芴衍生物的合成、结构与蓝色(λmax=418nm)双光子荧光

分别以二苯胺和咔唑为端基,以芴为共轭桥, 合成了两个对称型芴衍生物:2,7-二-(N,N-二苯胺基)-9,9-二乙基芴[2,7-bis(N,N-diphenylamino)-9,9-diethyl-fluorene,简称DPDEF]和2,7-二咔唑基-9,9-二乙基芴(2,7-dicarbazol-9'-yl-9,9-diethyl-fluorene,简称DCDEF).用四圆X射线衍射方法测定了其晶体结构.DPDEF单晶属于单斜晶系,C2/c空间群.晶胞参数:a=2.8649(4) nm, b=0.85111(9) nm, c=2.7012(4) nm, β=100.982(11)º, V=6.4657(14) nm³, Z=8, D_c=1.144 g·cm^-3, R=0.0581. DCDEF单晶属于单斜晶系,P2₁/c空间群.晶胞参数:a=0.92794(12) nm, b=0.88561(9) nm, c=3.7236(4) nm, β=96.914(9)º, V=3.0378(6) nm³, Z=4, D_c=1.208 g*cm^-3, R=0.0652.晶体中DPDEF和DCDEF的芴桥具有很好的平面性,构成芴桥的两个苯环平面之间的夹角分别仅为3.0º和5.8º.在波长为730 nm的飞秒脉冲激光激发下,化合物DPDEF在THF中发出强的蓝色双光子上转换荧光(λ_max=418 nm),测得双光子吸收截面为15 GM.     

α′-(BEDT-TTF)2C6H4(SO3)2的合成、结构与导电性

用恒电流电化学结晶法合成了一种新的基于BEDT-TTF的电荷转移盐α′-(BEDT-TTF)2C6H4(SO3)2[BEDT-TTF=双亚乙基二硫四硫富瓦烯,C6H4(SO3)2 2 -=对苯二磺酸根].通过四圆X射线衍射方法测定了α′@(BEDT-TTF)2C6H4-(SO3)2的结构.晶体属于单斜晶系,P2/n空间群;晶胞参数:α=0.77937(17)nm,b=0.66989(11)nm,c=3.4422(7)nm,β＝91.135(12)°,V=1.7968(6)nm3.该晶体中BEDT-TTF+自由基沿α轴方向形成具有二聚体结构的交错排列型柱状堆积,沿b轴方向由肩并肩强分子间相互作用形成一维分子链.电荷补偿阴离子C6H4(SO3)2 2 -则在α方向存在较强的作用.沿c轴方向,BEDT-TTF+自由基层和阴离子层交替排列形成夹心式结构.α′-(BEDT-TTF)2C6H4-(SO3)2在ab面的某方向的室温电导率为0.5913 Q-1@m-1,电阻率-温度测定曲线表明它具有半导体导电行为.在150K附近,晶体发生了某种相变.     

新型配合物Mn2Hg4(SCN)12的合成与晶体结构分析

A new inorganic coordination compound Mn₂Hg₄(SCN)₁₂ was synthesized. The grown crystals were characterized by elemental analysis, infrared spectroscopic analysis and powder crystal X-ray diffraction in detail. The crystal structure of Mn₂Hg₄(SCN)₁₂ was determined by single-crystal X-ray diffraction. It belongs to monoclinic system, P2₁/c space group. The cell dimensions are: a=1.171 6 nm, b=1.431 05 nm, c=2.105 1 nm, β=100.738°, and Z=4. In the structure of it, half of Mn²⁺ cations have five-coordinate number, and other half of Mn²⁺ cations have six-coordinate number; 3/4 of Hg²⁺ cations are coordinated by four SCN^-, 1/4 of Hg²⁺ cations are coordinated by three SCN^- and one NCS^-, all the coordination geometry of Hg²⁺ show slightly distorted tetrahedrons. CCDC: 244939.     

