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81.
为了满足高分辨率光谱仪高灵敏度、高分辨率、低噪声的技术要求,设计了用于微光成像系统的背照式CCD驱动电路及主控电路。线阵CCD采集系统采用Altera公司的MAX X系列FPGA作为核心控制器件,为线阵CCD提供多路驱动信号;线阵CCD探测器输出模拟信号经过信号预处理及AD采样,变换为数字信号后通过USB接口模块发送给光谱仪。通过将线阵CCD采集系统安装到高分辨率光谱仪,对汞灯谱线进行特征峰测试,光谱分辨率可以达到0.062 nm,满足高分辨率光谱仪的探测要求。  相似文献   
82.
赵培信  李正帮 《数学杂志》2008,28(2):171-176
本文研究了多维随机向量序列加权和的渐近行为.利用Lindeberg中心极限定理的基本思想,得到了多维随机向量序列加权和的中心极限定理及其收敛速度,为Lindeberg中心极限定理的推广.  相似文献   
83.
Quantum interference may lead to suppression and enhancement of the two-photon resonant nondegenerate fourwave mixing signal in a cascade four-level system.Such phenomena are demonstrated in Ba through inducing atomic coherence between the ground state 6s^2 and the doubly excited autoionizing Rydberg state 6trod.This method can be used as a new spectroscopic tool for measuring the transition dipole moment between two highly excited atomic states.  相似文献   
84.
85.
本文使用共振多程池的光声探测法对CO_2和SF_6分子的无多普勒饱和吸收光谱进行了实验研究.测量CO_2的吸收凹陷约为2.5MHz,实验中观察到5个SF_6的吸收凹陷、凹陷深率约为1.9MHz.两种情况的分辨率均大于10~7.  相似文献   
86.
报道EDTA/碳糊修饰电极的制备及对银离子的测定。该电极在硝酸介质中 - 0 .6 0V(vs .Ag/AgCl)电位下富集Ag+ ,在 +0 .0 8V处得到一个灵敏的阳极溶出峰 ,峰电流与Ag+ 浓度在 1.0× 10 -9~ 1.0× 10 -6mol/L范围呈良好线性关系 ,检出限为 6 .8× 10 -10 mol/L。  相似文献   
87.
高分辨电感耦合等离子体质谱(HR-ICP-MS)是目前痕量元素分析的有效手段之一。本文采用HR-ICP-MS分析高纯镍金属中的12种杂质元素。镍金属的溶解采用微波消解法,组分不需须分离富集,定容后直接上机测定。实验优选了消解用酸的种类和浓度,优化了仪器参数,并对质谱干扰进行了研究。HR-ICP-MS对各元素的检出限在1.2 ng·L~(-1)~79 ng·L~(-1)之间,高纯镍金属中各杂质元素的含量介于1.1×10~(-6)至4.66×10~(-4)之间,镍金属纯度为99.93%。  相似文献   
88.
微波辐射下苯并噁唑基吡啶的合成   总被引:1,自引:0,他引:1  
在微波辐射条件下,利用邻氨基酚和吡啶羧酸在多聚磷酸中的缩合反应,合成了2种苯并唑基取代吡啶 最佳反应条件为:450W辐射4min 相比于常规反应,反应时间大为缩短且产率令人满意  相似文献   
89.
碳化硅 ( Si C)由于其高度的共价键结合特性而具有高硬度、耐磨性和高化学稳定性等优异性能而成为热机、高温环境和化学化工等领域的研究应用对象 .碳化硅材料的无压烧结最早是由 Prochazka[1] 实现的 .2 0世纪 80年代初期 ,Omori[2 ] 通过采用氧化物 ( Al2 O3,Y2 O3和稀土氧化物等 )添加剂的手段大大降低了无压烧结的温度 .这些氧化物具有较低的共熔点 ,在高温下易形成液相 ,从而促进了碳化硅的晶粒重排和晶体生长 .2 0世纪 90年代以来 ,氮化物和氧化物的混合添加剂 (如 Al N- Y2 O3) [3]被广泛应用于碳化硅的液相烧结 .这是因为氮在…  相似文献   
90.
V2.1TiNi0.4Zrx(x=0~0.06)储氢电极合金的相结构及电化学性能*   总被引:1,自引:0,他引:1  
系统研究了V2.1TiNi0.4Zrx(x=0耀0.06)储氢电极合金的相结构及电化学性能. 相结构分析表明, 所有合金均由体心立方(bcc)结构的V 基固溶体主相和第二相组成, 且第二相沿主相晶界形成三维网状分布;其中, 当Zr 含量x 臆0.02时合金的第二相为TiNi基相, 而当Zr含量x达0.04时, 其第二相变为C14型Laves相, 且主相和第二相的晶胞体积均随着x 的增加而增大.电化学性能测试表明, 添加Zr 元素可以改善合金的活化性能和提高最大放电容量; 同时, 随着Zr 含量x 的增大, 合金的高倍率放电性能得到明显提高, 但充放电循环稳定性逐渐降低. 在所研究的合金样品中, V2.1TiNi0.4Zr0.04合金具有相对较好的综合性能.  相似文献   
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