某些二烃基锡(Ⅳ)衍生物的穆斯堡尔谱和配位结构

合成了五个新的(β-甲氧羰基乙基)锡的衍生物,它们是R_2Sn(acac)_2(R=CH_3CCOCH_2CH_2),R_2Sn(dbm)_2,R_2SnO,R_2~1Sn(dbm)_2,[R~1=CH_3OCOCH(CH_3)CH_2]和R_2~1SnO。测定了这些化合物的~1H NMR,IR和穆斯堡尔谱数据。比较了这些化合物与R_2SnCl_2,R_2~1SnCl_2,(C_8H_(17))_2SnCl_2和(C_8H_(17))_2Sn(OCOC_(11)H_(23))_2的有关结构数据。     

脱水KFI沸石中钾离子分布的模拟退火研究

基于四个固定的参量设值：阳离子位能差E_M2-E_M1=25.50 kJ/mol、 E_M3-E_M1=-10.73 kJ/mol和最近邻阳离子对互作用能W₁₂=45.6 kJ/mol、 W₁₄=0.56 kJ/mol以及一个温度依赖的参量E_M4-E<     

相干光在嵌有随机粉粒和麻坑的表面上的主反射场

运用“随机随机游动”模型导出了相干光波射在嵌有随机粉粒和麻坑的表面(表面本身也有随机起伏)上时,其主反射场的期望值的表达式,并以正态分布为例作了计算。 关键词：     

用Monte-Carlo方法研究八面沸石的脱铝过程

八面沸石中的骨架铝可按其环境次邻位上出现的铝数分为4类。环境无次邻铝的铝离子形成分子筛的强酸中心;周围有1至3个次邻铝的铝离子形成的酸中心酸性较弱,与前者相比易于从骨架上解脱。基于一级动力学近似,用Monte-Carlo方法模拟八面沸石脱铝过程,得到4种类型铝离子的数目随硅铝比改变而演化的规律。预计硅铝比在6.68附近,脱铝八面沸石中的强酸中心数目达到极大值;如果强、弱酸中心铝离子的解脱速率差别较大,则脱铝八面沸石中强酸中心浓度较高。 关键词：     

我国近年来光散射研究的进展

本文介绍了近两年来我国在用拉曼散射和布里渊散时研究介电晶体、半导体、金属及半导体超晶格、高温超导体和磁性物质等方面的进展，以及表面增强拉曼和受激光散射研究的情况．     

LiNbO3:Fe晶体的光折变对喇曼光谱的影响

我们观察到了LiNbO₃:Fe晶体中某些几何配置下十分异常的喇曼光谱现象。这一现象是与该晶体光折变后出现的异常光散射现象相联系的。 关键词：     

问题三则──(美)研究生试题

1.水平面上停放着一辆小车,车上站着10个质量相同的人,每人都以相同的方式,消耗同样的体力,从车后水平地跳出。设人消耗的体力全部变成车与人的动能,整个过程可略去一切阻力。为了使小车得到最大的动能,车上的人应一个一个地住后跳呢,还是10个人同时往后跳?或是别的合适的方式?为什么? 2.一个质量均匀分布的薄圆盘,平放在水平面上,盘与水平面的摩擦系数为P,在t=0时,盘以v0的速度向前平动,同时又以w0的角速度绕过质心的垂轴转动(如图)。向此后圆盘的质心是沿v0方向减速前进呢?还是向上或向右偏转?为什么? 3.一个冰车在水平的冰面 上以v0速度…     

O,O-二甲基二硫代磷酸旋转异构体的红外光谱研究

我们曾经相继报导了(RO)_2P(S)SH类型化合物的R=Et,i-P_r两种化合物的旋转异构现象的红外及拉曼光谱的研究结果,本文将继续报导同系物R=Me的FT-IR研究结果。标题化合物按文献方法制备及提纯处理。样品的常温及低温光谱是在Nicofet5DX型FT-IR光谱仪上记录的,使用液氮作低温冷却剂。在不同温度下记录的P=S伸展振动带用计算机程序进行分峰处理,结果表明,P=S谱带仍由4个不同频率组成,这四个频率依次为671,661,655和649cm~(-1),它们对应于四个构象不同的旋转异构体。我们得到的结果是,第一,在室温到-80℃范围内,这四个异构体的P=S谱带的相对面积(S%)与温度之间的关系表明,异构体(1)与(2),(3)与(4)之间分别存在着对应相互转化关系,即异构体(1)的含量减少时,(2)便相应增加,反之亦然。(3)与(4)之间也有类似的现象。第二,O~-—R~-基的局部偶极场对P=S键的作用是一种引力场,因此构象(1)对应于四个频率中最高的671cm~(-1)带,构象(4)则对应于最低的频率649cm~(-1)。第三,由于存在S—H……S=P内氢键,因此S—H基的空间取向一旦形成,便不易改变,只有—OR基可绕O—P键旋转,所以存在异构体(1)与(2),(3)与(4)之间的相互转化关系。     

LiNbO_3:Fe晶体的光折变对喇曼光谱的影响(Ⅱ)

继文献[1]之后,我们又研究了掺Fe浓度为0.07％的LiNbO_3:Fe晶体的光折变对喇曼光谱的影响。发现在x(zx)z和y(zy)z配置下出现异常。这可以由异常声子的极化电场与光折变在晶体中形成的强空间电荷场的相互作用来解释。     

金属-半导体界面与肖特基势垒

本文主要评述关于肖特基势垒、半导体表面态和金属-半导体界面的实验研究和近年来的进展。第一部分介绍肖特基势垒的基本理论,实验方法和测量结果。第二部分介绍半导体表面态的实验研究,主要是用光电子能谱获得的成果。第三部分介绍近年来关于肖特基势垒和金属-半导体界面的一些研究进展。文中着重介绍美Stanford大学Spicer研究组的一系列贡献。