á-(BEDT-TTF)_2C_6H_4(SO_3)_2的合成、结构与导电性

用恒电流电化学结晶法合成了一种新的基于BEDT TTF的电荷转移盐α′ (BEDT TTF) 2 C6H4 (SO3 ) 2 [BEDT TTF =双亚乙基二硫四硫富瓦烯 ,C6H4 (SO3 ) 2 -2 =对苯二磺酸根 ].通过四圆X射线衍射方法测定了α′ (BEDT TTF) 2 C6H4 (SO3 ) 2 的结构 .晶体属于单斜晶系 ,P2 /n空间群 ;晶胞参数 :a =0 .77937(17)nm ,b =0 .6 6 989(11)nm ,c =3.44 2 2(7)nm ,β =91.135 (12 )°,V =1.796 8(6 )nm3 .该晶体中BEDT TTF+ 自由基沿a轴方向形成具有二聚体结构的交错排列型柱状堆积 ,沿b轴方向由肩并肩强分子间相互作用形成一维分子链 .电荷补偿阴离子C6H4 (SO3 ) 2 -2 则在a方向存在较强的作用 .沿c轴方向 ,BEDT TTF+ 自由基层和阴离子层交替排列形成夹心式结构 .α′ (BEDT TTF) 2 C6H4 (SO3 ) 2 在ab面的某方向的室温电导率为 0 .5 913Ω-1·m-1,电阻率 -温度测定曲线表明它具有半导体导电行为 .在15 0K附近 ,晶体发生了某种相变     

乳酸甲酯脱水体系中丙烯酸甲酯的气相色谱分析

用气相色谱测定了乳酸甲酯脱水体系中丙烯酸甲酯的含量。样品用乙醚稀释,改性聚乙二醇FFAP毛细管柱分离,经FID检测器检测,以丙烯酸乙酯为内标,采用内标标准曲线法定量,丙烯酸甲酯的线性范围为0~53 mg.L-1,相关系数为0.999 4,检出限为0.001 5 mg.L-1(S/N=2),样品的回收率为96.8%~99.0%,相对标准偏差为1.55%~3.12%(n=7)。     

邮政运输网络中的邮路规划和邮车调度

本题是一道VRP问题,它涉及到最短路线、最小费用等条件下的优化问题.问题一中,我们论证出最少需要3辆邮车才能满足要求.然后对C1区域根据装载量、时间要求遍历出所有的可行路线,最后选出因空车率而减小的收入最小的邮路,其减少的收入为49.35元.问题二中,将整个区域进行划分,在每个小区域应用分枝定界法求出运行成本的路线.再通过对区域的微调讨论出使邮车数目更小的、更节省运行成本的邮路规划方案.问题三中,由于我们将Z55,Z57由县局X1负责运送,Z27由县局X2负责运送.问题四是一个选址问题.我们借助于中心点算法,考虑各支局在本县区域内的位置,并结合与地市局的距离,提出了相应的选址方案.     

Molecular and Crystal Structure of Trans -2- [p-N- methyl-N-(2'-hydroxyethyl)amino)phenyl-nitroethene?

1 INTRODUCTIONOver the past two decades, nonlinear optics is drawing steady attention because of its wide application proposed in the photonics-based technologies of optical signal processing, optical switching, optical sensing etc. A wide variety of materials including inorganic and organic crystals, thin films, and organic polymers and polymeric composites possess nonlinear optical (NLO) properties[1~3]. Among them, the polymer materials processed into thin films are expected to play a…     

4,5-二硫基-1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮与若干卤代烃的反应产物及其衍生物

合成了一组DMIT衍生物, 其中两个化合物完成了晶体结构测定, 讨论了化合物的合成条件, 结构与谱学特征。     

KDP晶体本征中性点缺陷的第一性研究

 用第一性原理研究了KH2PO4(KDP)晶体中性本征点缺陷的形成能并计算了常温下点缺陷的浓度。计算得到中性填隙氢原子的形成能为2.05 eV,进而得到298 K下的浓度约为1.21×10^-17 mol/L。由于填隙氢原子在带隙中形成缺陷能级,并使能隙降低了2.6 eV, 因此消除填隙氢原子有利于提高晶体在355 nm附近的激光损伤阈值。计算得到的氧间隙、氧空位、钾空位和氢空位的形成能分别为0.60、5.25、6.50 和6.58 eV,常温下它们在晶体中也以较高的浓度存在。钾空位使晶胞体积增大约3.2%,并可能提高晶体电导率,从而降低光损伤阈值。P取代K的反位结构缺陷形成能尽管较低(4.1 eV), 但由于晶体生长溶液中P是以PO4四面体的形式存在,故此点缺陷的存在几率很小。