立方C15b型YbCu_(5-x)In_x(0≤x≤1)中的原子混合价态与价态转移

利用电弧熔炼方法制备了YbCu5-xInx(x=0.2,0.4,0.6,0.8,1)稀土金属相间化合物样品.多晶X射线衍射分析表明样品具有立方C15b型结构,并发现其晶胞参数随In含量的增加而线性增加.利用SQUID技术测量了样品在4.2K和300K之间的磁化强度与温度变化曲线,结果表明YbCu4In在40K附近显示出明显的具有一级相变特征的Yb离子价态转移现象;在150K以上YbCu5-xInx样品显示居里-外斯型(Curie-Weiss)型顺磁行为,Yb离子为局域三价态(Yb3+,4f13,J=7/2,μeff=4.54μB),这和先前报道的文献一致.     

基于ZigBee的公交IC卡实名制系统设计

随着物联网技术的发展,设计一种公交IC卡实名制系统已经成为一种可能;在此基础上提出一种基于ZigBee的公交IC卡实名制系统设计方案;该设计方案采用新一代SOC芯片CC2530作为整个系统ZigBee节点主控芯片,多个ZigBee节点构成拓扑网络收集IC卡信息,每个子网最终通过ZigBee协调器和GPRS构成的网关连接远程数据库,实时更新数据库信息;通过C/S客户端管理IC卡,实现公交IC卡实名制;文章方案也可以进行二次开发,加入公交车位置、公交车传感器数据等信息;测试表明,远程数据库中IC卡信息能够准确更新,具有很强的实用价值。     

LaB0.5Mn0.5O3(B=Co,Fe)的磁性及电输运特性的研究

采用固相烧结工艺制备了钙钛矿锰氧化物LaCo0.5Mn0.5 O3和LaFe0.5 Mn0.5O3,系统研究了样品的磁性、电输运特性和磁电阻效应.室温下LaCo0.5M0.5O3和LaFe0.5Mn0.5O3均呈现顺磁行为.电子顺磁共振得到LaFe0.5Mn0.5O3样品的朗德因子g=1.9661,与Fe3+离子(g=...     

超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究

采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、SEM、Raman等分析手段表征样品.实验结果表明,本文制备的应变硅由于其直接衬底超薄SiGe层的低缺陷密度和应力牵制作用,纳米图形化的应变Si弛豫度远小于文献报道的无Ge应变硅或者具有Ge组分渐变层SiGe衬底的应变Si材料.     

不同产地金线莲根茎和叶中多糖含量对比

考察了不同产地金线莲根茎和叶中多糖含量。应用超声辅助法和微波-超声协同萃取法提取金线莲根茎和叶中多糖,用苯酚-硫酸法测定其含量。微波-超声协同萃取法提取优于超声辅助法提取,金线莲根茎部的多糖含量高于叶中多糖含量,福建华安产金线莲多糖含量最高。金线莲中多糖含量为0.8509%～6.400%,具有开发药用的价值。     

Optimization of line-tapered MMI devices using a genetic algorithm

We discuss the optimal design of line-tapered multimode interference （MMI） devices using a genetic algorithm （GA）. A 1×4 MMI device is designed as a numerical example. Compared with the conventional design based on self-imaging theory, the present method demonstrates superior performance with low in- sertion loss and small non-uniformity.     

基于多层Bayes估计的战略协同网络供应链可靠性的参数估计

在战略协同网络中供应链的可靠性研究中,引进失效信息,对可靠性参数进行了估计,并给出了实证,结果表明本文给出的方法可行.     

协方差不等式的证明和推论

利用构造二次函数的方法,证明了改进的协方差不等式,并在证明过程中得到3个推论,进一步探讨了随机变量具有线性关系时的若干结论.     

Mo掺杂SrBi4Ti4O15陶瓷的铁电介电性能

用传统的固相烧结工艺,制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-2x/3Ti4-xMoxO15(x=0.00,0.003,0.012,0.03,0.06,0.09).X射线衍射的结果表明,样品均为单一的层状钙钛矿结构相,Mo掺杂未改变SBTi的晶体结构.通过扫描电子显微镜观测发现,样品晶粒为片状,随掺杂量的增加,晶粒逐渐变小.铁电测量表明,Mo掺杂使SBTi的铁电性能得到较大改善.随掺杂量x的增加,样品的剩余极化(2Pr)呈现出先增大,后减小的规律.在x=0.06时,2Pr达到最大值26.5 μC/cm2,与SrBi4TiO15(2Pr=12.2 μC/cm2)相比,提高117%.材料的矫顽场Ec在掺杂后增加仅为20%左右.SBTi的居里温度受掺杂的影响甚微,说明Mo对SrBi4Ti4O15的掺杂基本未影响材料原有的良好的热稳定性.     

SrRuO_3的电子结构与磁性研究

用自洽的全势能线性丸盒轨道能带方法计算了氧化物体系SrRuO3(SRO)的电子结构和磁性 .对于理想的立方钙钛矿结构的计算得出的电子结构明显改善了已有的计算结果 :每个元胞的磁矩为 1 2 9μB ,按原子球划分为 0 84μB Ru原子和 0 11μB O原子 ;Sr原子上的自旋磁矩几乎为零 ;费米能级处的态密度N(EF)为 4 3 5 (states Ryd f.u .) .关于实际的正交结构SRO ,计算得出磁矩为 1 0 8μB f.u .的铁磁性基态 ,费米能级处的态密度N(EF)为 61 0(states Ryd f.u .) ,电子线性比热系数γ为 10 60mJ mol·K2 .结果说明SRO是一宽能带的巡游铁磁性体系 .