基于粒子滤波的运动目标光电定位仿真研究

运动目标的光电定位不能像静止目标那样简单做均值滤波,鉴于此,引入粒子滤波算法,它不仅可以应用于线性系统,而且还适用于非线性系统。结合光电定位需求,详细推导了计算公式及初值和参数选取公式,对只含测量噪声以及含有测量和运动噪声等的海面运动目标光电无源定位算法进行了仿真计算,验证了算法的有效性,讨论了噪声强度对滤波效果的影响,滤波参数选择对滤波效果的影响,目标运动方式对滤波跟随性的影响,重采样算法对滤波效果的影响等。所得结论为:粒子滤波可用于运动目标光电定位过程,可有效降低定位误差;粒子滤波算法具有较强鲁棒性,适用于噪声较大、目标运动形态变化大等情况。     

载机平台光电转塔目标定位的仿真算法

目标定位是光电转塔典型功能和任务之一,对其定位精度的考量也是转塔作战技术指标之一,针对该问题,从理论和仿真角度进行了分析。分析目标定位中用到的坐标系及其相互转换关系,给出光电转塔视轴反演、有源目标定位、无源目标定位的算法流程,通过仿真实验加以验证,考虑了定位过程中可能的随机误差来源,并分析是否采用均值滤波及其对定位结果的影响,最后通过Monte-Carlo分析计算了定位精度。分析结果表明:1）有源定位比无源定位的精度高,在仿真假设条件下,精度约提高1倍;2）均值滤波后,定位精度有较大提升（约提高15倍）;3）18 km距离时典型无源定位精度在80%置信度条件下约为39.4 m;4）统计直方图反映出80%置信度CEP半径及最大误差距离随载机位置、姿态、转塔视轴等（体现在目标载机距离上）不同参数的变化结果。     

基于像差特征分析的变焦光学系统装调

提出了一种基于像差特征分析的变焦系统共轴性装调方法。针对某型20倍变焦光学系统的装调,在分析变焦光学系统装调要求的基础上,通过采用光学定心加工技术,提高变焦系统各镜组内光学元件的同轴度;采用Zygo干涉仪,检测变焦系统在长短焦位置的像差特性分布;借助CodeV软件仿真计算各光学元件在系统中的公差灵敏度分布,并确定产生像差影响的敏感光学元件;在中心偏测量仪上,完成最终光学系统像质的调整。此外,还设计了一种变焦光学系统各动组间同轴度调试装置,对变焦相机主镜筒机械内孔轴线与直线导轨的平行性进行了精确测量,保证了动组组元光轴的同轴精度。装调结果表明:变焦系统成像质量有明显改善,像面一致性得到保证,长短焦轴上传递函数值分别优于技术要求值0.45和0.55,长短焦轴外0.7视场传递函数值优于0.25和0.35,实现了高精度装调,验证了该方法的可靠性。     

Upconversion Luminescence of Eu3 + in NaYbF4∶ Tm3 + , Eu3 +Nanocrystals Induced by 980 nm Excitation

利用水热法制备得到NaYbF4∶0.01％Tm3+,20％ Eu3+上转换材料,利用X射线衍射分析、扫描电子显微镜及光谱测试技术分别对其进行了结构、形貌以及光谱性质的表征.在980 nm近红外激光激发下,得到了Eu3+的可见到紫外范围的上转换荧光发射.分析表明:共掺杂NaYbF4纳米材料中Tm3+到Eu3+离子的能量传递对布居Eu3+离子的激发态能级,获得Eu3+的上转换发光起着至关重要的作用.另外,在实验中首次获得了Eu3+对应于3P0→7Fj(j=0,1,2)能级跃迁的上转换光发射.     

2,3,7-三羟基-9-水杨基荧光酮分光光度法测定铌钽矿中钽

铌钽矿石经碱熔融预处理后,甲基异丁基酮分离钽,以酒石酸作为辅助络合剂,在表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵存在下,2,3,7-三羟基-9-水杨基荧光酮与钽发生灵敏的显色反应.络合物的摩尔吸光系数为3.24×105L·mol-1·cm-1,其最大吸收波长为527nm,且钽在0-32μg/50mL范围内符合比耳定律,相关系数为0.9993.该法应用于铌钽矿中钽的测定效果较好.     

Melting kinetics of bulk SiC using molecular dynamics simulation

The melting kinetics of bulk SiC is studied by using classical molecular dynamics simulation.The mean square displacement,diffusion coefficient,Lindemann index and non-Gaussian parameter are used to analyze the melt nucleation and macrokinetics in the melting process.Melting occurs when the superheated crystal spontaneously generates many Lindemann particles in which they coalesce together to form melt nucleation inside the crystal.The melting process is similar to the solidification process,but also experiences three processes such as nucleation,growth and relaxation.The melting process can be divided into premelting,accelerated melting and relaxation stages.Using the sectional method can properly reflect the kinetic characteristics of the melting process.     

应用化学势曲线对气液相平衡和质量转移问题的分析

提出应用化学势与压强的关系曲线分析曲面气液两相的相平衡及物质质量转移问题的方法.通过曲线描述,提供了关于相平衡、弯曲液面饱和蒸气压以及蒸发、凝结等规律比较直观的物理图像.     

Pressure-induced isostructural phase transition in Bi2Sr2CaCu2O8+δ

The high-pressure structures of an underdoped cuprate superconductor Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ have been studied by synchrotron X-ray diffraction at pressures up to 36.5 GPa. We find that this superconductor retains its orthogonal structure with the space group Amaa in the pressure range studied. Upon compression, both the a and b axes first shrink monotonically up to 17.4 GPa from their ambient pressure values and keep these behaviors with positive compressibilities up to 36.5 GPa after experiencing expansion with negative compressibilities in the pressure regime between 17.4 and 23.7 GPa. However, the c axis decreases continuously with increasing pressure with a slow change at about 23.7 GPa. The results indicate an isostructural phase transition starting at 17.4 GPa and a structural collapse at around 23.7 GPa.     

透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响

对于顶面出光的浅面浮雕VCSEL结构,有源区的电流密度分布的不均性制约着单模稳定性的提高。为此,提出了一种新型结构:氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)浅面浮雕VCSEL。该结构不仅能够增大高阶模式的阈值增益,还能够提高基模的增益,实现基模对高阶模式的稳定抑制。研究了ITO的厚度对阈值增益的影响及ITO对VCSEL有源区电流密度分布的影响。研究结果表明:在ITO的厚度为半波长的整数倍时,基模对高阶模式的限制作用最强;ITO通过改善VCSEL有源区的电流密度分布,达到了增大基模的增益和降低高阶模式增益的目的,同时还降低了串联电阻和外电压。     

变形及电场作用对石墨烯电学特性影响的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了变形、电场及共同作用对石墨烯电学特性影响的电子机理.研究表明,本征石墨烯的能隙及态密度值在费米能级处均为0,呈现出半金属特性;在一定的变形量下对石墨烯施加剪切、拉伸、扭转及弯曲变形作用,发现剪切和扭转变形对打开石墨烯能隙的作用明显;对本征石墨烯施加不同方向的电场,可知010电场方向对打开石墨烯能隙的作用效果最强.这是因为该电场方向下石墨烯C-C原子间的布居数正值较大,成键键能较高,而负值数值较小,反键键能较低;线性增加电场强度,石墨烯的能隙呈线性增长势;变形及电场共同作用下,外加电场提高了变形对打开石墨烯能隙的作用效果,但不及两种外场叠加的作用效果.