Windows CE.Net嵌入式操作系统本地化研究及实现

本文对嵌入式Windows CE.Net操作系统的主要体系结构进行剖析.研究设计出了维吾尔文本地化环境,利用资源编译器编译和反编译功能,构建了基于Windows CE.Net平台的维吾尔文图形用户界面资源库,实现Windows CE.Net的界面维文化和基于Windows CE.Net的应用程序的维文支持;开发了输入法程序,实现Windows CE.Net的维吾尔文字键盘输入和软键盘输入;通过编制维吾尔文字库,为Windows CE.Net平台下维吾尔文字的显示、打印提供了基础.     

浅水中污染物扩散的自适应有限元分析法

介绍浅水中污染物扩散分析中的有限元法.分析包括两个部分:1)流场速度、水面高度的计算;2)根据扩散模型计算污染物浓度场.联合使用了自适应网格技术以期提高解的精度,同时减少计算时间和计算机内存的消耗.通过几个有已知解的实例验证了有限元公式和计算机程序.最后,使用这种联合方法分析泰国Chao Phraya河附近海湾中的污染物扩散.     

微极各向同性弹性板中的Rayleigh-Lamb波

研究了无应力作用条件下，均匀、各向同性、圆柱形微极结构弹性板中波的传播．导出了对称和斜对称模式下波传播的特征方程．对短波这一极端情况，无应力圆板中对称和斜对称模态波的特征方程退化为Pmyle曲表面波频率方程．并得到薄板的计算结果．给出了位移和微转动分量，并绘制了相应图形．给出了若干特殊情况的研究结果及对称和斜对称模态特征方程的图示．     

一些特殊图类乘积的离散度

连通图的离散度是用s(G)来表示的,s(G)=max{ω(G-S)-|S|:ω(G-S)>1,SV(G)}.给出了两个完全图乘积的和一个完全图与路的乘积的离散度.还给出了两个完全图乘积的坚韧度.     

2-碘-N-甲基苯磺酰胺的合成新方法和分子结构

选用新方法合成了2-碘—N-甲基苯磺酰胺，通过^1H NMR,^13C NMR,^13C DEPT NMR(Distortionless Enhancement by Polarization Transfer NMR)和MS确证的其结构。     

有关椭圆"切准点"对焦点的几个性质

定义椭圆x2/a2 y2/b2=1(a>b>0)上点M(x0,y0) (除长轴两顶点)处的切线l交右准线l2:x=a2/c于P,交左准线l1:x=-a2/c于Q,我们称点P、Q为切准点．笔者通过研究发现有关椭圆“切准点”对焦点有如下几个结论:     

复合多层介质在可变温度和集中荷载作用下的位移和应力

研究了多层介质中的热弹性位移和应力.多层介质具有不同厚度,各层又具有不同的弹性性质,最上层表面上作用热荷载和集中荷载.假设各层分别是均匀、各向同性弹性材料,各层相关的位移分量是轴对称的,对称轴为各层表面的垂线.因此,各层应力函数满足无体力的单一方程.利用积分变换法求解了该方程,对由任意多个层数构造的多层介质,给出了其相应层数基础热弹性位移和应力的解析表达式.并对3层介质和4层介质时的数值结果进行了比较.     

高等数学主题情景教学模式探讨

数学教学的关键在于教学过程如何展开,它直接影响着学生对教学内容的理解与掌握,关系着教学质量的提高.高等数学由于其自身特点的原因,它的教学模式应当更密切地与数学主题情境、教学对象相联系着.应该更灵活、更具有专业特点.以这种指导思想进行教育模式设计,才能充分体现学生的主体性,激发学生的积极参与的热情,才能让学生的数学学习从被动接受知识变为积极主动地建构、探索,变学习零散的知识为经历较完善的认知结构的过程.基于此,本文探讨了高等数学主题情景教学模式,并给出实践实例.     

石墨-六角氮化硼微晶混合物与水高压反应产物分析

 利用球磨法制备石墨-六角氮化硼微晶混合物，并在6.1 GPa、800~1 500 ℃条件下与水进行高压反应，以便研究用水作触媒合成B-C-N三元化合物的可能性。通过对反应产物的XRD、XPS谱分析发现：高压下随着温度的升高，反应产物中出现再结晶石墨，其晶化程度逐渐提高；但没有出现再结晶六角氮化硼，也未出现立方氮化硼。在球磨不充分条件下，石墨-六角氮化硼混合物的XRD谱没有完全弥散，它们与水高压反应时，能观察到石墨与立方氮化硼分别结晶的现象，但都没有形成B-C-N晶化结构。     

机械密封焊接金属波纹管膜片结构的有限元分析

在Linux操作平台下应用FAST_wmg有限元前后处理软件对机械密封焊接金属波纹管膜片建立了有限元模型并进行了非线性有限元分析．在同等条件下对焊接金属波纹管采用了S型膜片和V型膜片，并分别进行了有限元强度评价和对比分析．结果表明，两种膜片最大应力集中都在膜片两端周围发生．这与文献所叙述的波纹管的主要失效发生在膜片两端与焊谷接近的部位非常吻合，但是，在同样边界条件下，在同样位移量时S型膜片最大应力值比V型膜片最大应力值小，压缩量大．