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991.
992.
993.
Hollow glass microsphere production for laser direct-driven fusion targets on Shen Guang II 总被引:1,自引:0,他引:1
A liquid-droplet technique was investigated to fabricate thin wall hollow glass microspheres (HGM) used in laser fusion experiments on Shen Guang II. Glass-forming compositions, operating conditions of the droplet generator and the vertical multiple-zone furnace were optimized. Thin wall HGM with diameters of about 100, 200, and 520 μm were fabricated, whose failure pressures, gas retention properties for D2, and chemical durability were all characterized. The results of the fusion experiments show that the HGM targets are quite satisfactory and the highest neutron yields obtained are 4x 109. 相似文献
994.
995.
频率分裂与模竞争现象教学实验He—Ne激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
一、引言激光课程中,激光的频率特性和激光烧孔效应及模竞争这两部分内容都是必需但又较难理解的内容,因而辅助教学的实验就显得尤为重要。通常进行激光频率特性实验的装置是扫描干涉仪。实验方法是让激光束射入扫描干涉仪,在示波屏上观察激光纵模。学生所能做的仅是学习如何使用扫描干涉仪和激光束含有几个纵模的感性认识。学生无法控制这些纵模(频率)以及纵模间隔。实验的质和量相对于纵模(频率)这一概念的重要性来说,显得不够充实。 相似文献
996.
为探讨巴卡亭III对心衰诱导的心房纤维化是否有效及潜在作用机制, 本研究对C57BL/6小鼠行胸主动脉缩窄手术, 构建心衰模型, 进一步腹腔注射巴卡亭III, 以观察心房纤维化程度及相应信号通路的改变. 在体外使用血管紧张素II刺激成年小鼠心房成纤维细胞, 巴卡亭III处理后观察心房成纤维细胞分化、迁移和分泌细胞外基质的能力及TGF-β1/Smad2/3信号通路的改变. 临床样本表明, 心衰可以加重心房纤维化的程度(P<0.05). 动物实验表明, 巴卡亭III可以减轻心衰诱导的小鼠心功能不全及左心房扩大和纤维化, 并减轻心房组织TGF-β1/Smad2/3信号通路的激活(P<0.01). 细胞实验表明, 巴卡亭III可以抑制Ang-II所诱导的心房成纤维细胞分化、迁移和分泌细胞外基质的能力和减轻心房成纤维细胞TGF-β1/Smad2/3信号通路的激活(P<0.01). 表明巴卡亭III可通过TGF-β1/Smad2/3信号通路抑制心房成纤维细胞的活动, 从而减轻心衰诱导的心房纤维化的发生发展. 相似文献
997.
998.
采用第一性原理,在局域自旋密度近似LSDA及LSDA+U近似,对Ni4NdB化合物进行结构优化,计算体系晶格常数,电子结构和磁性能.结果表明,Ni4NdB为带隙很小的金属导体,存在Nd-Ni铁磁耦合,体系总磁矩由Nd原子局域磁矩提供.体系原子成键较为复杂,Nd原子与近邻Ni原子成金属键,Nd原子与近邻B原子成较强离子键,Ni原子与近邻Ni原子间存在间接交换相互作用.在U作用下,体系磁矩与Nd原子磁矩变化一致,Ni原子磁矩在2.75 eV呈现磁有序-磁有序崩溃转变
关键词:
密度泛函理论
电子结构
磁性能
稀土过渡金属间化合物 相似文献
999.
采用辉光放电聚合技术,在不同工作压强条件下制备了掺硅的辉光放电聚合物(Si-GDP)薄膜.并采用傅里叶变换红外吸收光谱和X射线光电子能谱(XPS)对Si-GDP薄膜进行了表征,分析了压强变化对其内部结构及成分的影响.利用紫外—可见光谱对Si-GDP薄膜的光学带隙进行了分析.结果表明:Si-GDP薄膜中Si元素主要以Si—C,Si—H,Si—O,Si—CH3的键合形式存在;随着工作压强的增大,薄膜中Si—C键相对含量先减小后增加;从Si-GDP薄膜的XPS分析可以发现,C—C与C C含
关键词:
硅掺杂辉光放电聚合物薄膜
工作压强
傅里叶变换红外吸收光谱
X射线光电子能谱 相似文献
1000.
采用高纯元素直接熔融、淬火并结合放电等离子烧结方法制备了非化学计量比AgSbTe2+x(x=0—0.05)系列样品,研究了不同Te含量在300—600 K范围内对样品热电性能的影响规律.结果表明:随着Te含量的增加,Ag+离子空位浓度增加,空穴浓度和电导率大幅度提高,Seebeck系数减小.热导率随Te过量程度的增加略有增加,但所有Te过量样品的晶格热导率均介于0.32—0.49 W/mK之间,低于化学计量比样品的值,接近理论最低晶格热导率.AgS
关键词:
2')" href="#">AgSbTe2
非化学计量比
热电性能
热导率 相似文献