PWG玻璃陶瓷中的喇曼选择定则的失效及其态密度

提出了关于PbF2 WO3 GeO2(PWG)玻璃陶瓷中介电相关函数的计算。这个计算表明：在这类无序材料中,正则振动模的短相干长度使喇曼选择定则失效,并且在态密度函数以及随频率而变的正则振动模振幅基础之上分析推导得出一级喇曼散射强度的表达式。     

Ag+掺杂的立方相Y2O3:Eu纳米晶体粉末发光强度研究

采用化学自燃烧法制备了不同Ag+掺杂浓度的Y2O3:Eu纳米晶体粉末样品([Y3+]:[Eu3+]:[Ag+]=99:1:X,X=0-3.5×10-2),以及通过退火处理得到了相应的体材料.根据X射线衍射谱确定所得纳米和体材料样品均为纯立方相.实验表明在纳米尺寸样品中随着Ag离子浓度的增加,荧光发射强度随之增加,当X=2×10-2时达到最大值,其发光强度比X=0时提高了近50%.当Ag离子浓度继续增加,样品发光强度保持不变.在相应的体材料样品中则没有观察到此现象.通过对各样品的发射光谱,激发光谱,X射线衍射图谱,透射电镜(TEM)照片和荧光衰减曲线的研究,分析了引起纳米样品荧光强度变化的原因是由于Ag离子与表面悬键氧结合,从而使这一无辐射通道阻断,使发光中心Eu3+的量子效率提高;Ag+的引入所带来的另一个效应是使激发更为有效.这两方面原因使发光效率得到了提高.     

有机电致发光过程中扩散系数的Monte-Carlo模拟

用Monte-Carlo方法对有机电致发光的注入,迁移,复合过程进行了模拟,得到了δ函数电脉冲的扩散系数随时间变化的关系。通过分析,发现有机电致发光器件的物理特性可以通过两个基本的特性参数来表征：激活中心能纺方差σ,电场△E。通过将δ函数电脉冲扩散系数推广到直流电压时扩散系数对ITO／ROPPV（60nm)/Alq(40nm)/Al器件的电致变色现象进行了讨论。     

ZnS∶Mn2+纳米晶钠硼硅玻璃复合体的EPR研究

用熔融法制备了ZnS∶Mn2+不同含量的钠硼硅玻璃. 发光和激发光谱测量发现Mn离子可能占据替位(Mn2+)sub和间隙(Mn2+)int两种格位. 进一步的电子顺磁共振(EPR)实验证实了这一判断,并从EPR谱确认了(Mn2+)sub,(Mn2+)int和Mn团3种格位态的存在. 观测到g因子和超精细结构(HFS)常数随纳米晶粒径的减小而增大. 这可能是由于量子限域效应下ZnS的sp3和Mn的3d5电子态杂化和表面态所引起的.     

激光上转换玻璃陶瓷材料中稀土杂质Yb^3＋和Tm^3＋局域行为

对红光上转换玻璃陶资ＰｂＦ２＋ＷＯ３＋ＧｅＯ２以及ＰｂＦ２＋ＷＯ３＋ＧｅＦ３＋ＴｍＦ３材料中的微晶相进行了喇曼光谱研究,获得了光谱表明ＰｂＦ２＋ＷＯ３＋ＧｅＯ２＋ＹｂＦ３＋ＴｍＦ３中的微晶是由ＰｂＦ：Ｙｂ＾３＋、Ｔｍ＾３＋构成的,其中Ｙｂ＾３＋和Ｔｍ＾３＋替代部分Ｐｂ＾２＋的格位而形成了荷正电的局域杂质中心。这些局域杂质中心导致了ＰｂＦ２＋ＷＯ３＋ＧｅＯ２＋ＹｂＦ３＋ＴｍＦ３中局域电场的形成。除了