气流对电弧螺旋不稳定性的影响

采用与时间有关的线性微扰理论,研究了气流作用下电弧等离子体的螺旋不稳定性,导出了相应方程和满足的边界条件,给出了临界Maecker's数和不稳定性增长率等定量结果.计算结果表明,轴向气流对电弧稳定性起重要作用.     

磁场中等离子体鞘层的结构

采用流体力学理论，研究了斜磁场作用下的等离子体鞘层结构.在不同大小及方向的磁场作用下，对鞘层的离子，电子密度分布，离子流速度分布，电势分布和Bohm判据进行了讨 论.结果显示磁场对鞘层的结构有明显的影响.在静电力和洛仑兹力的作用下，离子流作螺旋进动，离子密度分布产生振荡. 关键词： 磁鞘 等离子体 磁场     

强流脉冲离子束辐照混合双层靶的Monte Carlo模拟

采用Monte Carlo方法模拟强流脉冲离子束与铝基钛膜双层靶的相互作用.强流脉冲离子束与双层靶材相互作用过程中,随着离子的注入,高能离子束引起涂层原子与基体材料原子之间相互渗透和混合,同时离子能量沉积到靶材内一定深度,并呈规律性的空间分布.这种能量分布影响靶内两种材料的熔化或气化过程,并导致界面物质结合强度发生变化.利用建立的束流模型,计算束流在靶材内的能量沉积和分布状况及界面处级联碰撞对双层靶界面混合区的影响,得出强流脉冲离子束混合双层靶时级联碰撞不起主要作用的结论,离子流密度在100A·cm^-2~150A·cm^-2时对离子束混合最为有利.     

负离子对等离子体鞘层特性影响的数值研究

构造强电负性等离子体中平板电极处鞘层形成的模型,使用流体动力学方程组研究等离子体鞘层.得到空间电势、空间静电荷分布和鞘层宽度作为距离函数的数值结果.结果表明,强电负性鞘层中,在等离子体区和鞘层区之间几乎没有过渡的预鞘区,在靠近极板附近鞘层里的电子、负离子和正离子的分布形成一个纯正离子鞘区.在靠近鞘边附近,空间静电荷密度分布有一个很尖的峰.发现同电正性情形相比,强电负性鞘层的宽度要窄很多,空间电势下降得快得多.     

非圆截面等离子体平衡问题的积分法

本文用积分法计算轴对称自由边界MHD平衡问题。其优点是占用内存少,可在小型计算机上进行数值求解。得到了矩形截面导体壁情况下的若干计算结果,结果与物理分析相符合。     

自由边界等离子体平衡问题的数值解法

一、基本方程和边界条件 在轴对称情况下,采用柱坐标系(R,z,),可将磁流体平衡方程用流函数ψ表示为     

电流非单调分布时的电阻流体不稳定性

本文用数值方法研究了位形存在两个共振面时电阻流体活动的特性。计算是在不同电流分布和不同电导率的情况下,对m=2的扰动做的。结果表明,电阻MHD活动的特征及其增长率不仅依赖于电导率的大小和电流径向剖面峰化的程度,而且依赖于两个共振面之间磁垒的高低。文中还详细介绍了数值方法,这个方法已用于研究撕裂模的非线性演化。 关键词：     

圆柱模型下电子回旋共振微波等离子体离子输运过程的数值研究

在圆柱模型下，采用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体源中离子离开放电室后历经中性区、鞘层区以及工件表面二次电子发射形成的虚拟阴极“屏蔽区”，最后被加负偏压的工件表面吸收的全过程．研究了鞘层边界处的衔接问题，得到了光滑自洽的电势分布曲线及工件表面离子的能量分布和角分布，同时讨论了磁场、气压以及二次电子发射对鞘势的影响． 关键词：     

数论网格法在受控聚变工程计算中的应用

一、引 言 在受控聚变工程的计算中,经常要碰到大量的多重积分,如解决线圈的磁场、波纹度、电动力、互感和电感等,都归结为计算三至六重积分的问题。这些积分,其被积函数有的并不处处光滑,在保持一定精度的条件下,采用数论网格法比较有效。因为这个方法是用事先选定的最佳分布点列上的函数值所构成的单和去逼近多重积分,不仅取得了肯定的误