R1-xPrxBa2Cu3O7-δ超导Tc与稀土离子半径的关系

实验研究了R_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)系列的超导T_c和正常态电阻率,其中R=Nd,Dy,Tm,Yb和Lu。实验结果表明,Pr的部分替代导致超导T_c的抑制,其T_c抑制速率、临界Pr浓度X_(cr)和正常态电阻率与R三价离子半径之间有着密切相关。这个离子尺寸效应的起因可能与PrBa_2Cu_3O(7-δ)晶胞团的形成有关。 关键词：     

大气电场及其应用

本讨论了大气电场的规律，并介绍了利用大气电场推动静电电动机和刺激农作物生长的新技术。     

多板串接板条激光器的理论研究

讨论了多极串接时板条激光器的模体积匹配问题;并用数值计算分析了板条介质在腔内串接时,谐振腔参数的最佳选择.     

单频运转的Nd：YVO4激光器

报道了激光二极管纵向泵浦单频运转的Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器，用波长为８０９ｎｍ激光二极管的连续输出功率６６０ｍＷ泵浦，获得１０６４ｎｍ，功率为１５５ｍＷ连续单频输出，泵浦阈值２２６ｍＷ，斜率效率３３．８％，线宽小于１０ＭＨｚ．     

DEPOSITION OF HIGH QUALITY AMORPHOUS SILICON FILMS WITH STRONG HYDROGEN DILUTED SILANE AS REACTANT GAS SOURCE

By using strongly hydrogen diluted silane as a reactant gas source [C(=SiH₄/(SiH₄+H₂))<5%] in a conventional diode PECVD system, we have deposited high quality a-Si:H films which exhibit almost no Steable-Wronski (S-W) effect, The [H] radical in rf plasma erodes the growing surface and eliminates the weak Si-Si bonds, thus re-ducing the density of metastable defects of a-Si:H films and causing the amorphous network to be more perfect. Our results show that as C value decreases from 5.4 % to 0.8 %, the peak location of TO mode in Raman spectra changes from 480 to 500 cm^-1, the average distortion of bond angles Δθ, which is calculated from the width of half full height of TO peaks, reduces from 9.0° to 3.8°. The hydrogen content C_H of the samples which show almost no S-W effect is less than 10at%.     

用粘度法研究共混聚合物的相溶性

用乌氏粘度计测定含氢键共混体系PS(OH)/PBMA,PS(OH)/PBA和不含氢键的PBMA/PBA在甲苯中25℃的比浓粘度,根据η_(SP)/C～C的线性关系可计算出Huggins参数K_(H)和Chee提出的半经验参数μ。实验结果表明在这三组共混体系中PS(OH)/PBMA的氢键结合能力比PS(OH)/PBA强,而PBMA/PBA不存在键段之间的特殊相互作用,体系是不相溶的。     

用Moire条纹偏转技术测量金属杆的线膨胀系数

推导用 Moire 条纹偏转技术测量金属杆的线膨胀系数的计算公式,并且作了实验。和手册中的数据作了比较,证明了这种方法是可行的,且测量精度也是满意的。     

高压下LiKSO4介电和弹性特性的反常及p—T相图

本文通过对不同温度T(150—350K)和压力p(0—10kbar)范围内LiKSO₄晶体介电和弹性性质的研究,发现在室温8.2kbar(对应于升压过程),和4kbar(对应于降压过程)附近介电和弹性系数有突变。我们把它归结为压力诱导的LiKSO₄相转变。这个相变过程伴随着很大的压力滞后现象。本文还给出了LiKSO₄在上述温度和压力范围内的p-T相图。并发现在3.8kbar和281K处存在一个三相点。 关键词：     

非晶硅超晶格

半导体超晶格是1970年在美国IBM公司工作的江崎等人首先提出来的.随着分子束外延技术(MBE)的发展,已在七十年代实现了这种能达到原子量级、能进行精细加工的人造晶格结构.由于它具有一系列新颖的物理性能,越来越受到学术界的重视.人们认为,在不久的将来有可能采用各种超晶格结构制成新型电子器件,这种器件将会在各个领域里起主导或取代现有器件的作用. 从1983年起。在多次国际会议上已提出了一种新型的超晶格──非晶态半导体超晶格,或称为非晶态半导体多层膜结构.美国EXXON公司的B.Abeles和T·Tiedje首先著文介绍了这一新颖的工作[1]…