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沟槽面与光滑面湍流边界层特性比较 总被引:3,自引:0,他引:3
应用LDV技术对沟槽面及光滑面湍流边界层流速和湍流度分布进行了精细的测量,实验结果表明:与光滑面相比,沟槽面湍流边界层时均流速分布对数公式中具有较大的积分常数C值,且沟槽面湍流度最大值较小,但其出现的位置距壁面较远。另外,偏斜因子及平坦因子的分布特性区别不大,但是在近壁区内沟槽面结果波动较大。 相似文献
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研究了一种可瓷化硅橡胶,其特点是在火灾发生时可在金属线外形成瓷化绝缘保护层,600℃的成瓷温度大幅度低于目前文献报道的成瓷温度。实验得到的优化瓷化填料配方为:相对于100份混炼胶,氧化铝10份、硅灰石15份、结构控制剂9份、碳酸锂3份。在此配方条件下,未瓷化硅橡胶的断裂伸长率316%、拉伸强度10.79MPa、体积电阻率134×10~(12)Ω·cm,其在600℃、800℃瓷化后的抗压强度分别为3.47MPa、10.13MPa、体积电阻率≥28×10~(12)Ω·cm,满足电缆用硅橡胶的力学和绝缘要求。经热重分析及SEM分析可知加入瓷化填料后,试样烧蚀重量减少了39.4%,烧蚀残留率大大提高,且成瓷试样结构致密。 相似文献
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Electrical Properties of La-Doped Al2O3 Films on Si (100) Substrates as a High-Dielectric-Constant Gate Material 下载免费PDF全文
Amorphous La-doped Al2O3 (La: Al2O3) thin films are deposited on n-type (100) Si substrates by rf magnetron co-sputterlng. The composition of the deposited films is measured by energy dispersive x-ray spectroscopy: Capacitance-voltage measurement shows that the dielectric constant k of La-doped Al2O3 films ranges from 8.5 to 11.6 with the increasing La content, and the highest k value of 11.6 is obtained for the 20.14% La content film. In the structure of the Al/La:Al2O3/Si metal oxide semiconductor, the dominant conduction stems from the space- charge-limited current at different temperatures. In addition, the wavelength dependence of the transmittance is studied by ultraviolet spectroscopy and the band gap of all the deposited films is above 5.5eV. The results demonstrate that La-doped Al2O3 can meet the requirement of next-generation gate materials. 相似文献
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本文报道了室温下LiF晶体中F_3~+-F_2混合色心激光器.利用一块晶体和单一泵光,输出激光波长范围从510~580nm、640~710nm.总带宽140nm. 相似文献
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合成了重稀土高氯酸盐甲基苯甲酰甲基亚砜配合物RE(ClO4)3·L5·C2H5OH(RE=Gd,Tb,Dy,Tm,Yb;L=C6H5COCH2SOCH3).经元素分析、稀土络合滴定、摩尔电导及热重分析确定了配合物的组成,测定了配体及配合物的IR谱、1H NMR及铽配合物的磷光光谱、荧光激发和发射光谱,根据荧光发射光谱数据计算了铽配合物的各能级值. 相似文献
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