仲氢诱导极化增强的核磁共振实验条件优化

仲氢诱导极化(Parahydrogen Induced Polarization, PHIP)技术能够极大地增强核磁共振信号,在化学、生物、医学等多方面具有广阔的应用前景．但在实际应用中,通过PHIP技术获得的核磁共振(NMR)信号增强倍数往往受到实际反应条件的影响．该文中以己炔的加氢反应为例,考察了氢气通入方式、反应温度和反应压强对PHIP实验中核磁共振信号增强倍数的影响．     

利用仲氢诱导极化技术实现 Deutsch算法

核磁共振系统是实现量子计算的有效物理体系之一．但是随着量子位数的不断增加,运用核磁共振技术实现计算任务存在明显的局限性,原因之一是量子计算的初始态-赝纯态,随着量子位数的增加,信号指数性的衰减,量子位数越多制备赝纯态所需的脉冲序列越复杂,越不容易实现,不利于量子位数的扩展;另外,由于核磁共振中制备的赝纯态实际上也是一种混合态,用于实现量子信息任务时存在一定的争议．该文介绍的利用仲氢诱导极化技术(PHIP)制备出的实验初态,能够解决初态处于混合态的问题,并且信号强度显著增强,作者利用此态实现了 ALTADENA 条件下的两量子位的 Deutsch-Jozsa 量子算法和 PASADENA 条件下的三量子位的Deutsch-Like 量子算法．
     

碳布生长二维Ni-Mn MOF用于柔性超级电容器

通过溶剂热法在碳布（CC）表面生成二维Ni-Mn层状双金属氢氧化物,利用溶剂热法将其转化为二维Ni-Mn金属有机骨架（Ni-Mn MOF）,产物形貌保持良好。探究了不同Ni、Mn元素物质的量之比、反应温度和反应时间对材料形貌、结构及性能的影响。当Ni、Mn元素物质的量之比为9：1、反应温度为120 ℃、反应时间为12 h时,Ni-Mn MOF/CC电极的电化学性能最佳。在电流密度为1 mA·cm^-2时,该电极的面积比电容高达4 007.5 mF·cm^-2,同时该电极具有良好的循环稳定性。将该电极应用于柔性对称超级电容器中,该柔性对称超级电容器可180°弯折,且在10 mA·cm^-2的电流密度下进行5 000次循环后电容保留率为83.6%,具有良好的循环稳定性和柔韧性。     

Meldrum酸合成方法的改进

Meldrum酸(I)首先由Meldrum于1908年将丙二酸和丙酮在醋酐中缩合而成,1948年Da-vidson等用同样方法合成了(Ⅰ),并阐明其正确的名称为2,2-二甲基-1,3-二氧六环-4,6-二酮,其结构式为:     

非标准分析和任意维数的广义函数的乘法

本文把文献[1]中所定义的一维广义函数的乘积推广至任意维数。于是对任意S,T∈D′(Rⁿ),我们有乘积SoT。这一乘积具有通常乘积所具有的性质。一个新的现象是:偶数维的δ函数的自乘具有非零的Hadamard有限部分。     

源于基础 开拓思维——一道习题的解法与联想

“解析几何是用代数方法来研究几种问题的一门数学学科.”用代数方法解决几何问题确实方便.但是注意到几何本身的性质,加强数与形的结合,将更有利于解析几何的教与学.高中(解析几何课本)甲种本第126页第24题为:过圆外一点P(a,b),引圆x~2+y~2=R~2的两条切线,求经过两切点的直线方程. 解法(1):设过P点圆的切线方程:     

光度分析显色试剂的量子化学研究——Ⅰ.变色酸双偶氮膦类分子的电子光谱与π轨道能级

变色酸双偶氮膦类显色剂,是国内近年来迅速发展的一类希土光度分析试剂,关于这类试剂的合成及应用,已做了许多工作,并取得不少成果。在此基础上,为改进或研制新的光度分析试剂,掌握显色试剂结构与性能的规律性关系,已成为势在必行的事;而在这些研究中,量子化学方法又是一种相当重要的手段。因为凭借量子化学基本原理及概念,按所选定的某些简化模型,借助经验参数作近似计算,可获得试剂传统研究方法难以得到的一些重     

V2O5空心球作为高效硫载体用于锂硫电池（英文）

以V2O5空心球作为锂硫电池的正极材料,将其用于存储硫和限制多硫化物的穿梭效应。V2O5空心球的平均直径约为500 nm,为存储硫提供了更多空间并适应硫电极的体积变化。同时,V2O5对多硫化物具有很强的化学吸附性,可以有效地限制多硫化物的穿梭效应。由于中空结构增加了硫的存储,并通过化学键牢固地吸附多硫化物,使该锂硫电池同时具有高容量和良好的稳定性。V2O5/S作为正极的锂硫电池在0.1C倍率时显示出1439 mAh·g-1的高可逆容量,并在1C的倍率下循环300次后的容量约为600 mAh·g-1。     

From microelectronics to spintronics and magnonics

In this review, the recent developments in microelectronics, spintronics, and magnonics have been summarized and compared. Firstly, the history of the spintronics has been briefly reviewed. Moreover, the recent development of magnonics such as magnon-mediated current drag effect (MCDE), magnon valve effect (MVE), magnon junction effect (MJE), magnon blocking effect (MBE), magnon-mediated nonlocal spin Hall magnetoresistance (MNSMR), magnon-transfer torque (MTT) effect, and magnon resonant tunneling (MRT) effect, magnon skin effect (MSE), etc., existing in magnon junctions or magnon heterojunctions, have been summarized and their potential applications in memory and logic devices, etc., are prospected, from which we can see a promising future for spintronics and magnonics beyond micro-electronics.