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81.
利用X射线衍射研究了CoNiZ(Z=Si,Sb,Sn,Ga等)合金在不同热处理条件下的相组成.当Z元素为Sn,Sb时,材料是完全的B2结构;但Z为Si时,材料变成面心立方的γ相.形成B2还是γ相由电子浓度和原子尺寸效应两种因素共同决定.而CoNiGa的研究结果表明,在合金中除了形成B2结构的同时还容易形成γ相,常表现出两相共存的特性.对材料进行不同方式的热处理可以使合金中两相的含量有所消长,γ相含量的多少对CoNiGa合金的马氏体相变有很大的影响.分析指出,两相共存及其所带来的物性变化是CoNiGa铁磁性形状记忆合金非常有利用价值的物理性质. 相似文献
82.
本文分析了传统的网络可靠性优化设计方法所存在的问题 ,给出了网络的通信通路数的定义 ,并基于网络的通信通路数给出了更能反映网络运行的实际情况的网络可靠性的定量模型 ,从而解决了传统网络可靠性优化设计方法所存在的问题 . 相似文献
83.
中国珠算协会于1999年颁发了《中国珠算协会珠算式心算鉴定标准》,其中:普通级分为十个级别,即10~1级,10级最低,1级最高。段位也分十个段位,初段~10段,初段最低,10段最高。 相似文献
84.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
85.
在几组试验温度条件下,细穗柽柳种子的出苗率随温度降低而下降;幼苗在低温作用下,短期内即大量死亡,从而限制了细穗柽柳利用春季融雪水份萌发生长。 相似文献
86.
We introduce a feedback mechanism to study the spreading of an epidemic by analytical methods and large scale simulations in exponential networks. It is found that introducing the feedback mechanism can reduce the density of infected individuals, Furthermore, it does not change the epidemic threshold (critical point) λc. These results can help us to understand epidemic spreading phenomena on social networks more practically and design appropriate strategies to control social infections. 相似文献
87.
应用经典场论和耦合模理论计算了斜向静磁场作用下,磁性薄膜波导中静磁波与导波光的相互作用.计算结果表明,与垂直静磁场情形相比,斜向静磁场时的相匹配条件有所变化,由于磁性薄膜波导中法拉第磁光效应增强等因素,导波光的Bragg衍射效率得以显著增加.这有利于应用YIG等低损耗磁性薄膜做成高衍射效率的磁光波导器件,亦有利于降低Bi∶YIG等高比法拉第旋转的磁光薄膜波导器件的体积和损耗.此外,理论指出的在斜向静磁场条件下所具有的一些磁光特性与实验结果亦符合得很好.
关键词: 相似文献
88.
89.
A thorough investigation of the systemd~2y(x):dx~2 p(x)y(x)=0with periodic impulse coefficientsp(x)={1,0≤xx_0>0) -η, x_0≤x<2π(η>0)p(x)=p(x 2π),-∞相似文献
90.