The application of spectral distribution of product of two random matrices in the factor analysis

In the factor analysis model with large cross-section and time-series dimensions,we pro- pose a new method to estimate the number of factors.Specially if the idiosyncratic terms satisfy a linear time series model,the estimators of the parameters can be obtained in the time series model. The theoretical properties of the estimators are also explored.A simulation study and an empirical analysis are conducted.     

排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响，利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟，近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势：β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)²+3,其中h为纳米导线的高度，ρ为纳米导线的半径，W是以R为自变量的函数，R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小，而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素：当R<R₀时，场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小；当R>R₀时，场发射增强因子基本不变，其中R₀为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势，但是随着阵列数目的增加，R₀会有一定程度的减小，场发射增强因子也会降低. 关键词： 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目     

Mn替代对Dy2AlFe16-xMnx化合物的结构和磁性的影响

通过X射线衍射及磁测量手段研究了Dy2AlFe16-xMnx化合物的结构和磁性.研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物具有六角相的Th2Ni17型结构.对x=1,2的样品采用X射线热膨胀测定法在104-647K的温度范围内测量了其热膨胀性质,发现这些化合物在低温下存在热膨胀反常现象,在居里点附近出现负膨胀性质.对自发磁致伸缩的研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物中存在着较强的各向异性的自发磁致伸缩,随着Mn含量的增加,其低温下的自发体磁致伸缩减弱.磁测量结果表明Mn的替代导致Dy2AlFe16-xMnx化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降.     

非化学配比锰基钙钛矿输运特性研究

本文报道了用溶胶凝胶法并经过低温(900℃)后处理制备的具有非化学配比的La2/3Ca1/3Mn1-xO3(x=0～0.10)多晶样品的电输运和磁性质的实验研究.结果表明,随x的增加,样品呈现出明显增强的非本征磁电阻效应,同时其本征磁电阻效应减弱.实验还观察到样品的颗粒尺寸随x的增加而减小的现象.基于样品的结构特征,本文讨论了其独特输运性能的形成原因.     

拟南芥胚的不同区域对MeV离子辐照的响应

利用不同能量的质子在大气环境中辐照拟南芥的含水种子，能量从1.1MeV到6.5MeV.根据模拟计算结果，相应能量的离子对种子的损伤区域分别为胚的浅层、胚的一半和整个胚.本实验中，具有较高能量的质子可以完全均匀地作用于拟南芥生长、发育及遗传密切相关的胚茎端分生组织，而能量较低的质子则不能直接作用于茎端分生组织.实验所用质子注量范围为4×10⁹ions/cm²—1×10¹⁴ions/cm².实验结果显示，虽然拟南芥种子的发芽率和幼苗存活率随离子注量增加都呈现下降的趋势，但对应于不同的胚损伤区域，即在不同的入射质子能量条件下，注量曲线具有各自的特征.实验结果显示，拟南芥种子中除了胚茎端分生组织作为对离子辐照敏感的辐射主靶外，茎端分生组织之外的胚区域可能作为离子辐射次靶，影响到最终的辐射生物学效应. 关键词： 离子辐照 拟南芥 胚区域 生物效应     

Synthesis, morphology and random laser action of ZnO nanostructures

Three-dimensional (3-D) ZnO random-wall nanostructures and one-dimensional (1-D) ZnO nanorods were prepared on silicon substrates by a simple solid-vapour phase thermal sublimation technique. Optical pumped random lasing has been observed in the ZnO random-wall arrays with a threshold intensity of 0.38 MW/cm² in the emission wavelength from 380 to 395 nm. The optical gain was attributed to the closed-loop scattering and light amplification of the ZnO random-wall. The experimental result suggests that the morphology of nanostructure is the key factor to effect random lasing.     

DUAL RECIPROCITY HYBRID BOUNDARY NODE METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL ELASTICITY WITH BODY FORCE

Combining Dual Reciprocity Method （DRM） with Hybrid Boundary Node Method （HBNM）, the Dual Reciprocity Hybrid Boundary Node Method （DRHBNM） is developed for three-dimensional linear elasticity problems with body force. This method can be used to solve the elasticity problems with body force without domain integral, which is inevitable by HBNM. To demonstrate the versatility and the fast convergence of this method, some numerical examples of 3-D elasticity problems with body forces are examined. The computational results show that the present method is effective and can be widely applied in solving practical engineering problems.     

物理实验中最佳参量值的选取

许多物理实验中，一些参量要靠实验者本身去选择，参量的选取应以由此而产生的误差最小为标准，本文从误差分析入手，通过典型的实例，给出了选取最佳参量的一种方法。     

H m -modified wave operator for nonlinear Hartree equation in space of dimensionn≥2

We consider the scattering problem for the Hartree equation with potential |x|⁻¹ in a space of dimensionn≥2. We prove the existence ofH ^m -modified wave operator for Hartree equation on a dense set of a neighborhood of zero inH ^m (ℝ ⁿ ), meanwhile, we obtain also the global existence for the Cauchy problem of Hartree equation in a space of dimensionn≥2. This project is supported by the National Natural Science Foundation of China, 19601005     

环上矩阵广义Moore-Penrose逆的存在性

讨论带有对合反自同构*有单位元的结合环R上矩阵的广义Moore-Penrose 逆,给出了环R上矩阵的广义Moore-Penrose逆存在的几个充要条件．特别,得到了环 R上矩阵A的关于M和N的广义Moore-Penrose逆存在的充要条件是A有分解A= GDH,其中D2=D,(MD)*=MD,(GD)*MGD+M(I-D)和DHN-1(DH)*+ (I-D)M-1均可逆．