Bridgman法生长TeO2晶体的缺陷分析

采用Bridgman法生长了二氧化碲(TeO2)晶体,运用光学显微镜、电子衍射光谱、化学腐蚀等方法分析了该方法生长TeO2晶体内部的缺陷.初步讨论了散射点、微裂纹、气泡和黑点、条纹以及腐蚀坑等微缺陷的形成机理.结果表明:晶体内部的散射点来自于原料中杂质,条纹主要是由于晶体内应力引起,晶体内的气泡和黑点和晶体生长的温度密切相关,并就如何减少这些微缺陷进行了初步探讨.     

催化动力学光度法测定痕量铜(Ⅱ)

1　引　　言中性红是一种氧化还原指示剂 ,变色范围ｐＨ为 6.8～ 8.0 ,酸式呈红色 ,碱式呈橙黄色。实验发现在弱碱性介质中 ,铜 催化双氧水还原中性红褪色反应。本文提出以该反应作为催化动力学光度法测定痕量铜的新指示反应 ,据此 ,建立了测定铜的新方法。本法具有操作简便、反应易控制、重现性好等特点。2　实验部分2 .1　仪器和试剂　ＵＶ 916型紫外可见分光光度计 (澳大利亚ＧＢＣ公司 ) ;72 3分光光度计 (上海第三分析仪器厂 ) ;ＰＨＳ 3型酸度计 (上海第二分析仪器厂 ) ;50 1型超级恒温水浴 (重庆试验设备厂 )。铜标准溶液 :1.0ｇ Ｌ…     

不同类型近破波作用下沉箱式防波堤的振动-提离摇摆运动

倾覆失稳是沉箱式防波堤的主要破坏形式之一,是稳定性验算的基本内容．采用质量-弹簧-阻尼器集总参数模型模拟沉箱式防波堤在单峰值冲击型、双峰值冲击型和冲击-振荡衰减型等不同类型近破波作用下的振动-提离摇摆运动过程,研究了不同类型近破波和沉箱的提离摇摆运动对沉箱式防波堤动力响应的影响．结果表明,在近破波冲击力幅值相同的条件下,近破波类型对沉箱的动力响应影响很大;提离摇摆运动虽然会使沉箱的转角幅值增大,但可有效地减小沉箱的位移、滑移力和倾覆力矩幅值．研究成果为允许沉箱式防波堤出现提离摇摆运动的设计概念提供了理论基础．     

高效液相色谱-质谱联用快速筛选并鉴定黄芩甲醇提取物中抗氧化活性成分

建立了高效液相色谱-质谱联用技术快速筛选和鉴定黄芩甲醇提取物中抗氧化活性成分的方法.在黄芩甲醇提物中加入适量的二苯基三硝基苯肼( DPPH)作为实验组,避光室温反应30 min后直接经液相色谱分析,并与不加入DPPH的空白组进行比较.有抗氧化活性的成分因会与DPPH反应而使峰面积减少,而不具有抗氧化活性的成分峰面积则不变.基于色谱数据可以获得有抗氧化活性组分的相对活性强度,基于质谱数据可获得活性组分的结构信息用于结构鉴定.本方法成功地从黄芩甲醇提取物中筛选并鉴定出了黄芩苷、千层纸素A-7-O-B-D-葡萄糖醛酸苷、汉黄芩苷和千层纸素A4种较强的抗氧化活性成分.本方法利用HPLC-MS技术对复杂体系(如中药提取物)中小分子的分离和鉴定优势,可以直接筛选出黄芩甲醇提取物中的抗氧化活性成分,而不需要繁琐的前期分离和纯化,并且不需要仪器改装工作,有利于实现复杂体系中抗氧化活性成分的高通量筛选.     

激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7mJ增加到43.9mJ时,光导开关的导通电阻从295Ω降低到197Ω。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。     

含铅金矿和铅精粉中金的测定

采用在样品中加入一定量的硝酸、过滤除去铅对金的干扰,王水溶矿,原子吸收光谱仪测定,可以满足客户对铅精粉中金含量测定的要求。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定天然卤水中锶

采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定天然卤水中锶的含量。选择波长216.579 nm为锶的分析线,方法的检出限(3S/N)为0.01mg·L~(-1)。方法用于天然卤水样品的分析,测定值与火焰原子吸收光谱法的测定值相符,加标回收率在95.9%～102.0%之间,在5个浓度水平上加入锶标准溶液做精密度试验,测定值的相对标准偏差(n=12)在0.43%～3.3%之间。     

大功率LED热管散热器的热设计研究

给出了一种应用于大功率LED散热的新型热管翅片散热器,该散热器能够有效利用自然风和垂直对流,建立了散热器结构模型,采用Icepak软件分析了散热器参数对大功率LED芯片结温的影响规律.结果表明,热管导热系数、直径以及自然风风速对芯片结温有显著影响,芯片结温随热管导热系数、直径以及自然风风速的增加而降低,翅片导热系数和表...     

Band alignment of Ga2O3/6H-SiC heterojunction

A high-quality Ga₂O₃ thin film is deposited on an SiC substrate to form a heterojunction structure. The band alignment of the Ga₂O₃/6H-SiC heterojunction is studied by using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy. The energy band diagram of the Ga₂O₃/6H-SiC heterojunction is obtained by analysing the binding energies of Ga 3d and Si 2p at the surface and the interface of the heterojunction. The valence band offset is experimentally determined to be 2.8 eV and the conduction band offset is calculated to be 0.89 eV, which indicate a type-II band alignment. This provides useful guidance for the application of Ga₂O₃/6H-SiC electronic devices.     

Compression Behaviour and Equation of State of Zr44.4Nb7Cu13.5Ni10.9Be24.3 Bulk Metallic Glass up to 39 GPa

The compression of Zr44.4Nb7Cu13.5Ni10.8Be24.3 bulk metallic glass (BMG) is investigated at room temperature up to 39 GPa using in situ high-pressure energy dispersive x-ray diffraction with a synchrotron radiation source. The equation of state of the BMG is obtained by the calculation of the radial distribution function. Pressureinduced structural relaxation is exhibited. It is found that below about 6 GPa, the existence of excess free volume contributes to the rapid structural relaxation, which gives rise to rapid volumetric change, and the structural relaxation results in structural stiffness under higher pressure.