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11.
低温常压下,在有机溶剂中制备出了氮化铝纳米晶.通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析,样品中立方相和六方相共存;经XRD和TEM分析,样品中颗粒的平均粒度约为50nm;在样品的PL谱中,在475nm有一个非常强的由氮空位引起的发射峰,而在550nm有一个由AlN的本征缺陷及纳米颗粒的表面效应引起的宽且弱的发射峰.
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12.
研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征.结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶.这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强.
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