全文获取类型
收费全文 | 59232篇 |
免费 | 10645篇 |
国内免费 | 9428篇 |
专业分类
化学 | 44787篇 |
晶体学 | 984篇 |
力学 | 3480篇 |
综合类 | 680篇 |
数学 | 6838篇 |
物理学 | 22536篇 |
出版年
2024年 | 125篇 |
2023年 | 1029篇 |
2022年 | 1596篇 |
2021年 | 2061篇 |
2020年 | 2357篇 |
2019年 | 2489篇 |
2018年 | 2094篇 |
2017年 | 2175篇 |
2016年 | 2835篇 |
2015年 | 3020篇 |
2014年 | 3774篇 |
2013年 | 4738篇 |
2012年 | 5601篇 |
2011年 | 5815篇 |
2010年 | 4387篇 |
2009年 | 4356篇 |
2008年 | 4694篇 |
2007年 | 4061篇 |
2006年 | 3826篇 |
2005年 | 3048篇 |
2004年 | 2275篇 |
2003年 | 1872篇 |
2002年 | 1821篇 |
2001年 | 1519篇 |
2000年 | 1289篇 |
1999年 | 1080篇 |
1998年 | 781篇 |
1997年 | 707篇 |
1996年 | 609篇 |
1995年 | 532篇 |
1994年 | 514篇 |
1993年 | 384篇 |
1992年 | 310篇 |
1991年 | 274篇 |
1990年 | 256篇 |
1989年 | 174篇 |
1988年 | 152篇 |
1987年 | 112篇 |
1986年 | 128篇 |
1985年 | 96篇 |
1984年 | 41篇 |
1983年 | 46篇 |
1982年 | 31篇 |
1981年 | 20篇 |
1980年 | 15篇 |
1979年 | 27篇 |
1977年 | 13篇 |
1957年 | 12篇 |
1936年 | 9篇 |
1925年 | 10篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
以MgO:LiNbO3为非线性光学介质,通过采用一种高性能腔反射镜实现了一种85mm短腔长的法布里-珀罗式的光学参量振荡器,产生THz电磁波的实验结果.这种短腔长THz参量振荡器比传统的160mm腔长的振荡阈值降低了22.3%;峰值能量提高了170%;频率调谐范围从0.5—2.4THz提高到0.8—3.1THz.还报道了一种基于平面金属丝网的法布里-珀罗干涉仪测量THz波线宽的实验结果.
关键词:
THz电磁波
OPO
非线性光学
3')" href="#">LiNbO3 相似文献
73.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
74.
采用化学自燃烧法制备了不同Ag+掺杂浓度的Y2O3:Eu纳米晶体粉末样品([Y3+]∶[Eu3+]∶[Ag+]=99∶1∶X,X=0—3.5×10-2),以及通过退火处理得到了相应的体材料.根据X射线衍射谱确定所得纳米和体材料样品均为纯立方相.实验表明在纳米尺寸样品中随着Ag离子浓度的增加,荧光发射强度随之增加,当X=2×10-2时达到最大值,其发光强度比X=0时提高了近50%.当Ag离子浓度继续增加,样品发光强度保持不变.在相应的体材料样品中则没有观察到此现象.通过对各样品的发射光谱,激发光谱,X射线衍射图谱,透射电镜(TEM)照片和荧光衰减曲线的研究,分析了引起纳米样品荧光强度变化的原因是由于Ag离子与表面悬键氧结合,从而使这一无辐射通道阻断,使发光中心Eu3+的量子效率提高;Ag+的引入所带来的另一个效应是使激发更为有效.这两方面原因使发光效率得到了提高. 相似文献
75.
采用密度泛函方法(B3P86)对 Fe_2分子结构进行了优化.计算结果中未观察到自旋污染,基态波函数与高态波函数并未混杂,结果表明,Fe_2中有8个未配对电子,这些电子空间分布不同和自旋平行产生的自旋极化效应,使 Fe_2能量最低.计算结果表明,Fe_2分子的基态是~9∑_g~ ,并非~7Δ_u,进而表明 Fe_2的自旋平行效应比电子自旋配对效应要强.计算得到该分子基态的二阶、三阶和四阶力常数分别为1.4115×10~(-2)aJ/nm~2、-37.1751×10~3aJ/nm~3和 98.7596×10~4aJ/nm~4;光谱数据ω_eχ_e、B_e、α_e分别为0.3522、0.0345、 0.4963×10~(-4)cm~(-1);离解能为3.5522eV,平衡键长为0.2137nm,振动频率为292.914cm~(-1);并得到了 Murrel-Sorbie 函数. 相似文献
76.
77.
Wei Gengping~ Shen Jianhua~ 《高校应用数学学报(英文版)》2006,21(3):320-326
This paper studies the nonautonomous nonlinear system of difference equationsΔx(n)=A(n)x(n)+f(n,x(n)),n∈Z,(*) where x(n)∈R~N,A(n)=(a_(ij)(n))N×N is an N×N matrix,with a-(ij)∈C(R,R) for i,j= 1,2,3,...,N,and f=(f_1,f_2,...,f_N)~T∈C(R×R~N,R~N),satisfying A(t+ω)=A(t),f(t+ω,z)=f(t,z) for any t∈R,(t,z)∈R×R~N andωis a positive integer.Sufficient conditions for the existence ofω-periodic solutions to equations (*) are obtained. 相似文献
78.
79.
80.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献