各向异性网格下特征值问题的有限元分析

主要目的是在各向异性网格下研究二阶椭圆特征值问题的两类非协调有限元—类Wilson矩形元和Carey三角形元—的收敛性分析.通过新的技巧和方法,得到了与传统有限元网格剖分下相同的特征对的最优误差估计.推广了已有的结果.     

ON ASYMPTOTIC CRITERIA FOR A SECOND ORDER ELLIPTIC DIFFERENTIAL EQUATIONS

In this paper, we present some new asymptotic results for a second order elliptic differential equations by using integral averaging and completing square technique.     

联系实际 研究生活中的概率问题

概率是中学数学教材中的新增内容,也是近几年新课程卷高考的重点.此部分内容实际意义较浓,所以解决这类问题必须密切联系生活实际,才能从中抽象出一些切合实际的数学模型.下举例简要说明之.     

关于无套利市场的二叉树期权定价模型性质的讨论

本文讨论了二叉树期权市场的无套利条件,引入有随机因素存在的二叉树欧式期权定价模型,并推出单阶段、多阶段情况下欧式期权的计算公式,证明了多阶段市场未定权益的重要性质.     

一类六参数非协调任意凸四边形单元

本文构造了一类六参数非协调四边形单元,证明由此产生的有限元对任意四边形网格通过Irons分片检查,其收敛效果同Wilson元相当且形状函数的选择不依赖于单元本身。类Wilson元及改进的Wilson任意四边形单元是其中的特例。     

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3（STO）薄膜.研究了STO薄膜金属 绝缘体 半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明，STO薄膜显示出优异的介电性能，在10kHz处的介电常数约为105，损耗低于001，这来源于多晶结构和良好的结晶性；MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为15×1012cm-2和(14—35)×1012cm-2eV-1，这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关. 关键词： SrTiO3薄膜 MIS结构 介电性能 Si/STO界面     

在Pd/Cu(100)表面上外延的超薄Co膜的结构和磁性

利用脉冲激光溅射(PLD)和分子束外延(MBE)方法制备了超薄膜系统 Co/Pd/Cu(100).脉冲激 光溅射生长的单原子Pd层呈现了很好的二维生长模式.在这个Pd表面上，分子束外延生长的C o层直至12个原子层都表现了层-层生长模式.利用俄歇电子谱(AES)和低能电子衍射(LEED)研 究了该系统的表面结构.利用低温磁光克效应(MOKE)研究了系统的磁学性质.结构研究表明， Co层由于面内晶格失配应力而具有一个四方正交结构；与对比样品Co/Cu(100)的比较研究说 明Pd层的存在强烈地改善了Co膜的起始生长模式和结构.磁光克效应测量表明，Pd层的存在 改变了Co层的磁学性质. 关键词： 薄膜的磁性质 组织与形貌 界面磁性     

连续铸钢的最优控制数学模型

本文为连续铸钢建立了较为实际的最优控制模型，应用背景是控制钢的冷却过程以保证钢的质量，通过模型，问题转化为求最优的热交换系数使得某个目标泛函达到极小，状态方程用相松弛法求解，通过引入共轭状态方程，可求得该目标函数的梯度，然后按Ａｒｍｉｊｏ的框架设计了优化算法。数值试验表明优化效果令人满意，在最后一节，改进了原算法，使得优化效率大大提高。     

半导体分析

前言半导体材料的应用领域非常广泛,它包括电子学材料、磁性材料及光电材料等,其中,以硅为主要基础材料的电子学领域的发展最迅速。最近,用数微米的配线技术和深度数百埃的杂质扩散技术,已能在约5毫米见方的硅单晶片上,制得15万个元件的高集成化的集成电路。半导体材料的高纯化及掺杂的控制等,已进行多年的研究,且进展显著。目前,随着极微细化加工的需要,正在研究更痕量的碳、氧和重金属等杂质元素对元件产生的影响,因此,对这种影响     

NS型配体铜（Ⅱ）配合物的合成及电化学性质的研究

ＮＳ型配体铜（Ⅱ）配合物的合成及电化学性质的研究乐学义谭晓明＊何庭玉（华南农业大学应用化学系广州５１０６４２）石巨恩（华中师范大学化学系武汉４３００７０）关键词铜（Ⅱ）氧还电势ＮＳ型配体模拟中图分类号Ｏ６４１．４蓝铜蛋白在生物体内起着传递电子作用，由...