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CF2HCl分子在红外多光子解离时分子间的能量传递过程 总被引:1,自引:0,他引:1
The infrared multiphoton dissociation (IR MPD) of CF_2HCl by measuring the C_2F_4 product after laser irradiation is investigated, The dissociation fraction of CF_2HCl as a function of the CF_2HCl pressure, laser energy fluence and number of laser pulses is measured. Under the low pressure condition the bottleneck effect is observed. Under the collision condition the dissociation fraction of CF_2HCl is affected by the competition between rotaional hole filling (collisional repoputation of pumped rotational states) and collisional deactivation of excited CF_2HCl moleculae. 相似文献
183.
184.
Fabrication and Characteristics of Thin Film Bulk Acoustic Resonators with Highly c-Axis Oriented AlN Films 下载免费PDF全文
Thin film bulk acoustic resonators are fabricated by using silicon bulk micromachining technology, which are constructed mainly from aluminium nitride (AlN) piezoelectric films. The results of x-ray diffraction, scanning electron microscopy and atomic force microscopy show that the AlN films exhibit highly c-axis orientation with good surface morphology. The resonators with the AlN films possessed a reflection coefficient -10.6 dB at the resonant frequency 2.537 GHz, an effective electromechanical coupling coefficient 3.75%, series quality 101.8, and parallel quality 79. 7. 相似文献
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186.
研究了能量为64keV、注量1×1017cm-2的Ni离子注入金红石TiO2单晶制备的植入金属纳米晶的微观结构和磁学性能。注入层的结构和磁学性能采用透射电子显微分析(TEM)和超导量子干涉磁强计(SQUID)进行分析。结果表明,金红石单晶中有尺寸为3~18nm的金属Ni纳米晶生成,注入区域基体明显非晶化。10K温度下金属Ni纳米晶的矫顽力约为16.8kA·m-1,比Ni块材的矫顽力大。样品的零场冷却/有场冷却(ZFC/FC)曲线表明,金属Ni纳米晶的截止温度约为85K。 相似文献
187.
本文介绍了一个用CCD摄像机代替常规的全息于版记录图像,并存储在计算机里进行计算机处理.在电视屏幕上实时观察到干涉散斑场的相关条纹,从而测量出物体微小位移的光、电与计算机相结合的综合实验. 相似文献
188.
固体碳的一种新形态——富勒烯 总被引:4,自引:0,他引:4
一富勒烯(Fullerene)的发现人类对碳元素的研究和应用亘古至今,源远流长。人们熟知碳有两种同素异形体——石墨和金刚石。直到80年代中期,发现了富勒烯碳原子簇,尤其是近年来,对富勒烯的结构、性质深入广泛地研究,确认碳元素还存在着第三种晶体形态,已是顺理成章了。碳原子簇的研究始于天体物理学家对宇宙尘埃形成的兴趣,为了模拟星际空间及恒星附近碳原子簇的形成过程,早在1942年O Hahn等用质谱法证实了原子簇C_n(n<15)的存在。1984年Rohlfing等用质谱仪研究在超声氦气流中以激光蒸发石墨所得产物时,发现碳可以形成n<200的C_n原子簇。当n>40时,簇中碳原子教仅为偶数,并且还发现C_(60)的质谱峰明显高 相似文献
189.
通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-x< /sub>N/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa 1-xN势垒层中Al组分的变化关系,并用AlxGa1-xN/GaN 异质结构自发极化与压电极化机理和能
关键词:
xGa1-xN/GaN异质结构')" href="#">AlxGa1-xN/GaN异质结构
二维电子气
自发极化
压电极化 相似文献
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