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甲氟哌酸的极谱伏安行为研究及其应用 总被引:3,自引:0,他引:3
本较详细研究了甲氟哌酸的极谱伏安行为。在0.02mol/L氯化铵底液中,甲氟哌酸产生一个良好的还原峰,峰电位(Ep)为-1.450V。其导数峰高与浓度在9×10^-5-3×10^-7mol/L范围内呈现良好的线性关系,大多数金属离子和无机阴离子不干扰测定,用于甲氟哌酸合杨样品的测定,结果满意。本还用多种电化学方法和技术研究了还原峰电流的性质,并提出了电极反应的机理。 相似文献
194.
在教学改革运动中,提出数形結合的問題以后,就引起了全国各地数学工作者的广泛討論。許多同志认为数和形是客观世界相互矛盾的两个方面,两者是辯証的統一,如果把数和形割裂开来,不仅使学生不能深刻孰識客观世界的本来面貌,而且使学生的思維变得死板、僵化,妨碍学生智力的发展和学习的积极性,因而学生掌握的知識是片面的孤立的。另一方面,也有不少同志不贊同数形結合,由于各門学科有它本身的严密的系統性,如果貫彻数形結合,就破坏了数学領域中各分科的体系,妨碍了学生邏輯思維的发展。此外,有些同志贊同数形結合,但是訊为数形結合不等子在中学教学中废除几何課,必須承认中学数学課有其自身独特的規律性。本着双百方針的精神,本文拟从心理学角度来討論数学教学方法上数形結合的几个問題。不妥之处,請同志們指正。 相似文献
195.
Oligomerization of perfluoropropylene catalyzed by π-bis-(arene)chromium(0) gave two dimers(ⅡA and ⅡB), two trimers(ⅢA and ⅢB) and two defluorotrimers(ⅣA and ⅣB). The last were found to arise from hydrogenation of ⅢB followed by dehydrofluorination. Hydrogen fluoride evolved was added to perfluoropropylene to give 2-hydroheptafluoropropane. By using labeling technique, hydrogen was found to arise from ligand presumably through π-σ rearrangement, A possible mechanism was proposed, π-Bis(benzene)chromium(0) was able to catalyze the polymerization of perfluorobut-2-yne to form its polymer, a white powder. The same catalyst could catalyze copolymerization of CF_3CCCF_3 and CF3CFCF_2 to give solid copolymer. Three perfluoro-2-alkynenitriles (CF_3CC-CN,C_2F_5CC-CN, n-C_3F_7CC-CN) were successfully synthesized by intramolecular Wittig reaction and one of them, i.e, C_2F_5C CCN was polymerized catalytically by π-bis(benzene)chromium(0) to give its polymer. a black powder. 相似文献
196.
美国电化学学会第145次会议文章摘要中,有53篇和发光材料、显示器件有关。我们从中选译了一部份,陆续刊登以供参考。这次刊出的是和彩色电视有关的文章摘要,参考资料目录一律从略。 相似文献
197.
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199.
Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time 下载免费PDF全文
Semi-insulating (SI) GaN is grown using N2 as the nucleation layer (NL) carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared. 相似文献
200.
利用Banach压缩映像原理以及构造一个显式迭代,得到阿达马分数阶微分方程在无穷区间上的正解的存在唯一性结果.而且,我们给出了一个误差估计. 相似文献