不等式约束优化问题的一个势函数

基于Carroll(1961)建立的罚函数，本文给出了不等式约束优化问题的一个势函数，并且讨论了该函数的性质．最后证明了在此基础上建立的对偶算法具有Q-线性收敛性．     

环的根性质

研究的对象是不含单位元分次环 R,首先证明了有关 Jacobson根的重要性质 J( R) =J( S)∩ R,其中 S =R× Z.然后利用它得到了一些好的性质     

CdZnTe核探测器的蒙特卡罗模拟的初步研究

以CdZnTe核探测器的工作原理为依据,探测器内反应的随机性和反应产生的电子空穴对数目的统计规律为物理模型,应用Visual C + + 自行编制了蒙特卡罗模拟软件.模拟了γ射线在CdZnTe探测器中的响应能谱,并将模拟结果与实际器件的测试结果进行了比较讨论.模拟能谱与实际测得的能谱的主峰符合较好.此外,通过分析⁵⁷Co源辐照下探测效率与器件厚度的关系,可以推测探测效率达到最大时所对应CdZnTe探测器的理想厚度     

CCD光谱谱线标定方法研究

CCD作为光谱分析和测色仪器的光谱接收器件 ,光谱谱线定位受单色仪狭缝和CCD光敏元尺寸影响。提出采用最小二乘法做曲线拟合和质心法来确定光谱线在CCD上的精确定位 ,使光谱谱线的定位精度得到提高 ,并且不受CCD光敏元尺寸限制。实验结果表明 ,两种方法对光谱线的定位 ,具有重复性高 ,稳定性好等特点。在定位精度上 ,两者具有一致性。     

限制李超代数p-理想与其Frattini p-理想紧密联系的性质

对限制李超代数的一些p-理想与Frattini p-理想紧密联系的性质进行了讨论,给出p-基本限制李超代数和E-p-限制李超代数的一些结果,证明L是E-p-限制李超代数当且仅当L/φp(L)是p-基本的,研究了p-理想Ep(L)(其中Ep(L)是含于一切满足L/A是p-基本的所有p-理想A的交),描述限制李超代数的Frattini p-理想和某些p-理想之间的关系.     

弱混强平稳序列随机容量、随即秩次序统计量的极限分布律

设W(1n)W2(n)…W(nn)是严平稳随即序列{Xn,n 1}的前几个变量的顺序统计量,Nn Mn是两正整值r.v,n 1.在较弱一些的混合条件下,本文给出了W(NMn)n标准化后的极限分布,从而使一些提法更趋一般化,主要结果推进了Rao(1984)和张国胜(1993)的工作.由于混合条件的减弱,使得对m-相关和正态平稳过程的具体应用讨论更加充分.     

一种改进的Fuzzy-HMMS算法及其收敛性

对D at T ran和M ichae lW agner等人提出的FCM-FE-HMM S算法作了进一步的补充和改进,提出了改进的FCM-FE-HMM S算法,并给出了算法收敛性分析,得出在给定初值的情况下该算法将收敛到一个局部最优解。     

切变模量和转动惯量实验的改进

设计了一种基于垂直轴定理的新型吊钩,对切变模量和转动惯量实验进行了改进,使之成为既可测定金属丝切变模量和环、柱等刚体的转动惯量,又可验证反映转动惯量重要性质的平行轴定理及垂直轴定理的多功能实验仪.     

A Rapid Solid-phase Synthesis to Soluble Oligothiophene Molecular Wires

A novel method for the preparation of oligothiophene molecular wires is described via a bi-directional solid-phase synthesis. Using an alternating sequence of bromination and Stille coupling reactions, oligomers were obtained up to the heptamer in excellent yield and purity.     

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400～700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1～2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值.