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901.
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.
关键词:
应变硅金属氧化物半导体场效应管
漏致势垒降低
二维泊松方程
阈值电压模型 相似文献
902.
TR4终端高性能探测器系统 总被引:1,自引:0,他引:1
描述了兰州中能重离子加速器TR4终端装备的高性能探测器系统的结构性能.各类探测器都达到了很好的性能指标.Si多叠层望远镜,Z/△Z~50,△E/E~0.3%.IC+PSD+SPD+CsI(T1)对数密度望远镜,Z/△Z~44.5,△x~1.7mm.棉球面反射镜结构开始时间探测器装置,△t~140Ps.重离子飞行时间谱仪,A/△A~86,Z/△Z~48,△E/E~0.78%,△t~286ps.9单元和36单元CsI(T1)轻粒子小角度关联探测器阵列,Si+CsI(T1)轻粒子望远镜也达到了很好的性能指标.简述了小角度关联等实验结果. 相似文献
903.
904.
905.
906.
建立了一种高效液相色谱法同时测定染发剂中对苯二胺等10种氧化型染料组分的检测方法.选用色谱柱Poroshell 120 Bonus-RP,针对对苯二胺、间苯二酚、对氨基苯酚、间氨基苯酚、4-氨基间甲酚、氢醌、4-氨基-2-羟基甲苯、2-硝基对苯二胺、甲苯-2,5-二胺硫酸盐和6-羟基吲哚等10种染料组分进行分析测定.方法在0.01~0.50 mg/m L质量浓度范围内线性相关系数为0.999 86~0.999 96,RSD小于5.91%,回收率为87.2%~106.7%.方法具有简单、快捷、分离效果好等特点. 相似文献
907.
以北美海蓬子种子为材料, 采用RACE技术获得北美海蓬子BADH基因的cDNA全长序列. 结果表明: BADH基因cDNA全长为1836bp, 其中开放阅读框(ORF)为1503bp, 编码500个氨基酸, 预测蛋白的分子量为54.5kDa, 理论等电点为5.31. 推测出BADH氨基酸中含有甜菜碱醛脱氢酶家族高度保守的十肽序列(VTLELGGKSP)及与酶功能相关的半胱氨酸残基(Cys). 序列比对和系统进化树显示, 北美海蓬子与盐节木和盐穗木的亲缘关系最近, 同源性达94%. 并构建了植物表达载体pCAMBIA3301-BADH, 将其成功导入到农杆菌EHA105中, 为进一步研究该基因的功能奠定了基础. 相似文献
908.
在PH5.3的HAc-NaAc,2-(3,5-地溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙氨基酚(3,5-Br2-PADAP)、溴代十六基三甲铵溶液中,用线性扫描示波极谱法可得到锑(Ⅲ)浓度在3.3×10^-8-2.5^10^-6mol/L范围内呈线性关系。 相似文献
909.
ZnO对Ag/SiO2催化剂银的分散作用及对吲哚合成稳定性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
将ZnO助剂加到由苯胺和乙二醇一步合成吲哚的Ag/SiO2催化剂中,发现ZnO助剂能大大提高催化剂的稳定性.XRD和TEM表征首次得到:ZnO是结构型助剂,它能使银很好地分散在SiO2表面上,并可有效地抑制反应过程中银粒子的烧结. 相似文献
910.
用硫脲分子表面修饰的CdS纳米粒子的合成和表征 总被引:15,自引:0,他引:15
报道了用硫脲分子进行表面化学修饰的CdS纳米粒子的合成方法,并引入了AOT(磺基琥珀酸双-2-乙基己基酯钠盐)作为平衡反离子,进一步对CdS表面作了修饰,增加了CdS纳米粒子在有机溶剂中的稳定性和可分散性。我们还探讨了温度、浓度、pH等因素对合成的影响,并通过TEM、XRD、FT-IR等手段对产物结构进行了表征。所得微粒粒径为5 nm左右,呈球形,硫脲分子与CdS纳米粒子富Cd2+表面通过形成Cd-S配位键而修饰在粒子表面。这种表面修饰的CdS纳米粒子将在非线性光学及自组装方面具有优 相似文献