探讨Abel积分零点的一个定理

本文研究了具有中心环域的可积多项式系统,探讨此系统在用多项式进行微扰的情况下,其所对应的Abel积分的零点个数的计算方法,给出了一个较为实用的定理,并举出了若干个应用的例子．     

In situ observation of NaBi(WO4)2 dendrite growth and the study on microstructure of solidification

The dendrite growth process of transparent NaBi(WO₄)₂ with small prandtl and high melting point was studied by using the in-situ observation system. According to the dynamic images and detailed information, there are two kinds of restriction effect on the dendrite growth, the competition between arms and branches and the convection in the melt. The dendrite growth rate was time dependent, and the rate of arm growth reached the maximum 5.8 mm/s in the diffusive-advective region and rapidly decreased in the diffusive-convective region. The growth rate of branch had the same change trends as the arm’s. Based on the EPMA-EDS data of solidification structure of quenched NaBi(WO₄)₂ melt, it was found that there were component differences from stoichiometric concentration in the melt near the interface during the growth process. Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 50331040) and the Innovation Funds from Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences (Grant No. SCX0623)     

C59N单分子整流器

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．     

200MW非再热双抽供热机组变工况计算及工况图的绘制

工况图在热电厂的设计和运行中具有广泛的用途。本文根据引进型双抽非再热200MW供热机组的技术特点，通过编程在纯凝汽工况、单抽工业抽汽工况、单抽采暖抽汽工况和双抽供热等典型变工况计算的基础上，完成了当新蒸汽负荷、工业抽汽负荷和采暖抽汽负荷发生改变时的变工况计算，并绘制了该机组的运行工况图．     

直接资本化法中自有资本收益率的算法探讨

在分析我国房地产自有资本收益率操作中所存在问题的基础上,论述了自有资本收益率的实质是自有资金直接资本化率,并在房地产持有期小于抵押贷款期以及房地产持有期和土地批租年限相同的两种情况下,推导出了与土地有限期使用制度相适应的房地产资本化率和自有资本收益率的计算方法,提出了利用债务保障比率的取值范围检验资本化率合理性的基本公式.     

脉冲激光偏振方向对氮分子高次谐波的影响——基于含时密度泛函理论的模拟

采用含时密度泛函方法,结合赝势模型和电子交换相关作用的广义梯度近似,模拟了氮分子在超强飞秒激光脉冲作用下的高次谐波产生现象,并研究了激光脉冲偏振方向对氮分子高次谐波的影响.结果表明氮分子的高次谐波谱具有典型原子谐波谱的特征;谐波谱强度随着θ(激光偏振方向与分子轴向夹角)的增大而减小.这与J.Itatanl在Nature上报道的实验结果基本一致.     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.