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951.
测量了77K温度下不同基体材料和不同芯数带材的临界电流和交流损耗.分析了弯曲应变对它们的影响.结果表明单芯样品的不可逆应变小于0.15%,而多芯样品的不可逆应变在01%到03%之间,多芯导体的机械性能比单芯导体的好,增加芯数可以提高机械性能,金属包套材料对超导芯起到了增强的作用,它防止了超导芯中裂纹的进一步传播.自场损耗随外加应变的增加而增加,这种大幅度的增加与应变使带材的临界电流急剧减小直接相关
关键词:
高温超导体
临界电流
交流损耗 相似文献
952.
建立了在单层有机发光二极管中电场强度不太大(E≤104Vcm)的情况下,载流子注入、传输和复合的理论模型.通过求解非线性Painleve方程得出了电场强度随坐标变化的解析函数关系式以及电流密度随电压变化关系,给出了电流密度以及器件的复合效率在不同的载流子迁移率情况下随电压变化关系图像.结果表明,复合效率受载流子迁移率影响较大,在器件中多数载流子应具有较低的迁移率,而少数载流子应具有较高的迁移率,这样有利于载流子的注入和传输,从而可提高发光效率.并且得出当空穴迁移率大于电子迁移率时,复合区域偏向阴极,反之亦
关键词:
单层有机发光二极管
复合效率
迁移率 相似文献
953.
954.
长期以来电磁生物效应受到人们普遍关注,近年来从各个角度进行了相关研究。电磁-温度协同效应是当前的热点。本研究通过电磁场及温度协同对蛋白质影响的研究,发现蛋白质在电磁场作用下的不可逆变性,而且这种变性也遵循Arrhenius规律,并进一步得出电磁-温度协同作用的蛋白质变性模型。本文从分子反应动力学的角度解释了电磁-温度协同效应,并对非热效应作了一定的探讨。 相似文献
955.
956.
X.S. Zhou C. Zhao R. Hou J. Zhang K.J. Kirk D. Hutson Y.J. Guo P.A. Hu S.M. Peng X.T. Zu Y.Q. Fu 《Ultrasonics》2014
Nanocrystalline ZnO films with both C-axis vertical grown and inclined angled grown were sputter-deposited onto aluminium foils (50 μm thick) and characterised for using as flexible ultrasonic transducers. As-deposited C-axis grown ZnO films were annealed at different temperatures up to 600 °C to enhance film crystallinity and reduce film stress. The C-axis grown ZnO film on the Al foil were bonded onto steel plates, and the pulse-echo tests verified a good performance (with dominant longitudinal waves) of the ultrasonic transducers made from both as-deposited and post-annealed films. Inclined angled ZnO films on the Al foil glued onto steel plates generated mixed shear and longitudinal waves in the pulse-echo test. 相似文献
957.
采用Adler法合成了5-(4-氨基苯基)-10,15,20-三苯基卟啉铜配合物(CuAPTPP),通过甲苯二异氰酸酯(TDI)的桥联作用对TiO2微球进行表面修饰,使TDI分子中的两个活性TDI基团分别与TiO2表面的羟基和CuAPTPP的氨基反应,将CuAPTPP敏化剂分子以化学键合的方式固定在TiO2表面,形成光催化微球CuAPTPP-TDI-TiO2.通过FT-IR、XRD、SEM、EA、UV-Vis和DRS等测试手段对CuAPTPP-TDI-TiO2进行结构表征.讨论了桥联分子TDI修饰量对光催化微球性能的影响,确定了TDI与TiO2的最佳摩尔比.以亚甲基蓝(MB)为降解对象,考察了CuAPTPP-TDI-TiO2微球的可见光催化性能.结果表明,桥联分子TDI在CuAPTPP与TiO2微球表面形成了牢固的化学键,复合微球在150 W氙灯辐照下降解10 mg/LMB溶液,120 min降解率可达98.7%,其降解率过程服从一级动力学规律,测得降解速率常数为5.1×10-2 min-1,半衰期为11.3 min.催化微球在回收4次的条件下,对MB的降解率仍保持在90%以上. 相似文献
958.
本文研究AlN作为AlxGa1-xN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化, 考虑了AlxGa1-xN和AlN势垒层的自发极化、压电极化对AlxGa1-xN/AlN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG) 浓度的影响, 分析了AlN厚度与界面粗糙度散射和合金无序散射的关系; 结果表明, 2DEG 浓度、界面粗糙度散射和合金无序散射依赖于AlN层厚度, 插入一层1–3 nm薄的AlN层, 可以明显提高电子迁移率. 相似文献
959.
高能密度物理研究中涉及许多单次皮秒现象的诊断测量, 然而对单次X-ray脉冲形状、X-ray与激光脉冲的皮秒精度同步依然是极具挑战的课题. 传统行波选通分幅相机受电子渡越时间限制, 难以突破40 ps时间分辨极限. 本文围绕半导体中光学探针光的全光调制效应, 提出一种以低温GaAs材料为基础, 实现皮秒时间分辨X-ray探测的新方法, 详细阐述了该探测器的工作机理、器件参数设计和时间分辨能力. 通过飞秒激光打靶实验, 验证了其概念设计的正确性. 结果表明该探测器具有约1.5 ps时间响应和10 ps时间分辨能力, 通过材料优化可将时间分辨提升 至1 ps以内. 相似文献
960.