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991.
992.
Luminescentcoordinativelyunsaturatedmetalcomplexesareappealingfromphotochemicalandphotophysicalperspec tive.1,2 Square planarplatinum(II)complexescontainingachelatingdiimineligandrepresentapromisingclassofthesemolecules.2 However,theyareusuallyweakemittersorevennonemissiveinfluidsolutionatroomtemperatureduetoaD2ddistortion .3Therefore ,manyresearchershavedivertedtheirattentiontothetridentateligand ,whichfavorsplanargeometryandwoulddiscourageaD2ddistortion .Inparticu lar,platinum(II)complexe… 相似文献
993.
Si基光发射材料的探索 总被引:3,自引:0,他引:3
由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,一直是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料,甚至成为严格意义上的直接带隙材料,给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑战。除多孔Si之外,最近已有若干令人鼓舞的方案,包括Si纳米晶、Si/O超晶格和注硼位错工程等方法,实现了Si基材料的有效发光试验。本文在分析其中最令人关注的进展的基础上,认为要实现高效率、高响应速率的Si基发光材料,以适应超高速、大容量信息处理和传输的要求,较好的途径是直接设计出具有直接带隙的Si基材料。因为避免界面态参与发光过程,对于提高响应速度至关重要。但是如何设计直接带隙的半导体材料并没有现成的规则可依循。我们建议一个经验的对称性法则,并设计出一种新的硅晶超晶格。通过计算机模拟计算表明,其中Se/Si10/Se/Si10/Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征,其带隙处于红外波段。预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能,其制作也可方便地与硅微电子工艺兼容。因此,它在信息光电子领域有强大的应用潜力。 相似文献
994.
The authors prove that all n-th completely bounded cohomology groups of a nest algebra T(N) acting on a separable Hilbert space are trivial when the coefficients lie in any ultraweakly closed T(N)-bimodule containing the nest algebra. They also prove that Hcbn(A, M)(?)Hcbn(A, A) for all n≥1 and a CSL algebra A with an ultraweakly closed A-bimodule M containing A. 相似文献
995.
本文给出一种电子散斑干涉条纹信号实时处理系统的实现方案;详细分析了物体变形前后信号延迟对相关性的影响;并导出条纹信号频率范围与离面位移的关系式及散斑背景噪音最低频率估算式,从获取低背景噪音条纹图角度给出光学系统优化设计的依据;最后给出实验结果. 相似文献
996.
997.
针对DSR路由协议由于采用泛洪机制而导致的较高路由开销这一问题,提出了使用查询局部化技术的优化方案.即在原有的DSR协议的基础上引入查询局部化技术,将泛洪控制在一个局部的范围内,以防止整个网络内的泛洪,从而减小网络开销.仿真结果表明,使用查询局部化技术后,网络路由协议开销得到显著减小(约50%)并降低了平均端到端时延. 相似文献
998.
对一种计算机之间文件在公用电话线路上安全传输系统进了研究,该系统使用YMODEM-BATCH作为文件传输协议,采用以Intel180C96KB单片机作为主处理器的外挂加密设备的方法,解决了公用电话网络上计算机之间文件安全传输的问题,该系统通过国防科工委科学技术部鉴定,效果良好. 相似文献
999.
1000.
为了揭示Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相的存在方式及其对薄膜力学 性能的影响 ,采用x射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、俄歇电子能谱仪和显微硬度仪对比研究了磁 控溅射Ti_Si_N复合膜和TiN/Si3N4多层膜的微结构和力学性能. 实 验结果表明 ,Ti_Si_N复合膜均形成了Si3N4界面相包裹TiN纳米晶粒的微结构. 其中低Si 含量的Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相的厚度小于1nm,且以晶体态 存在,薄膜 呈现高硬度. 而高Si含量的Ti_Si_N复合膜中的Si3N4界面相以非晶 态存在,薄 膜的硬度也相应降低. 显然,Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相以晶体 态形式存在 是薄膜获得高硬度的重要微结构特征,其强化机制可能与多层膜的超硬效应是相同的.
关键词:
Ti-Si-N复合膜
界面相
微结构
超硬效应 相似文献