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171.
Fe纳米颗粒嵌埋对类金刚石薄膜结构及电学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用脉冲激光气相沉积方法制备了不同Fe嵌埋浓度的Fe: DLC多层纳米复合薄膜。用X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的组成成分进行分析。利用透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱、电流-电压曲线研究Fe纳米颗粒嵌埋对薄膜的微观结构及电学性能的影响。XPS和TEM表明,Fe纳米颗粒周期性地均匀地嵌埋在碳薄膜中。拉曼光谱表明薄膜中的C为典型的类金刚石结构,Fe纳米颗粒促进芳香环式结构的形成,薄膜结构的有序度提高。电流 电压曲线表明,Fe纳米颗粒的嵌埋导致薄膜的室温电导率增加。 相似文献
172.
厦门市民办校在解决外来务工人员子女教育问题中发挥着重要作用,但是部分民办学校由于各种办学条件的限制,在一定程度上影响了民办校初三化学教学的质量。本研究通过调研厦门市民办校化学教学现状,对如何提高民办校(特别是民办薄弱校)的教学质量、如何促进民办校师资队伍建设、如何进一步实现教育公平等问题作初步的探讨。 相似文献
173.
合成了以三联吡啶锇Os(Ⅱ)配合物为光敏剂的PS-Fe2S2型模拟铁氢化酶分子光催化剂1a及其分子间光催化模型化合物1b和2, 研究了配合物1a和1b的吸收光谱, 发光光谱及电化学性质. 配合物1a和1b均表现出三联吡啶锇Os(Ⅱ)配合物的MLCT吸收峰; 与不含Fe2S2基团的配合物1b相比, 在配合物1a中三联吡啶锇Os(Ⅱ)配合物单元的发光被明显猝灭, 猝灭程度为92%. 而在同样浓度下, 配合物1b与2组成的分子间体系中三联吡啶锇Os(Ⅱ)配合物的发光仅被猝灭了4%. 通过Rehm-Weller方程计算得出由三联吡啶锇Os(Ⅱ)配合物单元到Fe2S2活性中心的光致电子转移自由能为正, 表明分子内1a和分子间1b+2体系均不能发生光致电子转移, 体系发光猝灭的原因是三联吡啶锇Os(Ⅱ)配合物3MLCT激发态与铁氢化酶模拟活性中心Fe2S2的能量转移. 相似文献
174.
运用距离相关紧密结合的分子动力学模型,通过无量纲的形变参数S1对简单金属原子团簇Na4、Na8、Na14和Na20相变时的多极形变特征进行了分析,发现S1可以用作表征团簇形变的灵敏探针. 相似文献
175.
ONTHEEXISTENCEOFATMOSTTWOLIMITCYCLESENCLOSINGALOTOFSINGULARPOINTS¥WangYumin(王裕民)(JianghanUniversity,江汉大学,邮编:430010)ZengXianwu... 相似文献
176.
研究一种基于计算机视觉原理获取飞行目标姿态方法在实施过程中地面测量站点的布设问题,提出目标贴近地面和在高空飞行两种情况下测量站点的布设方案,指出测量站点布设时需要考虑目标像长、两交会平面之间夹角等影响因素,并要避免发生奇异情况. 相似文献
177.
将两个正方形按某种方式拼合在一起,然后使其中的一个正方形绕某一点旋转到一定位置,探究图形的几何性质,为学生提供了一个动态的数学环境,使学生在图形的旋转过程中感悟知识的发生、发展过程,探究图形性质 相似文献
178.
直接溶剂萃取/气相色谱-质谱检测辐照牛肉中的2-十二烷基环丁酮 总被引:1,自引:0,他引:1
应用直接溶剂萃取/气相色谱-质谱技术,建立了辐照牛肉中2-十二烷基环丁酮(2-Dodecylcyclobu-tanone,2-DCB)的快速检测方法。5 g牛肉糜与7 g无水Na2SO4混合均匀后,加入150 mL乙腈,搅拌提取2 min,提取液过滤转移至500 mL圆底烧瓶中,提取重复2次,将提取液旋转蒸干,用正己烷清洗烧瓶并收集,定容至50 mL,取10 mL氮吹浓缩至1 mL,用硅胶固相萃取小柱(1 g,6 mL)净化,淋洗液经氮气吹干后用正己烷定容至1 mL,取1μL供气相色谱-质谱测定。本方法检出限为0.004 mg/kg,定量限为0.01 mg/kg;牛肉糜中2-DCB添加浓度在0.01~0.50 mg/kg范围内的回收率为87.9%~91.6%,相对标准偏差小于7%,样品前处理仅需60~90 min。采用本方法对辐照剂量为0.5~7.0 kGy的牛肉进行检测,表明辐照剂量与牛肉中2-DCB含量存在线性相关关系(y=0.0608x-0.0004,相关系数R2=0.9899)。 相似文献
179.
以天然生物高分子羊毛为载体,成功制备了负载型Pd(0)催化剂.采用电场发射扫描电镜和光电子能谱等方法对催化剂进行了表征.结果表明,Pd(0)颗粒均匀地分散在羊毛表面.将羊毛-Pd(0)催化剂用于醇氧化反应,考察了催化剂用量、碱类型和用量、反应温度及时间等因素对反应性能的影响.实验发现,在水相中,35mg羊毛-Pd(0)催化剂在0.2mmol的K2CO3存在下,可以高选择性地将0.2mmol的醇转化为相应的醛或酮,且该催化剂具有很好的重复使用性能. 相似文献
180.
本工作采用电子回旋共振(ECR)低压等离子体刻蚀技术, 刻蚀非晶熔石英表面. Ar/CF4为反应气体刻蚀后再经O等离子体钝化, 非晶熔石英表面出现晶化现象. 晶化层约几百纳米厚. Ar/CF4在ECR的电磁场作用下产生F离子与C离子, F离子使熔石英表面的Si-O共价键断裂, 并释放出O离子. C离子与O离子迅速键合生成CO2, 而被断键的Si原子与四个F原子键合生成气态SiF4. 熔石英原始表面被去除的同时, 在新的表面留下大量不饱和Si原子. 不饱和Si原子在高温条件下被O等离子钝化, 形成结晶态α 方石英. 相似文献