全文获取类型
收费全文 | 49篇 |
免费 | 12篇 |
国内免费 | 24篇 |
专业分类
化学 | 28篇 |
晶体学 | 9篇 |
综合类 | 2篇 |
数学 | 3篇 |
物理学 | 43篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 1篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 6篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 13篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 4篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 4篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 5篇 |
1995年 | 2篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
排序方式: 共有85条查询结果,搜索用时 109 毫秒
71.
聚萘胺化学修饰电极对抗坏血酸的电催化研究(Ⅰ) 总被引:1,自引:0,他引:1
有关苯胺、苯酚类修饰电极前人做了大量工作,而对萘胺类物质的研究则相对较少.本文研究了萘胺聚合膜与过渡金属离子络合特性及其在碱性溶液中的电催化行为,发现聚萘胺薄膜经过渡金属离子处理后对某些氨基酸及抗坏血酸等有机酸的电氧化有催化作用,抗坏血酸浓度1×10~(-6)~1×10~(-4)mol/L范围内与催化电流值呈良好的线性关系. 相似文献
72.
73.
提出了一种新型迭代学习控制律,对其收敛性进行了严格的数学证明,并将它应用于同步发电机的励磁控制系统。仿真结果表明该方法的有效性,改善了控制器的动态性能,收敛速度得到很大提高,有利于提高电力系统稳定性。 相似文献
74.
利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(1120)ZnO薄膜,光致发光谱(PL)带边发射峰半峰宽仅为115meV.研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向异性,发现随着入射光偏振方向改变,在偏振透射光谱上,吸收边移动了20meV,这与A、B激子和C激子的能量差一致;而在拉曼光谱上,激发光偏振方向的改变导致E2模式的强度发生明显改变.
关键词:
非极性ZnO
2')" href="#">γ-LiAlO2
PLD 相似文献
75.
采用提拉法分别生长了掺杂Mn、Fe以及Co元素的LiAlO2晶体,并对其结晶质量和光谱特性进行了研究.结果表明,LiAlO2:Mn、LiAlO2:Fe和LiAlO2:Co晶体的X射线双晶摇摆曲线半高宽分别为23.2 arcsec、12.9 arcsec和23.8 arcsec.LiAlO2:Mn与LiAlO2:Fe晶体在可见至近红外波段具有较高的透过率,而LiAlO2:Co晶体在500~700 nm波段存在吸收带;光致激发与发射光谱表明Mn2+在LiAlO2:Mn晶体中处于四面体晶体场内,而Fe3+替代Li+处于八面体格位;X射线激发发射光谱分析得出空气退火后γ-LiAlO2晶体出现了较强的缺陷发光,可归结为Li2O挥发后形成的F+心,而在同样退火条件下掺杂LiAlO2晶体中相应的缺陷发光不明显,说明Li2O的挥发被抑制,晶体的热稳定性得到了改善. 相似文献
76.
利用射频磁控溅射法室温下在Si(100)衬底上制备了N掺杂的TiO2薄膜,并且采用x射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射光谱对薄膜进行了表征.XRD结果表明在纯Ar和N2(33.3;)/Ar气氛下制备的TiO2-xNx薄膜均为单一的金红石相,薄膜结晶性良好,呈高度(211)择优取向,而在N2(50.0;)/Ar下制备的薄膜结晶性明显变差;对于N掺杂的TiO2薄膜,XPS表明部分N原子进入TiO2晶格,并且以N-Ti-O、N-O键以及间隙式N原子形式存在;透射光谱表明掺N后的TiO2薄膜吸收边发生了红移. 相似文献
77.
中等专业学校都很重视考试成绩的可信度分析,因为它是反映考生成绩的可靠性和稳定性的依据,不同层次的可信度,可反映不同程度的可靠性和稳定性.众所周知,考试成绩在衡量考生的质量、教学水平、教学管理等方面都有举足轻重的作用.怎样判断考试成绩较为真实地反映了考... 相似文献
78.
基于微分同胚的非线性系统解耦线性化 总被引:1,自引:0,他引:1
利用现代微分几何方法研究了非线性系统,通过构造适当的微分同胚,给出了非线性系统解耦线性化的充分必要条件。最后,用数值例子说明了本文所得的结论。 相似文献
79.
A-plane GaN films are deposited on(302) γ-LiAlO 2 substrates by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) . The X-ray diffraction(XRD) results indicate that the in-plane orientation relationship between GaN and LAO substrates is [010] LAO [0001] GaN and [203] LAO [1100] GaN with 0.03% and 2.85% lattice mismatch,respectively. Raman scattering results indicate that the strain in the films decreases along with the increase in the thickness of the films. In addition to the band edge emission at 3.42 eV,defects-related luminescence at 3.35 eV is observed in the photoluminescence(PL) spectra. The cathodoluminescence(CL) spectra indicate that the 3.35-eV emission is related to the V pits. 相似文献
80.