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111.
王益军  李小俊 《大学物理》2006,25(12):49-50
介绍了一种新型的磁光测试装置.根据法拉第磁致旋光效应,使用永磁片代替以往通电螺线圈产生磁场,不会产生热量,可以消除热效应对磁光介质费尔德常量的影响.通过实验测出这种磁场的分布特点,给出该装置的调节方法,并测出292 K温度下LaK2,LaK3,Tb20,Tb25,ZF6玻璃的费尔德常量.本实验为地磁成像技术提供了实验数据,并推动了该研究的进展.  相似文献   
112.
气相爆轰波在分叉管中传播现象的数值研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
数值研究气相爆轰波在分叉管中的传播现象.用二阶附加半隐龙格-库塔法和5阶WENO格式求解二维欧拉方程,用基元反应描述爆轰化学反应过程,得到了密度、压力、温度、典型组元质量分数场及数值胞格结构和爆轰波平均速度.结果表明:气相爆轰波在分叉管中传播,分叉口左尖点的稀疏波导致诱导激波后压力、温度急剧下降,诱导激波和化学反应区分离,爆轰波衰减为爆燃波(即爆轰熄灭).分离后的诱导激波在垂直支管右壁面反射,并导致二次起爆.畸变的诱导激波在水平和垂直支管中均发生马赫反射.分叉口上游均匀胞格区和分叉口附近大胞格区的边界不是直线,其起点通常位于分叉口左尖点上游或恰在左尖点.水平支管中马赫反射三波点迹线始于右尖点下游.分叉口左尖点附近的流场中出现了复杂的旋涡结构、未反应区及激波与旋涡作用.旋涡加速了未反应区的化学反应速率.反射激波与旋涡作用并使旋涡破碎.反射激波与未反应区作用,加速其反应消耗,并形成一个内嵌的射流.数值计算得到的波系演变和胞格结构与实验定性一致.  相似文献   
113.
径向剪切干涉法综合诊断光束质量研究   总被引:3,自引:1,他引:3       下载免费PDF全文
 为了解决高功率激光装置光束质量诊断系统的自验证问题,研究了基于空间相位调制的径向剪切干涉法综合诊断光束质量的实验应用。该方法理论上只需一台干涉仪且从单幅干涉图中获取光束的近场、相位和远场分布信息。实验结果表明,目前可以得到高分辨率的相位分布,由测量近场和相位恢复出的远场同CCD直接测量得到的远场形态相同,环围能量比曲线相当吻合,不足之处在于只能提取近场较低空间频率成分,还达不到CCD直接测量的空间分辨水平。  相似文献   
114.
Fe对掺钕磷酸盐激光玻璃激光性能的影响   总被引:2,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
 在理论分析的基础上,具体讨论了Fe质量分数小于10-4对1 053 nm处光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁几率的影响规律,发现Fe在1 053 nm处的光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁能量转移都与Fe质量分数成平方关系增长, Fe对1 053 nm光吸收的影响较大而Fe与Nd3+之间的能量转移不足50 Hz。这对生产过程中Fe含量的控制有重要指导意义。  相似文献   
115.
溅射功率对直流磁控溅射Ti膜结构的影响   总被引:3,自引:2,他引:3  
 采用直流磁控溅射方法制备了纯Ti膜,研究了不同功率下Ti膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其应力进行了研究。研究表明:薄膜的沉积速率随溅射功率的增加而增加,当溅射功率为20 W时,原子力显微镜(AFM)图像显示Ti膜光洁、致密,均方根粗糙度最小可达0.9 nm。X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的晶体结构为六方晶型,Ti膜应力先随溅射功率增大而增大,在60 W时达到最大值(为945.1 MPa),之后随溅射功率的增大有所减小。  相似文献   
116.
“阳”加速器钼丝X-pinch初步实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 在“阳”加速器上进行了直径分别为10, 15, 20 μm, 交叉角为32°,45°,60°的钼(Mo)丝X-pinch实验。“阳”加速器产生的电流峰值约520 kA,上升时间80 ns。实验中通过X射线功率谱仪和纳秒分幅相机等仪器对Mo丝X-pinch辐射特性进行了诊断。实验表明:Mo丝X-pinch过程中会出现多次X射线爆发,箍缩过程中产生的热点辐射出能量超过3 keV的X射线,探测到的最小热点直径小于30 μm。  相似文献   
117.
高能X光照相CCD成像系统的模糊效应   总被引:1,自引:2,他引:1       下载免费PDF全文
许海波 《强激光与粒子束》2006,18(10):1717-1720
 指出了景深、可见光衍射、辐射输运是CCD图像接收系统模糊效应的3个影响因素。用MCNP方法研究了转换屏内的辐射输运,给出了不同入射光子能谱和转换屏厚度下转换屏内能量沉积随半径的变化关系。结果表明:能量沉积随转换屏厚度的增加而线性增加;辐射输运引起的模糊与光子能谱有关,但硬化谱引起的模糊随转换屏厚度的变化小于非硬化谱;转换屏内的辐射输运是CCD图像接收系统模糊效应的主要影响因素;辐射输运引起的模糊和高斯模糊是不同的。  相似文献   
118.
微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特件,这正是纳米科技发展的基础之一。要想探索在纳米尺度下材料物埋性质的变化规律及可能的应用领域,离不开相应的技术手段,微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一,是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础。本文根据几个不同的应用领域,介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用。  相似文献   
119.
徐济安  谢鸿森  侯渭 《物理》2006,35(7):579-584
使用宝石级碳化硅晶体作为压砧材料,成功研制出了碳化硅压腔(MAC),并应用全景式MAC进行了高压下物质的中子衍射实验研究。结果表明,MAC是一种既能产生高的压力又具有大的高压样品室的装置,特别适合于高压下的中子衍射研究。  相似文献   
120.
徐立海 《物理实验》2006,26(2):27-29
借助Ux-Rap图像分析得出滑动变阻器的选取原则:控制电路采用限流接法时,要求滑动变阻器的最大阻值与被测电阻的阻值接近,即接近为原则;控制电路采用分压式接法时,滑动变阻器的最大阻值应远小于被测电阻的阻值,故在分压接法中,应选择阻值较小而额定电流较大的滑动变阻器.  相似文献   
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