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991.
α-Fe2O3气敏材料制备及掺杂效应近期发展 总被引:4,自引:0,他引:4
本文综合介绍了α-Fe2O3气敏材料近年来在制备方法(含影响因素)、防团聚技术、掺杂效应(含气敏机理)上的研究新进展,提出了今后气敏传感器研究及改进方向。 相似文献
992.
运用充分统计量法所述理论,可将观测空间由无限压缩至有限,当信号受到高斯白噪声的干扰时可用充分统计量表示被观测量的全部信息并检测出确知信号.基于M ATLAB在S IMUL INK模块库下建立检测过程仿真模型,运算出的充分统计量与门限值相比较得到检测结果,这种方法可推广到多元信号检测. 相似文献
993.
We have studied a two-electron quantum dot molecule in a magnetic field. The electron interaction is treated accurately by the direct diagonalization of the Hamiltonian matrix. We calculate two lowest energy levels of the two-electron quantum dot molecule in a magnetic field. Our results show that the electron interactions are significant, as they can change the total spin of the two-electron ground state of the system by adjusting the magnetic field between S = 0 and S = 1. The energy difference AE between the lowest S = 0 and S = 1 states is shown as a function of the axial magnetic field. We found that the energy difference between the lowest S = 0 and S = 1 states in the strong-B S = 0 state varies linearly. Our results provide a possible realization for a qubit to be fabricated by current growth techniques. 相似文献
994.
B族维生素都是水溶性维生素,是所有人体组织必不可少的营养素,是食物释放能量的关键.它们在人体中起协同作用,调节新陈代谢,维持皮肤和肌肉的健康,增进免疫系统和神经系统的功能,促进细胞生长和分裂(包括促进红血球的产生,预防贫血发生).缺乏维生素B会有视力疲劳、角膜充血、口角炎、胃肠蠕动无力、消化不良等症状,从而导致应对压力的能力衰退,甚至引发神经炎. 相似文献
995.
基于插入损耗的光纤信号调制器 总被引:1,自引:0,他引:1
基于光纤连接的横向偏移造成的插入损耗研制了一种的新型的光纤信号光调制器。调节对接光纤的横向偏移,可以调节对接光纤间的光耦合效率,利用调制信号调制横向偏移可实现对光纤传输光信号的调制。实验中,将调制电信号放大并加载于压电陶瓷使其振荡,由此控制对接光纤的横向偏移与调制信号同步变化,实现了对下一级光纤输出端光强的调制。这种光纤信号调制器主要针对光的振幅调制,实验中获得调制度优于95%,信噪比约为20dB,带宽约为200kHz。具有价格低廉、调制度高的特点,可应用于光纤传输信号的调制及信号斩波等。 相似文献
996.
997.
998.
用第一性原理计算研究沿[110]和[111]方向有序的Ba Ti O3/Sr Ti O3(BTO/STO)1∶1超晶格的晶格动力学、介电和压电性能.对两种有序BTO/STO超晶格从最高对称性的结构出发计算布里渊区中心声子,通过冻结不稳定声子得到畸变结构,进一步冻结不稳定声子得到基态结构.两种有序BTO/STO超晶格的基态结构分别是Pm和R3m结构.把声子介电张量和内应变压电张量分解成单个离子和单个声子的贡献.根据离子对介电和压电张量各分量的贡献可知Ti和O离子对介电和压电有比较大的贡献.声子对介电和压电张量的贡献的分析果表明频率较低的声子有主要的贡献.特别是沿[110]方向有序BTO/STO超晶格中ε11主要来自于频率为49 cm-1的软模A'声子的贡献. 相似文献
999.
结合紫外光电子能谱(UPS)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等实验手段系统研究了C8-BTBT沉积在层状Mo S2基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。研究发现C8-BTBT分子竖直生长在Mo S2上,生长过程中界面的真空能级(VL)、最高占据态轨道(HOMO)和电离能(IP)都出现了非常规的弯曲现象。这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中,其分子倾斜角(θ)存在一定的渐变,这种渐变会在沿表面法线方向诱导出一系列的层间电偶极,最终导致能级的弯曲。同时θ的变化也会改变薄膜的表面极化强度,引起IP的逐渐减小。能级的弯曲在界面处形成类P-N结的效应会对C8-BTBT基电子器件的性能有很大的影响。 相似文献
1000.