Synthesis and Photochemical Properties of a New Substituted Phenol Covalently Linked to Ruthenium （Ⅱ） Tris-bipyridine Containing Four Ester Groups as Sensitizer

As photosensitizer for solar cell, a new ruthenium (Ⅱ) complex with four ester groups had been synthesized, in which a phenol substituted by {[(2-hydroxy-5-tert-butylbenzyl)(pyridyl-2-methyl)amino]methyl} is covalently linked to ruthenium (Ⅱ) tris-bipyridine. The structures of the new compounds were confirmed by NMR and ESI-MS spectra. The electrochemical and photochemical properties were also studied.     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

Low-Temperature Magnetic Properties of Co Antidot Array

Cobalt antidot arrays with different thicknesses are fabricated by rf magnetron sputtering onto porous alumina substrates. Scanning electron microscopy and grazing incidence x-ray diffraction are employed to characterize the morphology and crystal structure of the antidot array, respectively. The temperature dependence of magnetic properties shows that in the temperature range 5K--300K, coercivity and squareness increase firstly, reach their maximum values, then decrease. The anomalous temperature dependences of coercivity and squareness are discussed by considering the pinning effect of the antidot and the magnetocrystalline anisotropy.     

第一讲中子散射与散裂中子源

中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。     

简析"静止液体内部压强公式验证"实验的设计策略

“静止液体内部压强公式验证”在现行教材中有两种实验方法。通过分析实验的设计策略，说明其作用、效果及操作上的困难，指出合理的与不合理诸因素，从而提出改进实验的方法，化难为易，提高实验教学效果。     

液晶显示器用衬垫料的扫描电镜图像

论述了液晶显示器 (LCD)用衬垫料的作用和性能要求。给出了液晶显示器用衬垫料的扫描电镜图像。该图像对观测衬垫料的粒径分布和控制液晶显示器的盒厚均匀程度 ,消除液晶显示器的底色差异具有一定的意义。实验所得图像为从事液晶显示器的工程技术人员提供了清晰的衬垫料图像 ,为排除衬垫料的不均匀因素所造成的液晶屏的质量问题提供了依据。     

几种模糊传递关系的收敛性

本文对几种模糊传递关系进行比较 ,从一个侧面说明了用于构造偏好关系的模糊关系应是互逆关系 .文中证明了对任意的 n阶互逆传递模糊关系 R,必有 Rn=Rn+1 .     

带有单模糊映射的一般变分不等式解的存在性

众所周知，在各种变分不等式问题中，解的存在性是最基础也是最重要的问题之一．本文的目的是在Hilbert空间中研究带有单模糊映射的一般变分不等式解的存在性．此外，还讨论了几种特殊情况．