晶体应力光学系数的研究

在以往关于晶体材料的应力双折射的标准中，都忽略了晶体在光弹方面所表现出的特殊性质，而将其与玻璃等同起来，应力仅以材料最长边中部或边缘单位长度上的光程差来表示。这与实际情况相差很大。本文从结构对称的立方晶系晶体入手，深入研究了晶体应力光学系数这一参量，提出晶体的应力光学系数不仅取决于材料，还与应力的取向、观察者的观察方向有关。并发现立方晶系晶体（１１１）面具有各向同性性质和在［１１１］方向应力状态下应力光学系数与观察方向无关的特性。另外还发现光波进入有应力的晶体后所分解的两束相互垂直的偏振光，有时其振动方向并不与应力方向平行，而是发生了偏转。这些研究将为晶体应力测量提供了科学依据     

ZnSe-ZnS多量子阱中激子动力学及受激发射

本文讨论了在ZnSe薄膜材料及ZnSe-ZnS多量子阱中宽阱材料和窄阱材料的激子弛豫过程和在窄阱材料中激子受激发射.     

MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系

测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.     

双通道红外光谱辐射计的研制及标定

研制了一台双通道(1.40±0.02μm,4.50±0.03μm)光谱辐射亮度计(以下简称辐射计),并进行了光谱辐亮度定标[1]。该辐射计主要由前置光学系统、精密机械调制器、双路单元红外探测器、锁相放大器、A/D转换器和单片机等组成。在短波红外波段,由InGaAs探测器和积分球光源传递国家光谱辐照度标准灯的标准[15],对辐射计进行标定[7];在中波红外波段,用大面积标准黑体辐射源和腔型黑体辐射源,标定辐射计的光谱辐亮度。由数据统计分析,得出辐射计的光谱辐亮度响应度的不确定度[12,14]。     

n-Si(As):Yb1130nm四能级发光研究

在n-Si(As):Yb中首次观察到1130nm的尖锐发光.通过掺入Yb的剂量与发光强度的关系以及红外吸收、透射光谱的测量,讨论了敏化剂Yb与激活剂As之间能量传递过程.适当选取Yb与As的浓度比可提高发光效率.     

流体静高压原位磁测量的误差研究──（1）漏磁场的影响

 通过五种不同环境分别做原位磁测量和对比，详细研究了13层密绕直螺线管的漏磁通在同步箍紧式高静水压容器内引起的相对误差（Δc₀/c₀）。结果表明：（1）对于空心次级线圈，Δc₀/c₀为-1.90%～-1.27%（400 Hz）或-0.36%～-0.64%（1 000 Hz）。（2）对于钝铁纳米微粉的（Fe-5H）样品，其磁化曲线及起始磁化曲线均为直线，即具有恒磁导率μ。漏磁通过在高压容器内引起的相对误差，Δμ/μ＝3.9%～3.8%，比（2）约大一倍。     

流体静高压原位磁测量的误差研究（二）──退磁场的影响

 为了探讨流体静高压原位磁测量中退磁场的影响有多大？分别选用6种不同片数（n＝1、3、5、7、10、13）的非晶Fe_46.3Co_0.03Ni_46.5Si_3.75V_0.92B_2.5合金薄带样品，先后放进13层密绕直螺线管初级线圈内，采用工业频率400 Hz去测量和比较其磁化曲线、磁导率曲线和起始磁化曲线。研究表明：（1）样品片数越多，退磁场的影响越大，导致μ_m和μ_i出现惊人的测量误差，以1片（μ_m＝4 430，μ_i＝3 396）为最准。（2）随着样品片数的增多，测量饱和磁感应强度B_s＝0.837～0.762T，表明受退磁场影响较小。（3）若要减小退磁场误差，可将样品做得更薄，如0.2 μm薄膜。（4）若要彻底消除退磁场误差，必须采用闭合磁路，如用非晶合金薄带卷成的圆环。     

新型硒化锑薄膜太阳电池背接触优化

硒化锑(Sb₂Se₃)具有低毒、原材料丰富和光电性能优异等优点,被认为是最具有发展潜力的薄膜太阳电池光吸收层材料之一.但目前Sb₂Se₃薄膜太阳电池光电转换效率与碲化镉、铜铟镓硒和钙钛矿等太阳电池相比仍存在较大差距.限制Sb₂Se₃薄膜太阳电池光电转换效率进一步提升的关键因素之一是,太阳电池结构中Mo背电极和Sb₂Se₃薄膜构建的背接触界面处容易形成较高的势垒,降低载流子的抽取效率.本工作则对Mo背电极进行热处理生成缓冲层MoO₂薄膜,发现缓冲层MoO₂的引入,可有效地促进Sb₂Se₃薄膜的择优取向生长,同时实现太阳电池Mo/MoO2/Sb₂Se₃背接触势垒降低,相应的填充因子、开路电压和短路电流密度均获得显著提高,构建的太阳电池光电转换效率从5.04%提升至7.05%.