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11.
12.
以Nd:MgO:LiNbO_3同时兼作激活介质和非线性光学材料,研究自倍频激光器。用小型氙灯泵浦,在室温下获得二次谐波激光(0.547μm) 阈值小于4.8'J,最大输出400μJ/shot,工作温度范围大于20℃~45℃,无光损伤。 相似文献
13.
微微秒自动调谐参量激光的研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用一对MgO:LiNbO_3角度调谐覆盖了红近外波段0.7~2.2μm,并配以自动波长扫描。文中分析了影响脉冲宽度与线宽的因素,与实验结果相吻合。脉宽<30ps,线宽~1nm(简并波长附近~10nm),单脉冲峰功率达MW级,参量光总能量转换效率达5.4%。 相似文献
14.
FIXEDPOINTSANDCOUPLEDFIXEDPOINTSFORINCREASINGOPERATORSWITHAPPLICMIONSTODIFFERENTIALINCLUSIONSINBANACHSPACESZHANGSHISHENGANDHU... 相似文献
15.
单晶光纤损耗谱测量装置 总被引:4,自引:1,他引:3
本文描述了一套用以测量单晶光纤损耗谱的装置。本装置由卤钨灯,单色仪,积分球,AgORbCs光电倍增管以及数据采集,处理和控制系统组成。可测量300~1150nm的光谱范围。利用本装置可获得单晶光纤的吸收光谱,透过率谱,散射光谱以及散射位置谱。 相似文献
16.
利用CARS方法研究超短脉冲激光的脉冲宽度 总被引:1,自引:1,他引:0
在理论上提出了利用两光束CARS/CSRS方法测量超短脉冲激光的三阶相关函数。实验上在几种样品中测量了CARS/CSRS的时间特性,得到了泵浦光脉冲,SCDL输出光脉冲以及受激喇曼散射光脉冲的宽度。 相似文献
17.
将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好. 相似文献
18.
19.
ZONG Hong-Shi SUN Wei-Min 《理论物理通讯》2006,46(11)
By differentiating the inverse dressed quark propagator at finite chemical potential μ with respect to μ, the linear response of the dressed quark propagator to the chemical potential can be obtained. From this we extract a modelindependent formula for the linear chemical potential dependence of the in-medium two-quark condensate and show by two independent methods (explicit calculation and Lorentz covariance arguments) that the first-order contribution in μto the in-medium two-quark condensate vanishes identically. Therefore if one wants to study the in-medium two-quark condensate one should expand to at least the second order in the chemical potential μ. 相似文献
20.
计算全息图产生的锥面波在激光准直中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了用计算全息图产生锥面波的方法.将全息图置于激光光路中,它的衍射图样中心在空间形成了一条准直线.文中对锥面波的传播、准直精度及准直距离作了理论分析,给出了实验结果. 相似文献