Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究

在 Si (l00) 衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的GeGe_xSi_1-x_/Si 应变层超晶格.用反射式高能电子衍射、x 射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman散射等侧试方法研究了Ge Ge_xSi_1-x_/Si超晶格的生长及其结构特性. 结果表明, 对不同合金组份的超晶格, 其最佳生长温度不同. x值小, 生长温度高; 反之, 则要求生长温度低. 对于x为0. 1-0. 6 , 在400-600℃ 的生长温度范围能够长成界面平整、晶格完好和周期均匀的GeGe_xSi_1-x_/Si应变层超晶格. 关键词：     

二丙酮果糖的氧化及其支链糖的合成

本文报道了两种新的氧化剂体系:(1)三氧化铬-乙醚-二氯甲烷/硅藻土,(2)重铬酸吡啶(Pyri-dinium dichromate)-三氟乙酸酐在酮粮合成中的应用。并通过酮糖3与RLi(R=Me,Ph)经亲核加成,合成得到了支链单糖4,5,由元素分析及IR、~1H、~(13)C-NMR数据证实了其结构。     

平面定常无粘流动与最小熵产生原理——物理解与最小熵产生判别

本文对平面定常无粘流多重解的判别问题作了较一般的讨论,证明了任一满足激波关系式的解必定是使熵产生取极值。对一般的曲线激波得到了一个关于物理解的判别不等式,用这不等式可以把那些满足熵增条件而物理上通常不能实现的解区分出来。并证明了最小熵产生判别包含了通常的熵条件,即证明了膨胀激波是使熵产生取极大值。     

成败型并联系统可靠性置信下限的近似解

本文通过大量的模拟计算,对于成败型并联系统可靠性置信下限的四种熟知的近似解法:Madansky法(LR法),AWI法,Maximum Likelihood法(ML法)和AO法进行了分析和比较。据分析比较,认为LR法和AO法是令人满意的。     

预估-校正算法跟踪组合内点同伦路径

1.引 言 考虑下列凸数学规划（CNLP）问题 min f（x）,s.t.x ∈ Ω,（1.1）严格可行集合Ω0={x∈Rn:gi（x）<0,i=1,…,m}集合Ω表示Ω0的闭包,f（x）,gi（x）均为充分光滑函数.Ω的边界集合　Ω=Ω\Ω0,g=（g,…,gm）T,　x∈Ω,     

基于定期检测数据或一次性检测数据的指数寿命型产品的可靠性的近似…

本文对于指数寿命型产品，利用产品的定期检测数据或一次性检测数据，先求出分布的参数的极大似然估计，然后通过大量的模拟计算得到产品可靠性的近似置信限，并制备了曲线图可供直接查用。接着对所得近似置信限的精度作了讨论。本文还给出了数字例子。     

双、单摆振动示波装置

双、单摆振动示波装置宋燕盛，孙铁军（吉林工学院长春１３００２１）１实验装置整个实验装置如图１所示：ａ液体槽；ｂ、ｃ极板；ｄ单摆；ｅ策动源；ｆ电源、控制器；ｓ示波器；ｔ框架．２电路原理电路原理如图２所示．将带有中间抽头的直流电源与两极板相连接，单摆（准...     

美国数学《数学评论》(文摘)——1989年6—12期有关《数理经济学》目录

().op玉tz and B.Raulut(编辑)经济与数学(德文)springerw“rlag,Berlin一下。w York,105了E .L.Berlyaod and s.B.Barabash(编辑)部门区域系统相互影响分析的数学方法(经济模型的数学分析) “Nauka,, Sibirsk.Otdel.,Novosibirsk,1983Fr iedma。,Steven J.(1二PRIN--CS)等搜寻二元决策图的优化可变序24thz、CM/IEEE Design Automation Con-ferenee,348一356 ACM,New York,195了saari,Dona一dG(1一NW)信息与机制设计的类型J .eomput.Appt.Math.22(xgss),no.2一3,231一242Bondareva,0.N.无限集上选择的有限多近似值50,set …     

声子媒介超导性最大转变温度探讨

为得到 T_c-ω和λ-ω图,本文提出了三个模型有效声子谱.在合理的λ值范围内,声子媒介超导性没有极大值限制.强调了高频纵光学声子的重要性.文中还做了有关高 T_c 的一些讨论.