有损耗波导中非线性TE波的数值模拟

本文发展了一种以有限元技术为基础的数值方法,用它分析有损耗波导中的非线性TE模。在这种方法中,非线性有损耗波导中TE波与功率有关的复传播常数和局城电场分布,可从这种波导直接得到,没有任何近似。作为这种方法的应用,计算了非线性有损耗波导系统中TE0模的功率色散关系和电场分布。     

用2D NMR研究凯林内酯酰化物的相对构型

用2D NMR对钙离子拮抗活性成分Pd-Ia的结构进行了深入研究,确切归属了全部碳氢信号,纠正了文献中甲基信号归属的错误。并以此为参考,指定了这类化合物母核碳信号的归属,从而修正了文献中用角甲基碳化学位移值之差决定其C-3'和C-4'相对构型的有关内容,发现在顺式构型中,连接在C-2'的两个角甲基碳化学位移差值大于或等于2ppm,而在反式构型中,这个差值小于或等于2ppm,且△(δC-3'trans-δC-3'cis)>1ppm。     

合金元素韧化或脆化FeAl金属间化合物的微观机制

通过测量二元FeAl以及含B，Zr或Si的FeAl合金的正电子寿命谱参数，计算合金基体和缺陷处的价电子密度.结果表明，当Al原子和Fe原子结合形成FeAl合金时，Al原子提供价电子与Fe原子的3d电子形成局域的共价键.FeAl合金基体的价电子密度很低，FeAl合金中金属键和共价键共存.FeAl合金晶界缺陷的开空间大于Fe空位或Al空位的开空间，FeAl合金晶界处的金属键合力很弱.在FeAl合金中加入少量的B，一部分B原子以间隙方式固溶到FeAl基体中，增加基体的价电子密度；另一部分B原子偏聚到FeAl合金的晶界上，也增加了晶界处的价电子密度.在FeAl合金中加入Zr，增加了合金中的金属键成分，使基体中的价电子密度增加，增强了基体中金属键合力.Zr原子的加入还降低了FeAl合金的有序度，使合金晶界容易弛豫，晶界缺陷的开空间变小.Zr原子在晶界附近出现，还增加了晶界处的价电子密度.在FeAl中加入B或Zr有利于提高合金的韧性.在FeAl合金中加入Si，晶界处的Si原子与邻近的原子形成强的共价键，使得在晶界处参与形成金属键的价电子密度降低.在FeAl中加入Si使合金更脆. 关键词：     

微衍射及其图像分析

本文介绍了该项目研究背景、研究工作的基本思路，研究工作的创新之处及研究结果的科学意义及应用前景．     

实空间高分辨象模拟计算中的动态收敛判据

给出实空间多片层(RSMS)法的动态收敛判据(RSMSD法),利用与晶体结构有关的截断条件,动态地确定了每两片层间传播因子的展开级数,完全克服了RSMS法固有的发散问题。RSMSD法的计算结果与快速傅里叶变换多片层(FFTMS)法的相应结果符合很好,这说明动态收敛判据是正确、有效的。 关键词：     

基于磺酰基杯[4]芳烃的Co16笼簇的合成、结构及电化学性质

以氯化钴、 对叔丁基磺酰杯[4]芳烃(H₄TC4A-SO₂)和非对称性3-(1H-四唑-5-基)苯甲酸(H₂L)为原料, 通过溶剂热法合成了一个具有四面体配位笼结构的16核化合物[Co₁₆(TC4A-SO₂)₄(OH)₄(L)₈]·[(C₈H₂₀N)(C₄H₁₂N)₂(C₂H₈N)]·solvent(Co₁₆-TC4A-SO₂). 采用X射线单晶衍射、 X射线粉末衍射、 热重分析、 红外光谱方法对配合物进行了表征. 将Co₁₆-TC4A-SO₂笼簇直接负载到碳纸上(Co₁₆-TC4A-SO₂/CP)用作工作电极, 其对析氧反应(OER)展现出较好的催化性能. 在1 mol/L KOH中, Co₁₆-TC4A-SO₂/CP在343.8 mV的过电位下达到10.0 mA/cm ²电流密度, Tafel斜率为79.31 mV/dec, 并且在20.0 mA/cm ²电流密度下表现出长达48 h的催化稳定性.     

ICF靶用微球弹跳的影响因素分析

 通过对微球弹跳模型的建立,对微球弹跳过程进行了受力分析,解释了微球弹跳过程中遇到的微球粘连或“不跳”、弹跳率起伏不定及弹跳幅度高低不同等现象。通过对加载信号方向与大小、微球质量及尺寸大小、微球及反弹盘表面特性、环境湿度等影响微球弹跳效果因素的分析,提出了改善涂层表面粗糙度和弹跳效果的措施,包括根据微球大小调整微球弹跳激励方式、等离子体中和微球表面电荷、反弹盘表面改性减小球盘之间的相互作用力。     

TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAIN膜层的影响

利用电弧离子镀，在不锈钢和SiCp增强2024铝基复合材料基底上沉积TiAIN薄膜。结果表明：TiAIN膜层直接沉积在不锈钢基底上，膜层呈[111]择优取向；然而，TiAIN膜层沉积在不锈钢基底的TiAl过渡层上，膜层呈[220]方向择优取向；并且随着过渡层从零开始增厚，TiAIN膜层的织构系数T(111)逐渐减小，而T(200)逐渐增大，但膜层一直以[220]方向择优取向，内应力的存在可能是膜层产生[220]方向择优取向的原因。在复合材料基底TiAl过渡层上沉积，随着负脉冲偏压的增加，TiAIN膜层的择优取向由[111]向[200]转变。在不锈钢基底上，没有TiAl过渡层时，膜层表面相对光滑，大颗粒较少；有了TiAl过渡层，表面大颗粒较多；TiAl过渡层不同沉积时间对膜层表面影响不大，颗粒尺寸相差无几。没有TiAl过渡层时，膜层结合强度很差，有了TiAl过渡层，结合强度明显增加，但结合强度的大小随过渡层沉积时间(厚度)变化。     

固溶体Ce0.8Pr0.2O2-δ的合成及性质研究

利用溶胶-凝胶方法合成了Ce0.8Pr0.2O2-δ固溶体, XRD结果表明,经200 ℃焙烧就已经形成立方萤石结构固溶体,晶粒尺寸为8.1 nm, 随焙烧温度的升高,晶粒尺寸增大. X射线光电子能谱(XPS)结果表明,样品中存在氧离子缺位,铈离子主要为Ce4 离子,镨离子以混合价态Pr3 和Pr4 存在. 固溶体Ce0.8Pr0.2O2-δ的拉曼谱(Raman)观察到4个峰,458和1140 cm-1峰为特征F2g振动谱带,较宽的570和187 cm-1峰对应氧离子缺位及引起的不对称振动. 交流阻抗谱表明固溶体Ce0.8Pr0.2O2-δ在600 ℃时的电导率为1.44×10-3 S·cm-1, 活化能为Ea=0.67 eV (650～800 ℃), Ea=0.91 eV (400～600 ℃).