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351.
用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积制备金属Pd膜、LaNiO3单层膜和Pd/LaNiO3复合薄膜,利用XRD,SEM,EDS能谱、四元探针和电化学方法系统研究了退火处理和表面覆Pd对Pd/LaNiO3复合薄膜电极的相组织结构、表面形貌、电学以及电化学储氢行为的影响。结果表明,700℃退火1 h后,LaNiO3薄膜具有结晶度较佳的钙钛矿型菱方结构组织和最小的电阻率(0.79 mΩ·cm),退火温度高于800℃后,LaNiO3菱方型结构组织开始分解,电阻率增加。LaNiO3薄膜在空气中退火后其表面化学吸附氧转变为晶格氧,导致LaNiO3薄膜氧元素含量明显增加。电化学测试结果表明,在碱液中金属Pd膜具有良好的析氢电催化活性和较好的电化学储氢性能,其最大放电容量为130 mAh·g-1。退火态LaNiO3单膜电极放电容量很小(27 mAh·g-1),当表面覆Pd后退火态LaNiO3/Pd复合薄膜电极放电容量增加至181 mAh·g-1,扣除其表面Pd膜吸氢容量后LaNiO3薄膜电极的实际放电容量最高达到400 mAh·g-1。LaNiO3表面镀Pd后能极大改善和提高LaNiO3薄膜电极的电催化活性和电化学储氢容量。 相似文献
352.
353.
通过真空热压烧结方法制备Ni/Ti2AlC复合材料,并对材料进行热处理,考察了两种不同热处理工艺对复合材料的显微组织和室温及800 ℃下摩擦学性能的影响. 结果表明:烧结后,Ni/10%Ti2AlC复合材料包含Ni基固溶体、TiCx、Ni3Al和少量Al2O3,而Ni/50%Ti2AlC主要由Ni2TiAl、TiCx、Ti3NiAl2C和少量Al2O3组成. 分别于1 200和1 350 ℃热处理16 h后,Ni/10%Ti2AlC中的Ni3Al相和Ni/50%Ti2AlC中的Ti3NiAl2C相消失. 热处理导致TiCx相的生长,复合材料显微组织得到优化,同时材料保持了高度致密性. 热处理后,两种复合材料的维氏硬度下降,这主要归结于Ni3Al强化相的消失和碳化物的长大. 随着热处理温度的升高,室温下复合材料的磨损率降低,这主要归结于热处理优化了显微组织,提高了两相结合强度,进而抑制了TiCx颗粒的脱出,减少了磨粒磨损的发生;800 ℃摩擦条件下,热处理前后,复合材料均表现出较低的摩擦系数和磨损率,这主要归结于高温下磨损表面形成的由TiO2、NiO和NiTiO3组成的润滑膜所起到的减摩抗磨作用,此外,热处理使得显微组织更均匀,更有利于磨损表面TiO2和NiTiO3润滑相的形成,对摩擦学性能有利. 相似文献
354.
以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基于其的底栅型场效应器件(Back-gate FET)。实验结果表明:p型CuInS2微球所需合成温度为200℃,禁带宽度为1.62eV,电导率约为2S·cm-1。CuInS2微球有望用于低耗、高效CuInS2基光伏器件的制备。 相似文献
355.
Elastic properties of platinum nitride (PtN) are studied by first-principles calculations with the fully relativistic full potential linearized augmented plane-wave (LAPW) method, the plane-wave ultrasoft pseudopotential (PWPP) and the projector-augmented wave (PAW) methods. The results reveal that: (1) the scalar relativistic scheme is sufficient to treat the valence electronic structure, i.e. the spin-orbit effect has little effect on the bulk modulus value of platinum nitride; (2) the all-electron full potential method is no more accurate than the pseudopotential and PAW-based methods when calculating the lattice constant and bulk modulus properties of the platinum nitride; (3) platinum nitride in zinc-blende structure is unstable and its crystal structure is still an open problem. 相似文献
356.
部分气体双原子分子的完全振动能谱和离解能的精确研究 总被引:1,自引:1,他引:0
鉴于气体双原子分子H2、O2、N2和CO的高振动激发态能级和离解行为在实际研究中的重要性,本文应用代数方法(AM)和代数能量方法(AEM),以部分气体双原子分子有限的实验能级[Ev]为基础,获得了H2-X1∑ g、O2-A3∑ u、O2-c1∑-u、N2-X1∑ g和CO-X1∑ 共5个电子态的完全振动能谱{Ev}及其分子的离解能,为研究部分离解气体的物理和化学性质提供了重要的高振动激发态能级和可靠的离解能数据. 相似文献
357.
358.
Near-Infrared Femtosecond Laser Induced Defect Formation in High Purity Silica Below the Optical Breakdown Threshold 下载免费PDF全文
Optical absorption, electron spin resonance and photoluminescence spectra were used to study the defect forma-tion in high purity fused silica induced by a focused infrared femtosecond laser with the input intensity below damage threshold. Si E′ centres were formed in the silica. The number of Si E′ centre was found increasing linearly with power density of the fs laser, deviated from the increment photo-induced free carrier density. We concluded that the colour centres were formed at the defect sites that were newly generated by radiolysis of silica tetrahedral network and displacement of oxygen between two silicon atoms. Material structure is already modified even though the irradiation fs laser power was well below the damage threshold. 相似文献
359.
360.