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二甲亚砜硝酸钇Y(NO3)3·3DMSO晶体属单斜晶系,a=13.604(4)?,b=12.669(4)?, c=11.554(2)?, β=100.14(4)°,z=4。空间群为P21/n。用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点数为3615个。结构已用重原子法解出,用全矩阵和方块对角矩阵最小二乘方法修正结构参数,最后R因子为0.080。结构分析结果表明,围绕着钇离子的九个氧构成稍歪扭的“三帽三方棱柱”配位多面体。钇和配位氧之间
关键词: 相似文献
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自由空间孤立导体的电容的计算新近受到了重视,因为这个计算是多电极系统的电极间互电容计算的第一步。本文提出采用混合的外接及内接曲面的方法来求得待计算导体电容的上限及下限,这个方法用在特殊截面同轴线特性阻抗的问题上收到了较好的效果。 试取图1中所示的有限长正方柱的自由空间的电容问题。文献[2]中已出现用外接及内接旋转长椭球曲面给出的此电容值粗的下限及上限。显然,如以一同长度的内接圆柱体的电容作为这个正方形柱的电容的下限,即可得到一个较大的下限。计算指出,如 相似文献
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996.
本文叙述N型InSb单晶和含有大晶粒的双晶样品(n~1.23×1014—2.40×1015cm-3,μe~5.15×105cm2/V·sec—2.10×105cm2/V·sec),在500℃下、不同气氛中进行热处理产生受主,引起热转换,而整块地变为P型样品,当继续热处理使温度达到熔点以上时,这种P型样品中的热受主消失了,而转变回到原来的N型样品;若把这种N型样品再在500℃下进行热处理,则它又整块地变为P型样品。我们对这一新发现的过程进行了一些研究,发现这种现象与材料的不同制备条件和热处理时的环境气氛不同有关,并对不同气氛下的循环热转换过程和熔化效应作了论述。在500℃下进行热处理所引起的热受主浓度与热处理时间的关系中,发现在热处理起始的一段时间内,热受主形成速率较大;随着热处理时间的增加,热受主浓度达到一个饱和值;若再加长热处理时间,则热受主浓度开始下降,这现象与硅的热处理现象相似。根据实验得到的新结果进行分析,认为这种热处理现象不象是外来因素的影响所引起的,而是一种原来存在于InSb中的内在因素所起的作用,推测可能是与氧和氢有关。最后我们对解释这种热处理现象的可能的机理进行了探讨。 相似文献
997.
998.
999.
胺草磷是一种合成除草剂,其晶体为无色片状,在无水乙醇和甲苯中能得到重新结晶。胺草磷晶Ⅰ和晶Ⅱ是胺草磷系列中的两个样品,均属于单斜晶系,空间群均为P21/c,晶胞参数基本一样,aⅠ=8.575?,bⅠ=26.541?,cⅠ=7.063?,βⅠ=94.744°;aⅡ=8.575?,bⅡ=26.538?,cⅡ=7.073?,βⅡ=93.819°。分子粗结构模型均用直接法获得,并用全矩阵最小二乘法进行修正,最后RⅠ=0.10;RⅡ=0.11。结构中的苯环平面和硝基平面成垂直关系。晶Ⅱ比晶Ⅰ除草效果好。
关键词: 相似文献
1000.