偶极之间的相互作用引起的.当加热到225℃时,SASO:0.05Eu2+荧光粉发光强度仍具有在初始室温下发光强度的97.4;,表明其具有优异的热稳定性.     

铝/铁掺杂的非晶碳/铝结构的电致电阻效应研究

采用脉冲激光沉积方法在石英玻璃衬底上沉积铁掺杂的非晶碳膜(a-C:Fe),然后使用真空热蒸发设备在膜上镀铝(Al)电极层,形成Al/a-C:Fe/Al结构的器件.该器件在±5 V测试电压范围内显示出可逆电致电阻效应,具有较好的开关电压、开关比等参数,可用作电阻型随机存储器.     

截断和随机乘积的渐近性质

对一列独立同分布平方可积的随机变量序列{Xn,n≥1},当随机变量的分布具有中尾分布时,讨论了其截断和Tn(a)的随机乘积的渐近正态性质,其中Tn(a)=Sn-Sn(a),n=1,2,…,Sn(a)=n∑ j=1 XjI{Mn-a＜Xj≤Mn},a为某一大于零的常数'Mn=max 1≤k≤n{Xk}.     

泰勒中值定理中值点的分析性质

讨论泰勒中值定理中中值点的连续性及可导性问题,给出泰勒中值定理中中值点连续及可导的充分条件,同时给出计算其导数的公式.     

微分中值定理中值点渐进性研究的新进展

对关于微分中值定理中值点的渐进性的有关结果作进一步推广,得到了一些更具有一般性的结果.     

关于平面图（3，1）＊-可选性的一个注记

给出了平面图的一个结构性定理,并证明了每个没有5-圈,相邻三角形,相邻四边形的平面图是（3,1）＊-可选色的．     

均匀分布位置参数的估计量的渐近分布及应用

对区间长度为定值均匀分布位置参数的点估计量进行了研究,得到位置参数点估计量的渐近分布.讨论了渐近分布的相关性质.给出了位置参数的区间估计及其假设检验方法.