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本研究创建连续流动气相光催化实验系统,采用动态配气法生成一定低浓度的甲醛气体,开发利用介孔纳米TiO2为光催化材料,以促进利用光催化技术应用于消除室内有害污染气体更具实际意义和商业价值.研究表明,以非表面活性剂有机小分子三乙醇胺为模板剂制得了介孔TiO2材料,其粒径在20~30 nm之间;通过控制气流速度为7.5 cm/s以消除传质对反应的影响,在相对湿度为28%和反应温度为25℃的条件下,相对具有相近吸光性能和粒度的DegussaP25,介孔纳米TiO2具有更高的光催化降解甲醛的反应效率. 相似文献
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一类非线性Schr(o)dinger方程的守恒差分法与Fourier谱方法 总被引:1,自引:0,他引:1
考察了一类带导数项的非线性Schrodinger方程的周期边值问题,提出了一种守恒的差分格式,在空间方向上采用Fourier谱方法,证明了格式的稳定性和收敛性.数值试验得到了与理论分析一致的结果. 相似文献
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新疆玛纳斯湖水蒸发过程研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文依据Na^ ,K^ ,Mg^2 //Cl^-,SO4^2--H2O五元水盐体系相图,对新疆玛纳斯盐湖水进行原料分析、理论研究、25℃等温蒸发实验和自然蒸发实验,研究了该湖水蒸发过程中盐类的析出规律及湖水中各组分浓度变化的规律,为进行工艺实验及将来的综合开发利用提供了可靠依据。 相似文献
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空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子/离子化器,建立了原子/离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子/离子荧光信号强度的影响,测量了系统对Ca的原子/离子荧光光谱的检出限。 相似文献
48.
Q. Sun Q. Wang X.G. Gong V. Kumar Y. Kawazoe 《The European Physical Journal D - Atomic, Molecular, Optical and Plasma Physics》2002,18(1):77-81
We report results of the atomic and electronic structures of Al7C cluster using ab initio molecular dynamics with ultrasoft pseudopotentials and generalized gradient approximation. The lowest energy structure is
found to be the one in which carbon atom occupies an interstitial position in Al7 cluster. The electronic structure shows that the recent observation [Chem. Phys. Lett. 316, 31 (2000)] of magic behavior of Al7C- cluster is due to a large highest occupied and lowest unoccupied molecular orbital (HOMO-LUMO) gap which makes Al7C- chemically inert. These results have further led us to the finding of a new neutral magic cluster Al7N which has the same number of valence electrons as in Al7C- and a large HOMO-LUMO gap of 1.99 eV. Further, calculations have been carried out on (Al7N)2 to study interaction between magic clusters.
Received 28 July 2001 相似文献
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Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
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