首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5645篇
  免费   1252篇
  国内免费   2529篇
化学   4519篇
晶体学   199篇
力学   414篇
综合类   206篇
数学   911篇
物理学   3177篇
  2024年   8篇
  2023年   64篇
  2022年   215篇
  2021年   207篇
  2020年   187篇
  2019年   192篇
  2018年   184篇
  2017年   285篇
  2016年   197篇
  2015年   266篇
  2014年   359篇
  2013年   463篇
  2012年   448篇
  2011年   450篇
  2010年   442篇
  2009年   543篇
  2008年   543篇
  2007年   498篇
  2006年   526篇
  2005年   449篇
  2004年   372篇
  2003年   228篇
  2002年   280篇
  2001年   279篇
  2000年   334篇
  1999年   255篇
  1998年   142篇
  1997年   120篇
  1996年   100篇
  1995年   84篇
  1994年   77篇
  1993年   70篇
  1992年   71篇
  1991年   54篇
  1990年   62篇
  1989年   62篇
  1988年   46篇
  1987年   48篇
  1986年   43篇
  1985年   36篇
  1984年   36篇
  1983年   31篇
  1982年   17篇
  1981年   16篇
  1980年   11篇
  1979年   10篇
  1978年   5篇
  1959年   1篇
  1954年   1篇
  1936年   3篇
排序方式: 共有9426条查询结果,搜索用时 15 毫秒
951.
高维多重双正交小波包   总被引:15,自引:0,他引:15  
本文给出对应于高维多重尺度函数的双正交多小波包的定义及其构造方法.讨论了高维不可分双正交多小波包的双正交性.  相似文献   
952.
李齐  冯端 《中国科学A辑》1980,23(8):740-743
本文用化学浸蚀法显示了Czochralski法生长的BNN晶体中的铁电畴、生长条纹和位错,建立了浸蚀图象与晶体缺陷之间的对应关系.原生晶体中的铁电畴结构由宽度约1微米的交锁带纹状反向铁电畴组成.生长条纹、位错及包裹物等缺陷诱发了特征形态的铁电畴,其中位错诱发的铁电畴较难通过单畴化完全去除.籽晶中位错的延伸、肩部表面沟漕的热应变、包裹物的挤压,以及在过饱和点缺陷作用下螺型位错变为蜷线位错的攀移增殖,是晶体中位错的主要来源.  相似文献   
953.
A possible superconducting mechanism of the hole-doped C60 solid is discussed. Under the assumption that the superconductivity results from the strong coupling between electrons at Fermi surface and intramolecular vibrations, a simple expression for the electron-phonon coupling parameter λ is derived. The related transition temperature is estimated and can be much greater than that of the alkali-metal-doped C60 solid.  相似文献   
954.
以P_2、P_4(Td)、P_8(C_(2v))及P_(10)(C_(2v))为结构单元设计了P_2+P_4(T_d)+P_8(C_(2v))→P_(14)(C_s)(A)、Ps(C_(2v)+3P_2→P_(14)(C_(2v))(I)(B)、P_(10)(C_(2v)+2P_2→P14(C_(2v))(Ⅱ)(C),利用从头算Gaussian-94程序,选择6-31G基组,对4种结构单元及P_(14)原子簇的3种几何构型Cs、C_(2v)(Ⅰ)、C_(2v)(Ⅱ)进行全优化。相对能量的计算结果表明,P_(14)(C_s)与P_(14)(C_(2v))(Ⅰ)构型稳定。进一步设计(7/2)P_4(T_d)→P_(14)(D)及7P_2→P_(14)(E),其相对能量表明,P_(14)(C_s)构型是稳定的.磷与磷连结单键键长范围为0.220~0.228nm,双键键长范围为0.200~0.202nm,与实验结果大体相当。  相似文献   
955.
HT20—40铸铁中碳的光电光谱分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文主要论述HT20-40铸铁中碳的光电光谱分析。由于薄片样急冷快,白口化好,这样解决了铸铁样品难以白口化的问题。为了加工薄片样,设计了磁钢磨具。解决了加工薄片样非常困难的问题。实践证明,只要严格控制铸铁样分析条件,碳的光电光谱分析结果完全达到了要求。  相似文献   
956.
采用传统方法生产的NbTi/Cu多芯超导线在生产芯数较多的超导线时存在填充系数较大的问题,这直接影响了芯丝的整齐排布,所以组装完成后加入热等静压过程.研究了经过热等静压和未经过热等静压的NbTi/Cu多芯超导线的加工性能.经过试验证明,经过100~150MP,2小时热等静压处理的NbTi/Cu多芯超导线坯锭在加工过程中具有良好的加工性能,提高了超导线复合坯锭的成品率;而未经过热等静压处理的NbTi/Cu多芯超导线坯锭加工性能较差,坯锭内部缺陷较多.  相似文献   
957.
OCT图像法测量折射率   总被引:2,自引:0,他引:2  
基于光程匹配原理提出了一种用光学相干断层成像(OCT)系统获得的图像测量样品折射率的方法。通过分析光程匹配原理,给出用OCT图像法测量样品折射率的原理及过程。以玻璃载波片和黄瓜组织为样品进行实验。实验结果表明,用OCT图像法获得的载玻片和黄瓜组织的折射率测量值分别为1.499和1.353,与发表或已知的折射率结果相吻合,测试结果的随机误差可小于0.01。另外,使用OCT图像法通过短时间所采集的两幅图像可对横向扫描任意位置的折射率同时进行测量。该方法进一步简化了基于光程匹配原理的折射率测量法的过程,缩短了测量时间,是一种快速测量样品折射率的实用方法。  相似文献   
958.
如何在确保边缘精确定位的同时,最大程度地抑制噪声以及图像灰度不均匀所产生的伪边缘点,是当前边缘检测所面临的难题。针对此问题,提出了多尺度张量的边缘检测算法,这种算法可以在不同尺度下获取更丰富的局部结构信息。选取适当的阈值,滤除噪声点和伪边缘,从而得到细节丰富的边缘。实验证明该方法得到的边缘细节丰富,且抗噪声性能较好。  相似文献   
959.
Eu(TTFA)_3掺杂SiO_2杂化胶体球的合成及特性   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用改进的碱催化法和种子法分别制得了稀土配合物Eu(TTFA)3掺杂的SiO2杂化胶体球,并用透射电子显微镜和荧光分光光度计对其显微形貌和荧光光谱特性进行了详细地研究.结果表明,两种方法都可以获得单分散性的、稀土配合物掺杂SiO2杂化胶体球,且都具有Eu3+离子典型的荧光光谱特性.Eu(TTFA)3掺杂入SiO2胶体球中后,有机配体TTFA在短波长处的吸收明显增强了,最大的吸收峰位也向短波长方向移动大约20~30nm,Eu3+离子5D0→7F2发射跃迁仍然具有良好的窄线发光特征,同时荧光峰值的形态和位置受SiO2基体的影响发生轻微的变化.  相似文献   
960.
通过引入一新型条件,研究了渐近拟非扩张型映象不动点的具误差的修正的Ish ikaw a迭代序列的迭代逼近问题,得到新的结果.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号