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991.
992.
设M为n维复流形,F为M上的强拟凸的复Finsler度量,M是M的m维复子流形,F是F在M上诱导的复Finsler度量,D为(M,F)上的复Rund联络.本文证明了(1)(M,F)上的诱导复线性联络△↓的全纯曲率与(M,F)上的复Rund联络△↓^*的全纯曲率相同;(2)联络△↓^*的全纯曲率不超过联络D的全纯曲率;(3)(M,F)是(M,F)的全测地复Finsler子流形的充分必要条件是(M,F)的第2基本形式B(.,.)的适当形式的缩并为零,即B(x,l)=0.本文的证明主要利用复Finsler子流形(M,F)的Gauss,Codazzi和Ricci方程. 相似文献
993.
采用ZnO:Ga2O3:TiO2为靶材,在玻璃衬底上射频磁控溅射制备了多晶Ga-Ti共掺杂ZnO(GTZO)薄膜,通过XRD、四探针、透射光谱测试研究了生长温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度.当生长温度为620K时GTZO薄膜的结晶质量最佳、电阻率最低、透射率最大、品质因数最高. 相似文献
994.
ZHONG Zhi-Rong SU Wan-Jun 《理论物理通讯》2008,49(1):221-224
A scheme is presented to generate even-photon state based on resonant interaction between ladder-type three-level atoms with a single-mode field. In the scheme, a sequence of suitably prepared ladder-type three-level atoms are orderly sent through a single-mode cavity initiaJly in vacuum state. The detection of a J1 the atoms in the ground states collapses the cavity to the desired state. The scheme is based on the resonant interaction of atoms with the cavity, and thus the required interaction time can be greatly shortened. This is important in view of decoherence. 相似文献
995.
不同氧压下脉冲激光沉积LiCoO2薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
使用脉冲激光沉积(PLD)法,在不同的氧压下制备了锂离子二次电池正极材料LiCoO2的薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等分析测试方法,对沉积的薄膜进行了晶体结构和表面形貌的分析.结果显示,氧压达到正常标准时(加Pa),LiCoO:薄膜具有明显的c轴择优取向,同时薄膜的晶粒尺寸更为均匀,表面更为光滑.而氧压较低(1 Pa)时,薄膜表现为随机取向.这些结果表明,PLD方法制备LiCoO2薄膜时应该充分考虑腔体气压对等离子体的散射作用以提高薄膜表面的质量. 相似文献
996.
医用高分子材料表面的润滑改性进展 总被引:4,自引:0,他引:4
综述了医用高分子材料表面的润滑改性方法,对影响表面润滑性的因素进行了讨论,简述了材料表面润滑性的测定方法,润滑机理及润滑表面的形态,概述了表面润滑的医用高分子材料在临床中的应用。 相似文献
997.
利用艾奇逊炉分别在3 000 ℃和2 800 ℃下进行碳纳米管的提纯实验。利用ICP、EDS、TGA检测了提纯碳纳米管的主要催化金属含量、灼烧残余物含量;用四探针薄膜电阻仪检测其电阻率;利用SEM、XRD、FT-IR研究了不同温度提纯碳纳米管的组织结构变化和表面特点。研究结果表明,艾奇逊炉在不同温度下提纯的碳纳米管都可以有效降低碳纳米管粉体中的催化金属含量和灼烧残余物含量,满足动力电池导电剂要求。与原生碳纳米管比较,3 000 ℃提纯的碳纳米管的电阻率显著下降,石墨晶化程度提高;而2 800 ℃提纯的碳纳米管的电阻率略有提高,石墨晶化程度变化不大,表面官能团数量减少。 相似文献
999.
获得热传导问题“拟解析解”的精细积分算法 总被引:8,自引:1,他引:8
研究并讨论了用于热传导分析有限元解的精细积分算法,算法很好地克服了传统方法求解时的单调性问题,且对空间离散后所获得方程的解是解析的,因而算法的解将具有“拟解析解”的意义,论文证明了算法单调性. 相似文献
1000.
采用第一性原理计算方法,对本征Mn4Si7以及P和As掺杂的Mn4Si7的电子结构和光学性质进行计算解析。计算结果表明本征Mn4Si7是带隙值为0.810 eV的间接带隙半导体材料,P掺杂Mn4Si7的带隙值增大为0.839 eV,As掺杂Mn4Si7的带隙值减小为0.752 eV。掺杂使得Mn4Si7的能带结构和态密度向低能方向移动,同时使得介电函数的实数部分在低能区明显增大,虚数部分几乎全部区域增加且8 eV以后趋向于零。此外掺杂还增加了高能区的消光系数、吸收系数、反射系数以及光电导率,明显改善了Mn4Si7的光学性质。 相似文献