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351.
系统研究了a- SiOx 的Raman散射谱及其退火行为 ,并通过退火技术使Si从SiOx 网络中分凝出来 ,形成纳米硅和SiO2 的镶嵌结构 .并利用Raman散射技术研究了这种复合薄膜中纳米硅的声子态 .发现在 1 0 0~ 6 0 0cm,sup>-1的波数范围内 ,纳米硅的Raman谱可用 5条Lorentz线得到很好地拟合 ,并对这 5条线的来源作了确认 ;观测到了在 6 0 0~ 1 1 0 0cm-1范围内纳米硅的双声子散射 .研究结果表明 ,镶嵌在SiO2 介质中的纳米硅具有非晶硅相和纳米硅晶相共存的特点 ,两者均对Raman散射有贡献 .不仅观测到了声子限制效应使一级光学声子频率随纳米硅晶粒尺寸减小而红移这一现象 ,而且还发现 (与体硅相比 )声子限制效应对二级Raman散射具有增强效应 ,并对二级散射模的频率也会产生影响 . 相似文献
352.
The micro-Raman spectroscopy and infrared (IR) spectroscopy have been performed for the study of the microstructure of amorphous hydrogenated oxidized silicon (a-SiOx:H) films prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition technique. It is found that a-SiOx:H consists of two phases: an amorphous silicon-rich phase and an oxygen-rich phase mainly comprised of HSi-SiO2 and HSi-O3. The Raman scattering results exhibit that the frequency of TO-like mode of amorphous silicon red-shifts with decreasing size of silicon-rich region. This is related to the quantum confinement effects, similar to the nanocrystalline silicon. 相似文献
353.
合成了Tb(Ⅲ)、Y(Ⅲ)、Nd(Ⅲ)硝酸盐与N,N-二亚水杨基乙二胺、二甲基亚观的配合物[RE(C6H4OHCHNC2H4NCHC6H4OH)(NO3)3(CH3SOCH3)].Tb(Ⅲ)配合物晶体为单斜晶系,空间群P21/n,a=0.9628(3)nm,b=1.6439(4)nm,C=1.6256(2)nm,β=102.78(2)°,V=2.509(2)nm3,Dx=1.830g/cm3,Z=4,μ=2.996mm-1,F(000)=1368,R=0.043,Rw=0.046.Tb(Ⅲ)的配位数是9,配位几何为单帽四方反核柱.所有的配位原子都是氧原子.两个中心离子被双Schiff碱桥联,形成一维无限长链. 相似文献
354.
利用800 nm的飞秒激光作为光源对3-甲基吡啶分子进行了多光子电离解离过程和机制的研究,发现3-甲基吡啶为先电离后解离,并分析了可能的解离通道.在B3LYP/6-311G++(d,p)水平下,计算了各个解离通道所需的能量,与我们实验所得的各离子的光强指数符合较好. 相似文献
355.
介绍了常见的荧光可视化传感器(比率、纸基、分子印迹荧光传感器),荧光可视化传感机制(荧光共振能量转移、内滤效应、光诱导电子转移、聚集诱导猝灭、聚集性诱导发射、分子内电荷转移、金属-配体电荷转移等)及其判定方法,综述了量子点(普通量子点和生物质量子点)、有机荧光物质和金属荧光纳米团簇等发光物质作为荧光可视化探针在食品分析中的应用,并对其发展前景进行了展望(引用文献69篇)。 相似文献