首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   52711篇
  免费   10847篇
  国内免费   19953篇
化学   37931篇
晶体学   2538篇
力学   4421篇
综合类   2149篇
数学   9096篇
物理学   27376篇
  2024年   166篇
  2023年   564篇
  2022年   1967篇
  2021年   1923篇
  2020年   1899篇
  2019年   1811篇
  2018年   1742篇
  2017年   2607篇
  2016年   1792篇
  2015年   2719篇
  2014年   3365篇
  2013年   4325篇
  2012年   4312篇
  2011年   4704篇
  2010年   4765篇
  2009年   4979篇
  2008年   5495篇
  2007年   4953篇
  2006年   4903篇
  2005年   4101篇
  2004年   3163篇
  2003年   2303篇
  2002年   2239篇
  2001年   2346篇
  2000年   2456篇
  1999年   1449篇
  1998年   725篇
  1997年   563篇
  1996年   533篇
  1995年   498篇
  1994年   516篇
  1993年   483篇
  1992年   488篇
  1991年   310篇
  1990年   293篇
  1989年   315篇
  1988年   291篇
  1987年   235篇
  1986年   216篇
  1985年   147篇
  1984年   151篇
  1983年   133篇
  1982年   104篇
  1981年   86篇
  1980年   77篇
  1979年   89篇
  1978年   23篇
  1977年   19篇
  1965年   35篇
  1959年   16篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
91.
In this paper, two compounds [Zn_2~(2+)(2,6-bis(4'-pyridyl)-TTF)(TPA)_2~(2-)](1) and [Cd~(2+)(2,6(7)-bis(4'-pyridyl)-TTF)(TPA)~(2-)(H_2O)_2](TTF = tetrathiafulvalene, TPA = terephthalic acid)(2) were synthesized by using solvothermal method and characterized by single-crystal X-ray. The purity of the two compounds was confirmed by their PXRD data. We also tested the photocurrent responses of these two compounds, and found they could generate photocurrent signal when exposed to light, but the photocurrent intensity of compound 2 is significantly greater than that of 1. From the crystal structure analysis, the possible reason for this phenomenon is that 2 has a more compact ligand arrangement than 1, leading to a higher carrier density and easier excitation.  相似文献   
92.
钾明矾(KAl(SO4)2·12H2O)有较高的潜热和良好的导热性(熔化热232.4kJ/kg,导热系数为0.55W/m·K),熔点为91℃,是中低温相变材料中较有开发价值的一种.但是它的过冷度高达19.8℃,并且由于相变过程伴随着结晶水的蒸发使无机盐的使用寿命大大降低.本文通过冷指法及添加成核剂的方法对硫酸铝钾的过冷现象进行了研究,结果表明成核剂NiSO4·6H2O、MgCl2·6H2O能较好的改善过冷现象,当MgCl2·6H2O的添加量为2;时可使过冷度降为零,且能保持钾明矾的相变温度而不使其降低.利用MgCl2·6H2O具有很强的吸湿性,可以补充相变过程中损失的水分,使相变材料的使用寿命大大提高.  相似文献   
93.
以乙酸铵和柠檬酸为燃烧剂,Ce(NO3)3·6H2O和Pr6O11为主要原料,采用低温燃烧法(LCS)制备了Ce0.95Pr0.5O2纳米晶粉体.用DSC、XRD、SEM及色度测试等手段研究了Ce0.95Pr0.5O2纳米晶微粒前驱体的着火温度、产物晶体结构、晶体形貌及色度.结果表明:乙酸铵和柠檬酸作为燃烧剂的反应前驱体着火温度分别在250℃和300℃左右.两种燃烧产物均为单一的萤石型固溶体.与柠檬酸相比,乙酸铵作为燃烧剂得到的燃烧产物结晶程度更完善、Pr离子进入CeO2晶格的含量更多、呈色更好,且颗粒的团聚程度变小.根据Scherrer公式计算,用两种燃烧剂制备产物的平均晶粒尺寸分别为20~30 nm和10~15 nm,为纳米晶颗粒.最后得到Ce0.95Pr0.5O2粉体的颗粒尺寸则在200~300 nm之间.乙酸铵与硝酸铈的最佳摩尔配比为2:1,柠檬酸与硝酸铈的最佳摩尔配比为3:1.  相似文献   
94.
Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一.Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值.Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或红褐色,空间点群Pm3m.Cu3N薄膜在室温下相当稳定并且热分解温度较低(300℃左右),热分解前后薄膜的光学反射率有较大差别,这可使Cu3N薄膜用作一次性光记录材料.此外,Cu3N薄膜还可用作在Si片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的阻挡层、自组装材料的模板等.  相似文献   
95.
溶剂热法合成CoS2纳米粉体   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文采用溶剂热法,以CoCl2·6H2O 、Na2S·9H2O为原料,乙二醇和无水乙醇为溶剂,在180 ℃恒温下制备出CoS2纳米粉体.用XRD和SEM、TEM对其组成、粒径大小、表面形貌进行表征,用VSM对其铁磁性进行测量.结果表明, 制得的CoS2为粒度均匀、粒径分布在10~50nm之间的球形铁磁性纳米材料.  相似文献   
96.
SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…  相似文献   
97.
工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45~1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04 ×10-4 Ω·cm、可见光波段(400~800 nm)透过率为91.9;,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.  相似文献   
98.
以元素单质Pb片,Te粉,Se粉为原料,乙二胺为螯合剂,采用元素溶剂热反应合成出不同形貌的PbE(E=Te,Se)微晶.对所得反应物进行了X射线衍射分析,透射电镜(TEM)与扫描电镜(SEM)的分析,光致荧光光谱的表征.分析了反应条件对合成PbE(E=Te,Se)微晶的影响,讨论了其反应过程及机理.结果表明当反应温度为180℃时,反应12h可获得高度结晶的树枝状PbTe微晶以及立方状PbSe微晶.  相似文献   
99.
6H-SiC衬底片的表面处理   总被引:1,自引:0,他引:1  
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.  相似文献   
100.
文中对双闭环直流调速系统控制器的选择进行了分析,并借鉴免疫算法强大的寻优能力,提出了基于免疫算法的调速系统控制器参数整定方法.为了分析比较,实际应用中采用了三种控制器参数整定方法,比较结果说明,免疫算法在调速系统控制器参数整定中的应用是更加有效的.通过在单晶炉拉晶过程的应用,证明该方法可行性和正确性.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号