全文获取类型
收费全文 | 1115篇 |
免费 | 248篇 |
国内免费 | 439篇 |
专业分类
化学 | 811篇 |
晶体学 | 19篇 |
力学 | 72篇 |
综合类 | 97篇 |
数学 | 264篇 |
物理学 | 539篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 23篇 |
2022年 | 19篇 |
2021年 | 22篇 |
2020年 | 25篇 |
2019年 | 28篇 |
2018年 | 35篇 |
2017年 | 31篇 |
2016年 | 32篇 |
2015年 | 30篇 |
2014年 | 58篇 |
2013年 | 43篇 |
2012年 | 35篇 |
2011年 | 36篇 |
2010年 | 42篇 |
2009年 | 49篇 |
2008年 | 63篇 |
2007年 | 57篇 |
2006年 | 68篇 |
2005年 | 65篇 |
2004年 | 60篇 |
2003年 | 37篇 |
2002年 | 40篇 |
2001年 | 34篇 |
2000年 | 56篇 |
1999年 | 42篇 |
1998年 | 32篇 |
1997年 | 58篇 |
1996年 | 50篇 |
1995年 | 48篇 |
1994年 | 68篇 |
1993年 | 45篇 |
1992年 | 78篇 |
1991年 | 58篇 |
1990年 | 53篇 |
1989年 | 49篇 |
1988年 | 31篇 |
1987年 | 31篇 |
1986年 | 21篇 |
1985年 | 21篇 |
1984年 | 21篇 |
1983年 | 17篇 |
1982年 | 11篇 |
1981年 | 11篇 |
1980年 | 11篇 |
1979年 | 7篇 |
1959年 | 4篇 |
1956年 | 5篇 |
1955年 | 6篇 |
1954年 | 4篇 |
排序方式: 共有1802条查询结果,搜索用时 15 毫秒
151.
高精度方法在面板堆石坝计算中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
1 引 言 混凝土面板碾压堆石坝(简称面板坝)是在美、澳、巴西等国迅速发展的一种新坝型,在我国列为七·五重点攻关项目。与其它坝型相比,它有许多优点,例如采用当地石料,用钢材与水泥很少,造价低;施工不受气候与场地限制,可快速施工,且安全可靠等。面板坝设计的关健是如何防止水库蓄水后因为面板开裂或周边缝张开过大而出现严重漏水。到目前为止,面板坝的设计还不完善,处于凭经验与工程类比阶段,有限元的计算研究正在进行中。 面板坝的设计计算有两个主要困难,一是力学模型,描述堆石体应力应变的本构关系本身不够成熟与准确。现在流行的力学模型大致有两类(都未考虑堆石体的流变特性):以Duncan模型为代表的非线性弹性模型及以沈珠江模型为代表的非线性弹塑性模型。我 相似文献
152.
在涡漩玻璃理论的基础上,我们推导出了交流磁化率的虚部峰值温度和频率的标度方程,可表示为Tp=Cf^1/(v(z-1)).实验结果表明我们的标度方程和实验符合得很好.利用标度方程可以确定样品在磁场下的涡漩玻璃转变温度Tg和指数v(z-1)的数值. 相似文献
153.
在常规故障和临界人为错误条件下具有易损坏储备部件可修复系统的解的特征值 总被引:2,自引:2,他引:0
讨论了一个由两个部件和一个储备部件,并且具有临界人为错误(human error rates)和常规故障(commor-error rates)的随机数学模型,研究了其预解式的表达式及本征值的数目问题,且得出一个本征值对应一个本征元的结论,并给出证明. 相似文献
154.
155.
156.
157.
本文对YBa_2Cu-3O_(7-δ)材料的表面阻抗的系列研究工作进行了归纳.与经典超导体相比,该类氧化物超导体的微波表面电阻在低温区所呈现的反常,当源于材料的内在特性.我们认为它是材料中存在一定量的未配对载流子所致;而其中 CuO 链的影响是应当考虑的.基于YBa_2Cu_3O_(7-δ)的格胞排序组构,借鉴 Allender 模型,我们提出了修正电导率σ.∝ln(Δ/(?)ω)·[c_1e~(-Δ/K_BT)+(1-c_1)((K_BT)/Δ)]来表征材料的传导电性.基于该设想的微波表面阻抗理论值能很好地吻合实验数据;进而,据此可估计出 YBa_2Cu_3O_(7-δ)的序参数值.如 H_c_1H_c_2,ξ,Δ(0),l. 相似文献
158.
使用时域有限差分法对近场耦合状态下的光学微腔进行了计算。系统地研究了微腔中不同阶径向模式的各方面性能的差异。并在此基础上讨论了通过改变耦合参数,选择性增强特定模式的途径。研究了数种非均匀介质微腔的性能改变,指出选择性增强特定模式,可以通过以下两类方法:一是对于均匀介质分布的微腔,通过改变耦合参数来改变修逝波场的场强和相位分布,例如改变入射波的入射角,改变耦合间距。二是通过区域性改变微腔的折射率分布来改变微腔的修逝波场的场强和相位分布,如折射率改变(△n)折射率梯度(dn/dr)。探讨选择性抑制高阶模形成改善微腔性能的途径。使得基模获得到高能量密度,和更低的模式体积为研究原子或离子与微腔的相互作用提供更好的环境。 相似文献
159.
160.
本介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其中x=0.7,Tc0达到92.5K。在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到10^3A/cm^2量级。 相似文献