用同步辐射光源研究掺铈对闪烁体发光性质的影响

描述了北京同步辐射装置上，利用同步辐射作为激光光源，观测微量元素铈对闪烁体ＧＳＯ、ＰｂＦ２和ＢａＦ２发光性质的影响。     

关于举行第十一次全国电化学会议的第一轮通知

第十一次全国电化学会议初步定于 2 0 0 1年 1 0月在南京市举行 ,会议由中国科学院长春应用化学研究所和南京师范大学联合承办 .此次会议是 2 1世纪和新千年的第一次全国电化学会议 ,将反映我国电化学基础研究和应用基础研究的最新进展 ,除按专题进行学术交流外 ,还将对电化学领域研究的前沿问题安排大会报告 .热烈欢迎各高等院校、研究所和企业从事电化学研究和应用的人员参加 ,也希望各单位推荐或自荐大会报告的题目 .愿大家一起努力 ,开好这次大会 ,以共同促进我国电化学事业的发展 .一、征文内容1、电化学基础研究2、化学电源 (化学与物…     

航天发射超导磁浮平台设计的初步实验研究

鉴于未来航天发射安全、可靠、低成本的要求，国外先后提出了不同磁悬浮系统助推发射运载器的概念及方案．我们基于初步拟定的高温超导磁悬浮发射系统方案，展开了相应的研究和探索．本文从磁浮系统悬浮力和稳定性综合考虑出发，建立配套高温超导实验测试系统，研究和比较了NdFeB永磁轨道构型和高温超导块材组合对磁浮系统性能的影响，并进行了定性的分析，其结果对小型缩比磁悬浮发射试验平台的构造具有极其重要的现实意义．     

EDTA衍生物冠醚的NMR研究

报道N,N'-二羧甲基大环醚双内酯(1-4)¹H NMR溶剂效应,¹H NMR跟踪的稳定性研究,溶剂极性影响标题化合物构象互变而表现为¹³C谱线特征.     

水热合成稀土氟化物材料YLiF4：Yb，Tm的上转换发光特性

利用水热法合成了掺杂Tm^3 和Yb^3 的YL^3 材料，并研究了Tm^3 和Yb^3 在材料中的光吸收，以及980nm红外光激发下不同Tm^3 浓度掺杂下的上转换发光特性。实验发现，在980nm激光激发下，材料可发出可见光。上转换发光光谱中包括蓝光和红光。与蓝光相比，红光强度要弱1～2个数量级。上转换发光强度和浓度关系研究显示，当Tm^3 浓度为0．3％(摩尔分数)时上转换发光达到最强，大于0．3％(摩尔分数)后发光开始减弱。通过分析输出光强与泵浦功率的双对数曲线，发现Tm^3 的蓝光发射和红光发射均属于双光子过程。     

6-烷基-2-吡啶甲醛及其希夫碱衍生物的合成

羧酸经酰氯化、酰胺化和环合制得2-甲基-6-烷基吡啶(3);3经氧化、乙酯化、还原及氧化合成了3个6-烷基吡啶甲醛(7);7与烷基苯胺缩合合成了一系列希夫碱(其中8个为新化合物),其结构经UV-Vis, 1H NMR, FT-IR和MS表征.     

AR模型识别及其参数的高阶Yule—Walker估计

一、引言自回归谱估计在许多领域获得了广泛的应用,随着科学技术的不断发展,对谱估计分辨力的要求越来越高.高阶 Yule-Walker 谱估计就是具有较高分辨力的一种估计(见[1]).为了进一步研究这种估计首先必须研究自回归模型阶的识别及其参数的高阶Yule-Walker 估计.通常使用的自回归定阶方法与参数的矩估计方法使用了样本自协方差函数(或样本自相关函数)在零点的值(?)(0)(或(?)(0))。而(?)(0)(或(?)(0))就是影响自回归谱估计分辨力的一个重要因素.实际上,通常的信号观测值包含两部分     

Dislocation Reduction Mechanisms in Gallium Nitride Films Grown by Canti-Bridge Epitaxy Method

By using the special maskless V-grooved c-plane sapphire as the substrate, we previously developed a novel GaN LEO method, or the so-called canti-bridge epitaxy （CBE）, and consequently wing-tilt-free GaN films were obtained with low dislocation densities, with which all the conventional difficulties can be overcome [J. Vacuum Sci. Technol. B 23 （2005） 2476]. Here the evolution manner of dlslocations in the CBE GaN films is investigated using transmission electron microscopy. The mechanisms of dislocation reduction are discussed. Dislocation behaviour is found to be similar to that in the conventional LEO GaN films except the enhanced dislocation-combination at the coalescence boundary that is a major dislocation-reduction mechanism for the bent horizontal-propagating dislocations in the CBE GaN films. The enhancement of this dislocation-combination probability is believed to result from the inclined shape and the undulate morphology of the sidewalls, which can be readily obtained in a wide range of applicable film-growth conditions during the GaN CBE process. Further development of the GaN CBE method and better crystal-quality of the GaN film both are expected.     

急性铅染毒对小鼠行为及脂质过氧化水平的影响

为了解急性铅染毒对小鼠行为及脂质过氧化水平的影响,并探讨两者关系,将48只ICR小鼠随机分为4组,低、中、高铅组小鼠分别予以醋酸铅2、10、50 mg/kg ip染毒,隔日1次,连续3次;对照组予以等量的生理盐水;染毒后作自发活动、Morris水迷宫测试,实验结束时测定血浆、脑匀浆MDA和T-SOD。结果表明,铅染毒小鼠易激惹、多动,逃避潜伏期显著延长(P<0.01)。血浆MDA、T-SOD和脑匀浆MDA明显增高(P<0.01),并与染铅剂量呈正线性相关(P<0.01)。但小鼠行为改变与脂质过氧化水平之间关系不明显。结论是急性铅染毒能够影响小鼠的行为,呈现激惹、多动及学习记忆能力减退;急性铅染毒能提高小鼠脂质过氧化水平,并可代偿性提高机体T-SOD活性,但脂质过氧化水平增高是否为急性铅中毒行为改变的机制之一尚有待进一步研究。