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901.
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值. 关键词: 应变硅金属氧化物半导体场效应管 漏致势垒降低 二维泊松方程 阈值电压模型  相似文献   
902.
TR4终端高性能探测器系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
描述了兰州中能重离子加速器TR4终端装备的高性能探测器系统的结构性能.各类探测器都达到了很好的性能指标.Si多叠层望远镜,Z/△Z~50,△E/E~0.3%.IC+PSD+SPD+CsI(T1)对数密度望远镜,Z/△Z~44.5,△x~1.7mm.棉球面反射镜结构开始时间探测器装置,△t~140Ps.重离子飞行时间谱仪,A/△A~86,Z/△Z~48,△E/E~0.78%,△t~286ps.9单元和36单元CsI(T1)轻粒子小角度关联探测器阵列,Si+CsI(T1)轻粒子望远镜也达到了很好的性能指标.简述了小角度关联等实验结果.  相似文献   
903.
在好腔近似下,应用中心流形理论约化广义Maxwell-Bloch激光方程,与绝热消去法比较,它将引起小的修正,数值结果表明,该修正并不发迹系统的主要动力学性质。  相似文献   
904.
丁健  王亚雄  全红娟 《大学物理》2006,25(12):35-38
提出了求解轴对称静电场的柱函数展开法,推导出用对称轴上的电势分布表示空间电势分布的级数展开式,并给出了求解轴对称静电场的例子.  相似文献   
905.
具有突变结构开放腔的矩阵分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
刘迎辉  李宏福  李浩  王峨锋  徐勇  王晖  王丽 《物理学报》2006,55(4):1718-1723
利用模式展开与场匹配原理,建立了突变波导的散射矩阵(S参数矩阵),在此基础上分析研究了具有突变结构的波导开放式谐振腔,并由矩阵级联建立了开放腔总的S参数矩阵.通过Matlab编制计算程序对具有多级突变结构的开放式输出腔进行了数值计算和分析,并通过与实验数据和软件模拟的结果比较对该方法得到的数据结果进行了验证. 关键词: 回旋管 开放式谐振腔 突变结构 S参数矩阵  相似文献   
906.
建立了一种高效液相色谱法同时测定染发剂中对苯二胺等10种氧化型染料组分的检测方法.选用色谱柱Poroshell 120 Bonus-RP,针对对苯二胺、间苯二酚、对氨基苯酚、间氨基苯酚、4-氨基间甲酚、氢醌、4-氨基-2-羟基甲苯、2-硝基对苯二胺、甲苯-2,5-二胺硫酸盐和6-羟基吲哚等10种染料组分进行分析测定.方法在0.01~0.50 mg/m L质量浓度范围内线性相关系数为0.999 86~0.999 96,RSD小于5.91%,回收率为87.2%~106.7%.方法具有简单、快捷、分离效果好等特点.  相似文献   
907.
以北美海蓬子种子为材料, 采用RACE技术获得北美海蓬子BADH基因的cDNA全长序列. 结果表明: BADH基因cDNA全长为1836bp, 其中开放阅读框(ORF)为1503bp, 编码500个氨基酸, 预测蛋白的分子量为54.5kDa, 理论等电点为5.31. 推测出BADH氨基酸中含有甜菜碱醛脱氢酶家族高度保守的十肽序列(VTLELGGKSP)及与酶功能相关的半胱氨酸残基(Cys). 序列比对和系统进化树显示, 北美海蓬子与盐节木和盐穗木的亲缘关系最近, 同源性达94%. 并构建了植物表达载体pCAMBIA3301-BADH, 将其成功导入到农杆菌EHA105中, 为进一步研究该基因的功能奠定了基础.  相似文献   
908.
张淑云  王宝萍 《分析化学》1996,24(12):1433-1436
在PH5.3的HAc-NaAc,2-(3,5-地溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙氨基酚(3,5-Br2-PADAP)、溴代十六基三甲铵溶液中,用线性扫描示波极谱法可得到锑(Ⅲ)浓度在3.3×10^-8-2.5^10^-6mol/L范围内呈线性关系。  相似文献   
909.
将ZnO助剂加到由苯胺和乙二醇一步合成吲哚的Ag/SiO2催化剂中,发现ZnO助剂能大大提高催化剂的稳定性.XRD和TEM表征首次得到:ZnO是结构型助剂,它能使银很好地分散在SiO2表面上,并可有效地抑制反应过程中银粒子的烧结.  相似文献   
910.
用硫脲分子表面修饰的CdS纳米粒子的合成和表征   总被引:15,自引:0,他引:15  
报道了用硫脲分子进行表面化学修饰的CdS纳米粒子的合成方法,并引入了AOT(磺基琥珀酸双-2-乙基己基酯钠盐)作为平衡反离子,进一步对CdS表面作了修饰,增加了CdS纳米粒子在有机溶剂中的稳定性和可分散性。我们还探讨了温度、浓度、pH等因素对合成的影响,并通过TEM、XRD、FT-IR等手段对产物结构进行了表征。所得微粒粒径为5 nm左右,呈球形,硫脲分子与CdS纳米粒子富Cd2+表面通过形成Cd-S配位键而修饰在粒子表面。这种表面修饰的CdS纳米粒子将在非线性光学及自组装方面具有优  相似文献   
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