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102.
We perform the ab initio calculation for obtaining the density of states and magnetic properties of ZrFe2 Laves phase compound based on the method of augmented plane waves plus local orbital The results indicate that the ferromagnetic state is more stable than the paramagnetic one, but with a slightly larger volume. The 3d - 4d exchange interactions between Fe and Zr electrons lead to the antiparallel coupling for Fe 3d and Zr 4d states, which is responsible for the ferrimagnetic ordering of the compound. The resulting magnetic moment of about 1.98μB for Fe is spatially localized near the Fe site, while around Zr a small but extended negative spin states causes a moment of about -0.44 μB. Moreover, the resulting magnetic moments with the generalized gradient approximation are more consistent with experimental values than that of the local-spin density approximation. 相似文献
103.
Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time 下载免费PDF全文
Semi-insulating (SI) GaN is grown using N2 as the nucleation layer (NL) carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared. 相似文献
104.
105.
应用 δ2 —加速技巧 ,对 Broyden的计算格式作了修正 .提出了一种新的修正的计算格式 ,给出了计算的步骤及数值例子 . 相似文献
106.
107.
具有可选服务的M/M/l排队模型的豫解集 总被引:1,自引:0,他引:1
邢喜民 《新疆大学学报(理工版)》2008,25(4)
运用线性算子及其共轭算子的谱之间的关系,研究具有可选服务的M/M/1排队模型主算子的豫解集,并得到在虚轴上除了零外其它所有点都属于该算子的豫解集. 相似文献
108.
本文修改了Landshoff-Nachtmann的软玻密子(Pomeron P)场论模型.从强子组分夸克具有结构的观点出发,根据高能强作用软过程中的最大非微扰强作用反应假定,提出了有关软P新的结构图像.对撞强子中的一对组分夸克被分解为裸夸克和一系列非微扰胶子(和夸克对).与此相应,软P的结构是由胶子形成的一系列切割梯形图之和所代表.在系统能量s很大而动量转移|t|很小的多重雷吉(Regge)运动学区间,并在保留lns的领头阶近似下,计算了这组切割梯形图之和所对应的散射振幅和总截面.它们的表达式出现了对s的Regge型幂次因子,得出了软P轨迹的简洁表达式.简单说明了按本文提出的方案可以讨论那些相关的强作用过程. 相似文献
109.
110.
利用~1H NMR、紫外吸收光谱和荧光光谱等方法考察了七元瓜环(Q[7])对2'-羟基查尔酮(CET)的包结作用.结果表明,Q[7]与CET形成了摩尔比为1∶1的包结配合物,紫外吸收光谱和荧光光谱测得的结合稳定常数分别为1.0248×10~6和1.253×10~6.相溶解度法研究结果表明,当Q[7]的浓度为1×10~(-3)mol/L时,可使CET在水中的溶解度增加52倍.紫外吸收光谱随时间变化的研究结果表明,Q[7]使CET的稳定性增加3.5倍.采用体外抗氧化活性测定(ABTS法)考察了Q[7]对CET抗氧化活性的影响,发现CET@Q[7]包结配合物以及游离CET均对ABTS自由基有较好的清除作用.IC50值分别为3.4×10~(-5)和2.4×10~(-5)mol/L,表明Q[7]不仅能增加CET的溶解性和稳定性,同时对CET抗氧化活性的影响不大. 相似文献