Controlled Bidirectional Quantum Direct Communication by Using a GHZ State

A controlled bidirectional quantum secret direct communication scheme is proposed by using a Greenberger- Horne-Zeilinger （GHZ） state. In the scheme, two users can exchange their secret messages simultaneously with a set of devices under the control of a third party. The security of the scheme is analysed and confirmed.     

Y3Al5O12：Eu^3＋磷光体的溶胶—凝胶法合成及发光特性

以金属烷氧基化合物为原料．采用溶胶-凝胶法在1000℃下合成了Eu^3 掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体。利用TG-DSC，XRD和发光光谱等对样品进行了表征。结果表明，YAG：Eu^3 的晶相形成温度为991℃。Eu^3 在非晶态和晶态YAG中的发射光谱有明显差异。研究了Eu^3 含量和烧结温度对Eu^3 的^5D0→^7F1和^5D0→^7F2发射峰强度的影响。随煅烧温度的升高和Eu^3 浓度的增加，Eu^3 发射峰强度增强。     

强激光远场焦斑重构算法研究

 通过CCD图像采集单元结合传统的列阵相机测量高功率固体激光器的远场焦斑分布，采用图像处理技术的边缘算子提取焦斑的几何中心，提出通过几何中心对心的焦斑嵌套重构算法，解决了光斑饱和时的对心难题，实现了快捷准确测量激光焦斑，为激光器的实时控制提供参考数据。     

EXISTENCE OF GLOBAL SMOOTH SOLUTION FOR SCALAR CONSERVATION LAWS WITH DEGENERATE VISCOSITY IN 2-DIMENSIONAL SPACE

This article concerns the existence of global smooth solution for scalar conservation laws with degenerate viscosity in 2-dimensional space. The analysis is based on successive approximation and maximum principle.     

配合物LaL3.H2O的合成及表征

本文以３－甲基苯甲酸为配体，合成了与三价稀土镧离子的固体配合物ＬａＬ３．Ｈ２Ｏ，并对该配合物进行了元素分析，红外光谱，ＵＶ光谱，ＴＧ－ＤＴＡ，ＨＮＭＲ等的测试与表征。该配合物属螯合双齿配位。     

组成论介绍(中):复杂程度和复杂度定律

上期指出每个广义集合都有对应的分布函数 (规律 ) .本文指出 ,利用广义集合的分布函数可以计算出一个体现客观事物的内部状态的丰富程度的物理量 :复杂程度 .如果广义集合具有随机性 ,这个广义集合就符合最复杂原理 ,在一些情况下可以利用这个原理反求得广义集合的分布函数 (公式 ) .1　复杂程度概念“复杂”这个词应用范围很广 ,科学地计量事物的“复杂程度”很重要 .我们利用广义集合定义复杂程度 .Ｎ个个体组成的广义集合中如果标志值有ｋ个不同的值ｘ1,ｘ2 ,… ,ｘｉ,… ,ｘｋ,而与之对应的个体的数量分别为ｎ1,ｎ2 ,… ,ｎｉ,… ,ｎｋ…     

关于具有常平均曲率和数量曲率超曲面的Mbius几何的一个注记

设x:M→Sn 1(n≥3)是n 1-维单位球中的无脐点超曲面, Mobius不变量G,Φ,A和B分别表示x的Mobius度量, Mobius形式, Blaschke形式和Mobius第二基本形式．本文证明了如果x的Mobius形式Φ平行,并且A λG μB=0,其中λ,μ分别是定义在M上的光滑函数,那么Φ=0,由此及李海中、王长平(2003年)文献中的分类定理给出了Sn 1中具有平行的Mobius形式及满足A λG μB=0的超曲面的分类．此结果推广了他们及张廷枋(2003年)文献中的结果．     

纳米晶Y_2SiO_5∶Eu的浓度猝灭研究

报道了分别用溶胶－凝胶法合成的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ纳米晶和用高温固相法合成常规尺度的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ材料的光致发光光谱和猝灭浓度的实验研究．结果表明：纳米Ｙ２－ｘＥｕｘＳｉＯ５比常规尺度的Ｙ２－ｘＥｕｘＳｉＯ５有更高的猝灭浓度和更高的发光亮度．理论分析认为这是由于在纳米材料中能量共振传递被阻断和猝灭中心在各个纳米晶内分布的涨落造成的．这个结果为高亮度的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ纳米材料的实际开发应用展示了广阔前景．     

单电子效应与单电子晶体管

由于半导体超微细加工技术的发展，在半径为几百ｎｍ的量子点结构上观察到由单个电子的阻塞和隧穿引起的电流振荡，分别称为库仑阻塞，单电子隧穿和库仑振荡，与此效应有关的现象还有库仑台阶，旋转门效应，旋转门器件可利用作为电流标准测量，单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择，单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。