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1.
2.
We prove that to most of the known hypercyclic operators A on separable Banach spaces there exist compact (compact convex, compact connected) subsets K of E such that each compact (compact convex, compact connected) subset of E can be approximated with respect to Hausdorff's distance by for suitable . Received July 8, 1997, in final form October 17, 1997  相似文献   
3.
Camphorquinone (CQ), a widely used photoinitiator (PI) in dental applications, was covalently bonded to aromatic amines to enhance the rate of electron and proton transfer effect due to the close vicinity of the diketone and the amine group. 10‐bromocamphorquinone and 10‐bromomethylcamphorquinone were selected as suitable precursors for esterification with the carboxyl group containing aromatic amines based on 4‐dimethylaminobenzoic acid. Properties of the new photoinitiating systems were investigated by UV spectroscopy and differential scanning photocalorimetry in lauryl acrylate. Compared to physical mixtures, in all cases similar or even better performance was obtained. Surprisingly, 10‐acetyl derivatives 7 – 9 and 18 especially, were found to be highly reactive. Compared to CQ/ethyl 4‐dimethylaminobenzoate, the rate of photopolymerization was increased by a factor of up to 2. Intramolecular reaction was confirmed by photo‐differential scanning calorimetry experiments with varying PI concentrations. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 42: 4948–4963, 2004  相似文献   
4.
Squarefree monomial ideals arising from finite meet-semilattices and their free resolutions are studied. For the squarefree monomial ideals corresponding to poset ideals in a distributive lattice, the Alexander dual is computed.

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5.
We prove the converse of Raubenheimer and Rode's Banach algebra version of the Perron-Frobenius Theorem.

  相似文献   

6.
The new olefinic substituted aminodisilanes, which are obtained from the reaction of organometallic reagents with aminochlorodisilanes, are converted into the chlorodisilanes by equilibration reactions or treatment with HCI. The resulting olefinic functionalized disilanes are identified by means of 29Si, 13C, 1H NMR and GC MS measurements.  相似文献   
7.
A multilayer structure consisting of undoped GaAs and AlAs layers was incorporated into a buffer layer on GaAs substrates. This reduces the spreading of impurities from the substrate (e.g. tellurium) into layers deposited on top of the multilayer system as observed by SIMS and C/V profiling. Incorporation coefficients for tellurium in GaAs, AlAs and multilayers were calculated.  相似文献   
8.
Zusammenfassung Elektronische Zustände des Natriumazides werden durch ein Energiebandmodell charakterisiert, dem mittlere spektroskopische Eigenschaften zugrunde liegen. Unter Verwendung von UV-Absorptionsspektren sowie der in der 2. Mitt. ber. Polarisationsund Gitterenergie kann mit Hilfe eines Kreisprozesses das Bandmodell vervollständigt werden. Ein Vergleich mit den elektronischen Daten der Natriumhalogenide ergibt, daß sich das NaN3, wenn man von den feinstrukturellen Eigenschaften, die zur Zersetzung führen, absieht, natriumhalogenidähnlich verhält. Weiters werden Studien über elektronische Primärprozesse bei der thermischen Zersetzung mitgeteilt. Als geschwindigkeitsbestimmender Primärschritt wird ein Elektronentransfer von Azid-Ionen zu Elektronenfallen angenommen. Wie eine quantenmechanische Betrachtung gestörter Gitterpotentiale zeigt, ergeben kationische Fremdionen, anionische Leerstellen und Oberflächen Elektronenfallen, während kationische Leerstellen und anionische Fremdionen Streustellen für Elektronen und Excitonen darstellen. Auf der Basis eines Störzentrengases kann eine Geschwindigkeitsgleichung für den Primärschritt abgeleitet werden, die qualitativ durch Umsatz/Zeit-Kurven belegt wird. Diese wurden durch Registrierung der bei der Zersetzung entstehenden Stickstoff-Druck-Zunahme gewonnen. Durch Zersetzung von NaN3-Präparaten mit verschiedenen Gitterfehlern wird gezeigt, daß mit steigendem Einbau von kationischen Fremdionen, anionischen Leerstellen sowie einer Vergrößerung der Oberfläche die autokatalytische Zersetzung beschleunigt und mit steigendem Einbau von anionische Fremdionen die Reaktion verzögert wird. In der Sprache der Festkörperchemie entspricht dies einer Variation der Keimbildungsperiode.
Electronic states of sodium azide are characterized by an energy band model, based on mean spectroscopic properties. Using UV-absorption-spectra and the calculated polarization and lattice energies (see paper 2) the band model can be completed by means of a cyclic process. A comparison with the electronic data of sodium halogenides shows that sodium azide behaves similar neglecting the microstructural properties leading to the decomposition. Moreover, studies on electronic primary processes during thermal decompositions are reported on. An electron transfer from azide ions to electron traps is assumed to be a rate determining step. As shown by a quantum mechanical consideration of disturbed lattice potentials cationic impurities, anionic vacancies and surfaces give rise to electron traps, whereas cationic vacancies and anionic impurities represent defraction centers for electrons and excitons. Based on imperfections behaving like a gas a rate equation for the primary step can be derived, which is proved qualitatively by pressure/timecurves. By decomposing samples of sodium azides with various lattice defects it is shown that with increasing amounts of cationic impurities, anionic vacancies and an increase of the surface, the autocatalytic decomposition is accelerated, whereas with increasing amount of anionic impurities the reaction is slowed down. In decomposition chemistry this corresponds to a variation of the nucleiation period.


Mit 9 Abbildungen  相似文献   
9.
10.
Let R be a complete analytic k-algebra of dimension one, where k is a field of characteristic 0. For a Noetherian normalization , the cotangent functors Ti(R/A, R) are of finite length. It is shown that if R is smoothable, then for all j, where denotes the complementary module. This result is used to give estimates for the length of the torsion of the module of differentials R/k.  相似文献   
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